间，而电阻R6则串接在三极管Q3的基极与极性电容C8的正极之间。为确保使用效果，该三极管Q2的基极与三极管Ql的集电极相连接，其集电极与恒流保护电路相连接，而其发射极则与三极管Q3的发射极均接地。
[0027]所述的逻辑保护射极耦合式放大电路的结构如图2所示，其主要由三极管Q4，三极管Q5，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器P2的反相端与输出端之间的电阻R14，串接在功率放大器P3的同相端与输出端之间的极性电容C11，串接在功率放大器P2的同相端与三极管Q4的集电极之间的电阻R21，串接在三极管Q4的集电极与三极管Q5的基极之间的电阻R15，与电阻R15相并联的电容C10，负极与功率放大器P2的同相端相连接、正极经电阻R16后与三极管Q4的发射极相连接的极性电容C9，串接在三极管Q5的基极与极性电容C9的正极之间的电阻R17，正极与三极管Q5的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D3和电阻R18后与功率放大器P2的输出端相连接的电容C12，P极与功率放大器P3的输出端相连接、N极经电阻R20和电阻R19后与稳压二极管D3与电阻R18的连接点相连接的二极管D4，以及P极与电容C12的负极相连接、N极与二极管D4与电阻R20的连接点相连接的稳压二极管D5组成。
[0028]同时，所述三极管Q4的基极与极性电容C9的正极相连接，其发射极与三极管Q5的发射极相连接，其集电极与功率放大器P2的反相端相连接；三极管Q5的集电极与功率放大器P3的反相端相连接，功率放大器P3的同相端与功率放大器P2的输出端相连接。
[0029]连接时，该极性电容C9的正极要与与非门IC3的负极输入端相连接，电阻R20与电阻R19的连接点则与电容C2的负极相连接，所述与非门IC3的输出端则与电容C2的正极相连接。
[0030]恒流保护电路结构如图3所示，其由保护芯片Ul，三极管Q7，三极管Q6，串接在保护芯片Ul的COMP管脚与VREF管脚之间的二极管D7，P极与保护芯片Ul的RT管脚相连接、N极则经电阻R22后与保护芯片Ul的FB管脚相连接的二极管D6。该电阻R22为恒流检测电阻，其上的压降反馈到保护芯片Ul的FB管脚，保护芯片Ul则根据这个反馈电压的高低与其内部的基准电压进行比较，从而调整其DVR管脚所输出的脉冲占空比，由此则可以达到恒流的目的。
[0031]同时，该恒流保护电路还包括有一端与保护芯片Ul的CS管脚相连接、另一端接地的电阻R23，一端与保护芯片Ul的DVR管脚相连接、另一端则与三极管Q7的基极相连接的电阻R24，一端与三极管Q7的集电极相连接、另一端则经电阻R27后与三极管Q6的集电极相连接的电阻R26，一端与三极管Q6的发射极相连接、另一端接地的电阻R25，以及正极与三极管Q6的发射极相连接、负极则与光束激发式逻辑放大电路相连接的极性电容C13。
[0032]所述二极管D6的N极与在射极耦合式非对称电路相连接；三极管Q6的基极与电阻R27和电阻R26的连接点相连接，而三极管Q7的发射极接地；所述保护芯片Ul的VREF管脚与其VCC管脚相连接、其GND管脚接地。为了达到更好的实施效果，该保护芯片Ul优先采用AP3843CP型集成芯片来实现。
[0033]如上所述，便可较好的实现本发明。
【主权项】
1.一种基于恒流保护的射极耦合非对称逻辑保护触发系统，其由射极耦合式非对称电路，无源π型滤波电路，以及串接在射极耦合式非对称电路与无源π型滤波电路之间的光束激发式逻辑放大电路组成，其特征在于，在射极耦合式非对称电路与光束激发式逻辑放大电路之间还串接有恒流保护电路；所述的恒流保护电路由保护芯片U1，三极管Q7，三极管Q6，串接在保护芯片Ul的COMP管脚与VREF管脚之间的二极管D7，P极与保护芯片Ul的RT管脚相连接、N极则经电阻R22后与保护芯片Ul的FB管脚相连接的二极管D6，一端与保护芯片Ul的CS管脚相连接、另一端接地的电阻R23，一端与保护芯片Ul的DVR管脚相连接、另一端则与三极管Q7的基极相连接的电阻R24，一端与三极管Q7的集电极相连接、另一端则经电阻R27后与三极管Q6的集电极相连接的电阻R26，一端与三极管Q6的发射极相连接、另一端接地的电阻R25，以及正极与三极管Q6的发射极相连接、负极则与光束激发式逻辑放大电路相连接的极性电容C13组成；所述二极管D6的N极与在射极耦合式非对称电路相连接；三极管Q6的基极与电阻R27和电阻R26的连接点相连接，而三极管Q7的发射极接地；所述保护芯片Ul的VREF管脚与其VCC管脚相连接、其GND管脚接地。2.根据权利要求1所述的一种基于恒流保护的射极耦合非对称逻辑保护触发系统，其特征在于，该光束激发式逻辑放大电路主要由功率放大器Ρ1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经光二极管Dl后接地的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R9，正极与电阻R9和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C8，一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器Pl的正极输入端相连接的电阻R10，串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻R11，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R12，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C7，以及一端与极性电容C8的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R13组成；所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器Pl的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接，与非门IC3的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接；所述极性电容C6的正极则与极性电容C13的负极相连接；所述射极耦合式非对称电路由三极管Q1，三极管Q2，三极管Q3，串接在三极管Q2的发射极与三极管Q3的基极之间的一级滤波电路，串接在三极管Q3的集电极与二极管Q2的集电极之间的电阻R7，串接在三极管Ql的集电极与三极管Q2的集电极之间的电阻R3，串接在三极管Ql的发射极与极性电容C8的正极之间的二级滤波电路，串接在三极管Ql的基极与极性电容C8的正极之间的三级滤波器，以及串接在三极管Ql的基极与极性电容C8的正极之间的电阻R2和串接在三极管Q3的基极与极性电容C8的正极之间的电阻R6组成；所述三极管Q2的基极与三极管Ql的集电极相连接，其集电极与二极管D6的N极相连接，所述三极管Q2的发射极与三极管Q3的发射极均接地；所述逻辑保护射极耦合式放大电路主要由三极管Q4，三极管Q5，功率放大器Ρ2，功率放大器Ρ3，串接在功率放大器Ρ2的反相端与输出端之间的电阻R14，串接在功率放大器Ρ3的同相端与输出端之间的极性电容C11，串接在功率放大器Ρ2的同相端与三极管Q4的集电极之间的电阻R21，串接在三极管Q4的集电极与三极管Q5的基极之间的电阻R15，与电阻R15相并联的电容ClO，负极与功率放大器Ρ2的同相端相连接、正极经电阻R16后与三极管Q4的发射极相连接的极性电容C9，串接在三极管Q5的基极与极性电容C9的正极之间的电阻R17，正极与三极管Q5的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D3和电阻R18后与功率放大器P2的输出端相连接的电容C12，P极与功率放大器P3的输出端相连接、N极经电阻R20和电阻R19后与稳压二极管D3与电阻R18的连接点相连接的二极管D4，以及P极与电容C12的负极相连接、N极与二极管D4与电阻R20的连接点相连接的稳压二极管D5组成；所述三极管Q4的基极与极性电容C9的正极相连接，其发射极与三极管Q5的发射极相连接，其集电极与功率放大器P2的反相端相连接；三极管Q5的集电极与功率放大器P3的反相端相连接，功率放大器P3的同相端与功率放大器P2的输出端相连接；所述极性电容C9的正极与与非门IC3的负极输入端相连接，电阻R20与电阻R19的连接点则与无源型滤波电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于恒流保护的射极耦合非对称逻辑保护触发系统，其特征在于，所述无源π型滤波电路由电容Cl、电容C2，以及串接在电容Cl的正极与电容C2的正极之间的电阻R8组成；所述电阻R20与电阻R19的连接点与电容C2的负极相连接，与非门IC3的输出端则与电容C2的正极相连接；电容Cl的正极和负极则形成输出端。4.根据权利要求3所述的一种基于恒流保护的射极耦合非对称逻辑保护触发系统，其特征在于，所述的电容Cl、电容C2均为贴片电容。5.根据权利要求4所述的一种基于恒流保护的射极耦合非对称逻辑保护触发系统，其特征在于，所述的一级滤波电路、二级滤波电路及三级滤波电路均为RC滤波电路。6.根据权利要求5所述的一种基于恒流保护的射极耦合非对称逻辑保护触发系统，其特征在于，所述的保护芯片Ul为AP3843CP型集成电路。
【专利摘要】本发明公开了一种基于恒流保护的射极耦合非对称逻辑保护触发系统，其由射极耦合式非对称电路，无源π型滤波电路，以及串接在射极耦合式非对称电路与无源π型滤波电路之间的光束激发式逻辑放大电路组成，其特征在于，在射极耦合式非对称电路与光束激发式逻辑放大电路之间还串接有恒流保护电路；本发明设置有恒流保护电路，其可以让本发明的性能更加稳定，并且还能有效的防止电流突变。
【IPC分类】H03K3/011
【公开号】CN104917491
【申请号】CN201510316997
【发明人】周云扬
【申请人】成都冠深科技有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年6月10日
【公告号】CN104467743A