共振滤波器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种共振滤波器，尤其涉及一种W堆叠晶体滤波器（stackedcrystal filter,W下简称为SC巧形式建构而成的共振滤波器。
【背景技术】
[0002] 近年来，制作高频通讯用滤波器（filter)或双工器（化plexer)时，大多采用压电 薄膜制作工艺（piezoelectricthinfilmprocess)来制作超声波元件。而压电薄膜声波 元件依结构可大概分为薄膜式体声波共振器扣linfilmbu化acousticresonator,邱A吩 W及布拉格反射体支撑的共振器（solidlymountedresonator,SMR)。
[0003] 现有WSCF形式建构而成的薄膜式体声波共振器包含一上电极、一中间电极与一 下电极，且上电极、中间电极与下电极之间分别夹设一压电层。举例来说，当上电极作为一 输入电极时、中间电极作为一接地电极、而下电极即作为一输出电极。当信号经由输入端进 入输入电极后，输入电极与接地电极之间的压电层会产生体声波化ulkacousticwave)并 传递至接地电极与输出电极之间的压电层。也就是说，输入电极与输入电极之间会产生共 振现象，故信号会经由输出电极传递至输出端。
[0004]对射频率波器（radiofrequen巧，RFfilter)来说，插入损失（insertionloss) 与频宽化andwidth)为两个决定滤波器表现的关键因子，因此如何能降低插入损失同时提 高频宽，一直是业者致力达成的目标。
【发明内容】
[0005] 因此，本发明的一目的在于提供一种共振滤波器，可降低插入损失，并且提高频 宽。
[0006] 本发明提供一种共振滤波器，该滤波共振器包含有一基底、一设置于该基底上的 下电极、一设置于该下电极上的多层膜禪合结构（multi-layeredcouplingstruc化re)、 一设置于该多层膜禪合结构上的上电极、一夹设于该下电极与该多层膜禪合结构之间的第 一压电层、W及一夹设于该多层膜禪合结构与该上电极之间的第二压电层。值得注意的是， 该多层膜禪合结构包含至少一绝缘材料。
[0007] 根据本发明所提供的共振滤波器，利用包含绝缘材料的多层膜禪合结构取代现有 SCF结构中的中间接地电极。此一多层膜禪合结构将声波局限在传递区域内，故可有效地渐 少插入损失与传递损失（transmissionloss)并且提高频宽。
【附图说明】
[0008] 图1为本发明所提供的一共振滤波器的一第一优选实施例的示意图。
[0009] 图2为本发明所提供的一共振滤波器的一第二优选实施例的示意图。
[0010] 主要元件符号说明
[0011] 10 共振滤波器
[0012] 100 基底
[001引 110 反射器
[0014] 120 下电极
[001引 130 第一压电层
[0016] 140 多层胺禪合结构
[0017] 142a第一低阻抗层
[0018] 14化第二低阻抗层
[0019] 142c第H低阻抗层
[0020] 144a第一高阻抗层
[0021] 144b第二高阻抗层
[0022] 146 第一凹陷部
[0023] 148 第二凹陷部
[0024] 150 第二压电层
[00幼 152 第一凹槽
[0026] 154 第二凹槽
[0027] 160 上电极
[002引 170 接地端点
[002引 IN 输入端点
[0030]OUT 输出端点
[0031]dl 第一低阻抗层与第二低阻抗层的厚度
[0032]d2 第H低阻抗层的厚度
[0033]d3 第一高阻抗层与第二高阻抗层的厚度
【具体实施方式】
[0034]请参阅图1，图1为本发明所提供的一共振滤波器的一第一优选实施例的示意图。 如图1所示，本优选实施例所提供的共振滤波器10包含一基底100。共振滤波器10还包含 有一设置于基底100上的下电极120、一设置于下电极120上的多层膜禪合结构140、W及 一设置于多层膜禪合结构140上的上电极160。换句话说，多层膜禪合结构140是设置于 下电极120与上电极160之间。更重要的是，在下电极120与多层膜禪合结构140之间，夹 设有一第一压电层130;而在多层膜禪合结构140与上电极160之间，夹设有一第二压电层 150。换句话说，本优选实施例的多层膜禪合结构140是设置于第一压电层130与第二压电 层150的中间。在本优选实施例中，上电极160还包含一输入端点IN与一输出端点OUT。 如图1所示，输入端点IN与输出端点OUT彼此实体与电性分离。除此之外，在下电极120与 基底100之间，还可设置有一反射器110。反射器110可包含氮化铅（aluminumnitride, AIN)、氧化铅（aluminumoxide，Al2〇3)、鹤（tungsten，W)或氧化娃（siliconoxide,Si〇2), 但不限于此。
[003引 基底100可W是一娃基底，或一神化嫁（galliumarsenide,GaAs)，但不限于此。 下电极120与上电极160包含任何合适的导电材料，而第一压电层130与第二压电层150则 包含氧化锋（zincoxide，Zn0)、氮化铅（aluminumni1:;ride，AlN)、硫化锋（zincsulfide, 化巧或任何可制作成薄膜的压电材料。举例来说，铁电陶瓷（ferroelectricceramic)材 料如铁酸铅（PbTi03)、铅铁酸铅（PMZrxTil-x)03)等材料皆可用W形成第一压电层130与 第二压电层150,但不限于此。
[0036] 请继续参阅图1。在第二压电层150内，设置有一第一凹槽152与一第二凹槽154， 而上电极160 (包括输入端点IN与输出端点OUT)则设置于第一凹槽152与第二凹槽154 之间。第一凹槽152与第二凹槽154通过第二压电层150彼此分离，且第二压电层150如 图1所示，分别暴露于第一凹槽152与第二凹槽154的底部。更重要的是，本优选实施例所 提供的共振滤波器10还包含一接地端点170,分别形成于第一凹槽152与第二凹槽154内。 另外值得注意的是，本优选实施例可通过第一凹槽152与第二凹槽154之间的距离定义出 反射器110的尺寸。
[0037] 请仍然参阅图1。第一压电层130与第二压电层150中间设置的多层膜禪合结 构140包含至少一绝缘材料。在本优选实施例中，多层膜禪合结构140由下而上还包含至 少一第一低阻抗层142a、一第二低阻抗层14化与一第H低阻抗层142c。在第一低阻抗层 142a与第二低阻抗层14化之间，夹设有一第一高阻抗层144a;而在第二低阻抗层14化与 第H低阻抗层142c之间，则夹设有一第二高阻抗层144b。第一低阻抗层142a、第二低阻抗 层14化与第H低阻抗层142c至少其中的一者包含该绝缘材料。在本优选实施例中，第一 低阻抗层142a、第二低阻抗层14化与第H低阻抗层142c皆包含该绝缘材料。举例来说， 第一低阻抗层142c、第二低阻抗层14化与第H低阻抗层142c可包含氧化娃，但不限于此。 第一高阻抗层144a与第二高阻抗层144b则可包含非晶娃（amo巧houssilicon)、笛（Pt)、 钢（Mo)或氧化粗舶2〇5)，但也不限于此。
[0038] 另外，第一低阻抗层142a与第二低阻抗层14化具有一相同的厚度dl，第H低阻抗 层142c具有一厚度d2、而第一高阻抗层144a与第二高阻抗层144b则具有一厚度d3。值 得注意的是，第一低阻抗层142a与第二低阻抗层14化的厚度dl约为第H低阻抗层142c 的厚度d2的一半。举例来说，当第一低阻抗层142a、第二低阻抗层14化与第H低阻抗层 142c包含折射系数为1. 45的氧化娃（SiOx)，且第一高阻抗层144a与第二高阻抗层144b 包含折射系数为3. 7的非晶娃时，第一低阻抗层142a与第二低阻抗层14化的厚度dl约为 1微米（micrometer,ym)，第H低阻抗层14