2c的厚度d2约为2ym，第一高阻抗层144a与 第二局阻抗层144b的厚度d3则可W是0. 12ym,但不限于此。
[0039] 请仍然参阅图1。本优选实施例所提供的共振滤波器10还包含一第一凹陷部146， 形成于多层膜禪合结构140的绝缘材料内，且是形成于第一低阻抗层142a或第二低阻抗层 14化之内。如图1所示，第一凹陷部146优选为形成于第二低阻抗层14化之内，且为第二 高阻抗层144b填满。另外，第一凹陷部146优选为对应于第一凹槽152或第二凹槽154其 中之一，如图1所示。由于第一凹陷部146的设置，多层膜禪合结构140获得一不对称的结 构型态。
[0040] 根据本优选实施例所提供的共振滤波器10,在第一压电层130与第二压电层150 之间设置一包含有绝缘材料的多层膜禪合结构140,且多层膜禪合结构140包含至少一种 低阻抗的绝缘材料与一种高阻抗的导电材料。此一多层膜禪合结构140可有效地将声波局 限在传递区域内。设置在第二压电层150内的第一凹槽152与第二凹槽154可降低信号的 传递损失W及失真（distodion);而设置于多层膜禪合结构140的第二低阻抗层14化内， 且对应于第一凹槽152或第二凹槽154的第一凹陷部146使得多层膜禪合结构140具有一 不对称型态，而此一不对称型态可增加共振滤波器10的禪合，故本优选实施例所提供的共 振滤波器10可提供更高的频宽应用。
[0041] 接下来请参阅图2,图2为本发明所提供的一共振滤波器的一第二优选实施例的 示意图。首先需注意的是，在本第二优选实施例中，与第一优选实施例相同的组成元件由相 同的符号说明，且其材料选择可同于第一优选实施例，故于此不再费述。另外，第二优选实 施例中，与第一优选实施例相同的组成元件可具有相同的相对关系，故于此皆不再费述。第 二优选实施例与第一优选实施例不同之处在于，在本优选实施例中，共振滤波器10包含一 第一凹陷部146与一第二凹陷部148,形成于多层膜禪合结构140的绝缘材料内。第一凹 陷部146对应于第一凹槽152,而第二凹陷部148则对应于第二凹槽154。值得注意的是， 虽然第一凹陷部146与第二凹陷部148皆是形成于多层膜禪合结构140的绝缘材料内，但 第一凹陷部146与第二凹陷部148分别设置于第一低阻抗层142a内与第二低阻抗层14化 内。如图2所示，本优选实施例中，第一凹陷部146形成于第二低阻抗层14化内，且被第 二高阻抗层144b填满；而第二凹陷部148则形成于第一低阻抗层142a，且被第一高阻抗层 144a填满。换句话说，第一凹陷部146与第二凹陷部148不对称地形成于多层膜禪合结构 140内。由于第一凹陷部146与第二凹陷部148设置于不同的膜层内，多层膜禪合结构140 仍然具有一不对称的结构型态。
[0042] 另外，在本优选实施例的变化型中，第一凹陷部146与第二凹陷部148可设置于多 层膜禪合结构140中相同的膜层内，但具有不同的深度，因此多层膜禪合结构140仍然具有 一不对称的结构型态。在本优选实施例的另一变化型中，可包含H个W上的凹陷部，该等 凹陷部不对称地形成于多层膜禪合结构140中相同或不同的膜层内，W使多层膜禪合结构 140仍然具有一不对称的结构型态为主。
[0043] 根据本优选实施例所提供的共振滤波器10,于第一压电层130与第二压电层150 之间设置一包含有绝缘材料的多层膜禪合结构140,且多层膜禪合结构140包含至少一种 低阻抗的绝缘材料与一种高阻抗的导电材料。此一多层膜禪合结构140可有效地将声波局 限在传递区域内。设置在第二压电层150内第一凹槽152与第二凹槽154,可降低信号的 传递损失W及失真。而分别设置于多层膜禪合结构140的第一低阻抗层142a与第二低阻 抗层14化内，且分别对应于第一凹槽152或第二凹槽154的第一凹陷部146与第二凹陷部 148使得多层膜禪合结构140具有一不对称型态，而此一不对称型态可增加共振滤波器10 的禪合，故本优选实施例所提供的共振滤波器10提供更高的频宽应用。
[0044] 请参阅表格一，表格一归纳本第一优选实施例与第二优选实施例所提供的共振滤 波器 10 在H种横向电模态（transverseelectricmode,TE；)的传播耗损（propagation loss)：
[0045]表格一
[0046]
[0047] 单位；分贝/公分（地/cm)
[0048] 由表格一可知，当共振滤波器具有两个不对称形成的凹陷部时，传播耗损可降低 至仅有单一凹陷部的共振滤波器的百分之一。也就是说，具有两个不对称形成的凹陷部的 共振滤波器可大幅地降低传播耗损，故可容许更高频宽的应用。
[0049] 综上所述，根据本发明所提供的共振滤波器，利用包含绝缘材料的多层膜禪合结 构取代现有SCF结构中的中间接地电极。此一多层膜禪合结构内还包含有不对称设置的单 一或两个凹陷部，故可将声波局限在传递区域内，并有效地渐少插入损失与传递损失。因 此，本发明所提供的共振滤波器可满足大于2. 5百万赫兹（GHz)的频宽要求。
[0050] W上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修 饰，皆应属本发明的涵盖范围。
【主权项】
1. 一种共振滤波器，包含有： 基底； 下电极，设置于该基底上； 多层膜稱合结构（multi-layeredcouplingstructure),设置于该下电极上，该多层 膜耦合结构包含至少一绝缘材料； 上电极，设置于该多层膜耦合结构上； 第一压电层，夹设于该下电极与该多层膜稱合结构之间；以及 第二压电层，夹设于该多层膜稱合结构与该上电极之间。2. 如权利要求1所述的共振滤波器，其中该多层膜耦合结构还包含： 至少一第一低阻抗层、一第二低阻抗层与一第三低阻抗层；以及 第一高阻抗层与第二高阻抗层，该第一高阻抗层夹设于该第一低阻抗层与该第二低阻 抗层之间，而该第二高阻抗层夹设于该第二低阻抗层与该第三低阻抗层之间。3. 如权利要求2所述的共振滤波器，其中该第一低阻抗层、该第二低阻抗层与该第三 低阻抗层至少其中的一者包含该绝缘材料。4. 如权利要求3所述的共振滤波器，其中该第一低阻抗层、该第二低阻抗层与该第三 低阻抗层包含氧化娃。5. 如权利要求2所述的共振滤波器，其中该第一高阻抗层与该第二高阻抗层包含非晶 娃（amorphoussilicon)、钼（Pt)、钥（Mo)或氧化钽（Ta2O5)。6. 如权利要求2所述的共振滤波器，其中该第一低阻抗层的一厚度与该第二低阻抗层 的一厚度分别为该第三低阻抗层的一厚度的一半。7. 如权利要求1所述的共振滤波器，还包含第一凹槽与第二凹槽，设置于该第二压电 层内，且该第一凹槽与该第二凹槽通过该第二压电层彼此分离。8. 如权利要求7所述的共振滤波器，其中该第二压电层暴露于该第一凹槽与该第二凹 槽的底部。9. 如权利要求7所述的共振滤波器，还包含接地端点，分别形成于该第一凹槽与该第 二凹槽内。10. 如权利要求7所述的共振滤波器，其中该上电极设置于该第一凹槽与该第二凹槽 之间。11. 如权利要求1所述的共振滤波器，还包含第一凹陷部，形成于该多层膜耦合结构的 该绝缘材料内。12. 如权利要求11所述的共振滤波器，还包含第二凹陷部，形成于该多层膜耦合结构 的该绝缘材料内，且该第一凹陷部与该第二凹陷部不对称地形成于该多层膜耦合结构的该 绝缘材料内。13. 如权利要求1所述的共振滤波器，其中该上电极还包含输入端点与输出端点。14. 如权利要求1所述的共振滤波器，还包含反射器（reflector)，形成于该下电极与 该基底之间。
【专利摘要】本发明公开一种共振滤波器，其包含有一基底、一设置于该基底上的下电极、一设置于该下电极上的多层膜耦合结构、一设置于该多层膜耦合结构上的上电极、一夹设于该下电极与该多层膜耦合结构之间的第一压电层、以及一夹设于该多层膜耦合结构与该上电极之间的第二压电层。该多层膜耦合结构包含至少一绝缘材料。
【IPC分类】H03H9/46
【公开号】CN104917487
【申请号】CN201410084689
【发明人】许茗舜
【申请人】联华电子股份有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2014年3月10日