相对地，作为电源电位的值，MOS晶体管3级的量的电压下降量就可 W。因而，与需要MOS晶体管的4级的量的电压下降量的电源电位的W往的高频放大电路 相比，能够将电源电位设定为低的值。因而，能够在第一放大部再利用在第二放大部中流动 的电流，并且能够使电源电位变低，因此，能够大幅度地抑制功耗。
[0096] 再有，本发明的实施方式不限于上述实施例。例如，在上述实施例中，说明为第一 放大部AU第二放大部A2、第一偏置部Bl、第二偏置部B2、第一级的电流调整部DN和第二 级的电流调整部DP分别具有共源共栅连接的2个晶体管（晶体管对)。但是，各部所包括的 晶体管的数量不限于此，例如，也可W包括3个W上的共源共栅连接的晶体管组。此外，也 可W通过一个晶体管来构成第一放大部Al和第二放大部A2之中的一个。
[0097] 此外，在上述实施例中，对第一导电型为N型的情况并且第二导电型为作为与第 一导电型（N型)相反导电型的P型的情况进行了说明，但是不限于此。例如，也可W使第一 导电型为P型并使第二导电型为N型，分别向第一放大部供给电源电位和中间电位并向第 二放大部供给中间电位和接地电位，由此，构成高频放大器。目P，也可W构成为由PMOS晶体 管来构成第一放大部Al和偏置部Bl并由NMOS晶体管来构成第二放大部A2和偏置部B2， 分别向第一放大部Al供给电源电位Vdd和中间电位V血并向第二放大部A2供给中间电位 V血和接地电位。
[0098] 附图标记的说明 10、20、30高频放大器 11接收机 12天线 13混合器 14本地振荡器 15解调部 QO~Q4 NMOS晶体管 Q5~QlO PMOS晶体管 CO~C4电容器 Rl~R6电阻 L1、L2电感器 AO运算放大器 IB电流源 Al第一放大部 A2第二放大部 Bl第一偏置部 B2第二偏置部 CC电流控制部 CMN电流镜电路。
【主权项】
1. 一种高频放大电路，对所输入的高频信号进行放大并输出，所述高频放大电路的特 征在于，具有： 第一放大部，对从输入端子输入的高频信号进行放大来生成高频放大信号； 第二放大部，进一步对所述高频放大信号进行放大来生成输出信号，并从输出端子输 出； 第一偏置部，将偏置电压供给到所述第一放大部； 第二偏置部，将偏置电压供给到所述第二放大部； 中间电位线，将第一电位和第二电位之间的中间电位供给到所述第一放大部和所述第 二放大部； 电流生成部，生成所述第一偏置部的工作电流；以及 电流控制部，连接于所述中间电位线，基于所述中间电位来控制所述第二偏置部的工 作电流， 所述第一放大部包括向源极端子供给所述第一电位的第一导电型的第一晶体管、以及 连接于所述中间电位线的第一电感器， 所述第二放大部包括在源极端子接受所述第二电位的供给的与所述第一导电型相反 导电型的第二导电型的第二晶体管、以及连接于所述中间电位线的第二电感器。2. 根据权利要求1所述的高频放大电路，其特征在于， 所述第一放大部包括串联连接的所述第一导电型的一对晶体管、以及与所述第一电感 器并联地连接并与所述第一电感器一起构成第一并联共振电路的第一电容器， 所述第二放大部包括串联连接的所述第二导电型的一对晶体管、以及与所述第二电感 器并联地连接并与所述第二电感器一起构成第二并联共振电路的第二电容器。3. 根据权利要求1或2所述的高频放大电路，其特征在于， 所述第一偏置部包括向源极端子供给所述第一电位的所述第一导电型的晶体管， 所述第二偏置部包括向源极端子供给所述第二电位的所述第二导电型的晶体管。4. 根据权利要求1至3中的任一项所述的高频放大电路，其特征在于， 所述电流控制部包括具有连接于所述中间电位线的反相输入端子和接受直流电压的 施加的非反相输入端子的运算放大器，根据所述中间电位与所述直流电压的电位差来控制 所述第二偏置部的工作电流。5. -种高频放大电路，对所输入的高频信号进行放大并输出，所述高频放大电路的特 征在于，具有： 第一放大部，对从输入端子输入的高频信号进行放大来生成高频放大信号； 第二放大部，进一步对所述高频放大信号进行放大来生成输出信号，并从输出端子输 出； 第一偏置部，将偏置电压供给到所述第一放大部； 第二偏置部，将偏置电压供给到所述第二放大部； 中间电位线，将第一电位和第二电位之间的中间电位供给到所述第一放大部和所述第 二放大部； 电流控制部，连接于所述中间电位线，基于所述中间电位来控制所述第一偏置部的工 作电流；以及 电流生成部，生成所述第二偏置部的工作电流， 所述第一放大部包括向源极端子供给所述第一电位的第一导电型的第一晶体管、以及 连接于所述中间电位线的第一电感器， 所述第二放大部包括在源极端子接受所述第二电位的供给的与所述第一导电型相反 导电型的第二导电型的第二晶体管、以及连接于所述中间电位线的第二电感器。6. 根据权利要求5所述的高频放大电路，其特征在于， 所述第一放大部包括串联连接的所述第一导电型的一对晶体管、以及与所述第一电感 器并联地连接并与所述第一电感器一起构成第一并联共振电路的第一电容器， 所述第二放大部包括串联连接的所述第二导电型的一对晶体管、以及与所述第二电感 器并联地连接并与所述第二电感器一起构成第二并联共振电路的第二电容器。7. 根据权利要求5或6所述的高频放大电路，其特征在于， 所述第一偏置部包括向源极端子供给所述第一电位的所述第一导电型的晶体管， 所述第二偏置部包括向源极端子供给所述第二电位的所述第二导电型的晶体管。8. 根据权利要求5至7中的任一项所述的高频放大电路，其特征在于， 所述电流控制部包括具有连接于所述中间电位线的反相输入端子和接受直流电压的 施加的非反相输入端子的运算放大器，根据所述中间电位与所述直流电压的电位差来控制 所述第一偏置部的工作电流。9. 根据权利要求1至8中的任一项所述的高频放大电路，其特征在于，还具有： 电流调整部，其连接于所述中间电位线，生成在所述第一放大部中流动的电流与在所 述第二放大部中流动的电流的电流差所对应的调整电流。10. 根据权利要求9所述的高频放大电路，其特征在于，所述电流调整部包括所述第一 导电型的晶体管，以在所述第一放大部中流动的电流与所述调整电流之和等于在所述第二 放大部中流动的电流的方式生成所述调整电流。11. 根据权利要求9所述的高频放大电路，其特征在于，所述电流调整部包括所述第二 导电型的晶体管，以在所述第二放大部中流动的电流与所述调整电流之和等于在所述第一 放大部中流动的电流的方式生成所述调整电流。12. 根据权利要求1至11中的任一项所述的高频放大电路，其特征在于， 所述第一放大部包括由串联连接的所述第一导电型的一对晶体管构成的晶体管对并 联地连接多个的第一晶体管组， 所述第二放大部包括由串联连接的所述第二导电型的一对晶体管构成的晶体管对并 联地连接多个的第二晶体管组。13. 根据权利要求1至12中的任一项所述的高频放大电路，其特征在于， 所述第一电位为接地电位， 所述第一导电型为N型， 所述第二电位为电源电位， 所述第二导电型为P型。14. 根据权利要求1至12中的任一项所述的高频放大电路，其特征在于， 所述第一电位为电源电位， 所述第一导电型为P型， 所述第二电位为接地电位， 所述第二导电型为N型。
【专利摘要】本发明涉及高频放大电路。提供了提高沿反方向流动的信号的截断特性并且使电源电压变低而能省电力化的高频放大电路。由共源共栅连接的2个NMOS晶体管构成的第一放大部和由共源共栅连接的2个PMOS晶体管构成的第二放大部经由中间电位线而共源共栅连接。向第一放大部供给偏置电压的第一偏置部和向第二放大部供给偏置电压的第二偏置部连接于向两端供给电源电位和接地电位的不同的电流路径，分别生成偏置电压。在构成电流控制部的运算放大器中，反相输入端子连接于中间电位线，向非反相输入端子施加直流电压。电流控制部基于所施加的直流电压与中间电位线的电位的差来控制第二偏置部的工作电流。
【IPC分类】H03F3/193
【公开号】CN105391413
【申请号】CN201510538545
【发明人】四辻哲章
【申请人】拉碧斯半导体株式会社
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年8月28日
【公告号】US20160065135