高隔离度宽带开关的制作方法_3

文档序号:9729819阅读:来源:国知局
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[0042]虽然已经在一些优选实施方案和实施例的背景下公开了本发明,本领域技术人员应当理解的是,本发明超过具体公开的实施方案而延及本发明的其他替代实施方案和/或用途及其明显的改进例和等同布置。另外,虽然已经详细显示和描述了本发明的多个变型例,但是基于本公开内容,落在本发明范围内的其他改进例对于本领域技术人员而言将是显而易见的。还可构思的是,实施方案的具体特征和方案的各种组合或子组合可以做出且仍落在本发明范围内。应当理解的是,公开的实施方案的各种特征和方案能够相互组合或者替代从而形成公开的发明的不同模式。因此,本文公开的本发明的范围不旨在受上文所公开的特定实施方案限制,而是应当仅通过清晰理解随附的权利要求书来确定。
【主权项】
1.集成电路(1C)封装,包括: 1C芯片,其包括第一多个引线; 封装基板,其包括第二多个引线,所述1C芯片位于所述封装基板上; 多个焊线,其分别将所述第一引线与所述第二引线连接, 其中响应于施加到所述1C封装的射频(RF)信号,在所述第一多个引线之间通过所述集成电路芯片发生第一电耦合, 其中所述焊线具有响应于所述RF信号的第二电耦合,并且 其中所述焊线布置成使得在选定频带内所述第二电耦合与所述第一电耦合基本匹配,从而对于所述选定频带内的RF信号减少所述集成电路封装的总体电耦合。2.如权利要求1所述的1C封装,其中所述1C芯片包括第一表面和第二表面,所述第一表面和第二表面定位成彼此远离,其中所述焊线包括RF输入焊线和RF输出焊线,所述RF输入焊线附接到所述第一引线的位于所述1C芯片的所述第一表面上的RF输入引线,所述RF输出焊线附接到所述第一引线的位于所述1C芯片的所述第二表面上的RF输出引线。3.如权利要求2所述的1C封装,其中所述RF输入焊线和所述RF输出焊线附接到所述1C芯片从而定位成彼此相距最大距离。4.如权利要求2所述的1C封装,其中每个所述焊线都限定从所述1C芯片上的所述第一引线延伸出的垂直部和从所述1C芯片上的所述第一引线向外延伸的水平部,并且其中,所述焊线定位到预定取向上从而所述水平焊线之间的电耦合的分量减少了所述选定频带内所述集成电路的总体电耦合。5.如权利要求4所述的1C封装,其中所述集成电路封装的第一电耦合包括发生在所述1C芯片上的RF输入引线和RF输出引线之间的电容耦合分量和发生在所述RF输入焊线的水平部与所述RF输出焊线的水平部之间的电感耦合分量,其中所述RF输入焊线的水平分量和所述RF输出焊线的水平分量相对于彼此进行角度调节,以使得在所述RF输入焊线和RF输出焊线与1C芯片之间所述电感耦合分量与所述电容耦合分量异相。6.如权利要求5所述的1C封装,其中调节所述RF输入焊线和RF输出焊线的水平部的相对角取向从而由于在大约所述选定频带内焊线电感耦合分量与所述1C芯片上的电容耦合分量异相而在隔离度曲线上限定隔离凹口。7.如权利要求2所述的1C封装,其中所述RF输出焊线定位成接近接地焊线,邻近所述RF输出焊线,在它们之间有50欧姆的引出端,从而减小所述RF输入焊线与所述RF输出焊线之间的电感耦合,所述RF输出焊线相对于所述RF输入焊线取向从而减少所述1C封装的总体电耦合。8.射频(RF)开关封装,包括: 封装基板;以及 集成电路(1C)芯片,其包括RF开关,所述1C芯片安置在所述封装基板上, 其中1C芯片经由RF输入焊线和RF输出焊线与所述封装基板电连接, 其中当RF信号施加到所述RF开关封装时,在所述RF输入焊线与RF输出焊线之间形成第一电耦合,在所述1C芯片中形成第二电耦合,并且 其中选择所述RF输入焊线与RF输出焊线之间的所述第一电耦合以抵消预定频率范围内所述1C芯片的所述第二电耦合的至少部分。9.如权利要求8所述的RF开关封装,其中所述RF输入焊线和所述RF输出焊线附接到所述1C芯片上从而定位成彼此相距最大距离。10.如权利要求8所述的RF开关封装,其中每个所述焊线都限定了从所述1C芯片延伸出的垂直部和从所述1C芯片向外延伸的水平部,并且其中所述焊线定位到预定取向以使水平焊线之间的电耦合分量减小所述预定频率范围内所述集成电路的总体电耦合。11.如权利要求10所述的RF开关封装,其中所述第一电耦合包括发生在所述1C芯片上的所述RF输入焊线和RF输出焊线之间的电容耦合分量以及发生在所述RF输入焊线的水平部与RF输出焊线的水平部之间的电感耦合分量,其中所述RF输入焊线的水平分量和所述RF输出焊线的水平分量相对于彼此进行角度调节,以使所述电感耦合分量与所述RF输入焊线和RF输出焊线与所述1C芯片之间的电容耦合分量异相。12.如权利要求11所述的RF开关封装,其中调节所述RF输入焊线的所述水平部和RF输出焊线的所述水平部的相对角取向,从而由于在大约预定频率范围内焊线电感耦合分量与所述1C芯片上的所述电容耦合分量异相而在隔离度曲线上限定隔离凹口。13.如权利要求8所述的RF开关封装,其中所述RF输出焊线定位成接近接地焊线,邻近所述RF输出焊线,从而减小所述RF输入焊线与RF输出焊线之间的电感耦合,所述RF输出焊线相对于所述RF输入焊线取向,从而减小所述1C封装的总体电耦合。14.集成电路(1C)封装,包括: 1C芯片,其包括多个第一输入引线和多个第一输出引线,所述第一输入引线分别对应于所述第一输出引线; 封装基板,其包括多个第二输入引线和多个第二输出引线,所述1C芯片定位在所述封装基板上; 多个焊线,其分别连接:i)所述第一输入引线与所述第二输入引线,以及ii)所述第一输出引线与所述第二输出引线, 其中每个对应的第一输入和输出引线对被配置为在它们之间传输射频(RF)信号,并且 其中所述焊线布置成由于所述RF信号的传输引起的电耦合而针对每个RF信号的选定频带在隔离度曲线上限定隔离凹口。15.如权利要求14所述的1C封装,其中响应于施加到RF对应输入引线的对应RF信号,在所述1C芯片中的每个对应的第一输入引线和第一输出引线之间发生第一电耦合,其中响应于对应的RF信号,在与每个对应的第一输入引线和第一输出引线连接的焊线之间发生第二电耦合,并且其中,所述焊线的布置被选择以使每个所述第一电耦合抵消对应的第二电親合的至少一部分。16.如权利要求14所述的1C封装,其中每个所述焊线均限定从所述1C芯片上的对应引线延伸出的垂直部以及从所述1C芯片上的对应引线向外延伸的水平部,并且其中,所述焊线定位到预定取向上,以使水平焊线之间的电耦合分量减小所述选定频带内所述集成电路的总体电耦合。17.如权利要求14所述的1C封装,其中所述1C芯片的第一电耦合包括发生在所述1C芯片上的对应的第一输入引线和第一输出引线之间的电容耦合分量以及发生在焊线的水平部之间的电感耦合分量,其中所述焊线的水平分量相对于彼此进行角度调节,以使所述电感耦合分量与所述第一输入焊线和第一输出焊线与所述1C芯片之间的电容耦合分量异相。18.如权利要求17所述的1C封装,其中调节所述焊线的水平部的相对角取向,从而由于在大约选定频带内焊线电感耦合分量与所述1C芯片上的所述电容耦合分量异相而在隔离度曲线上限定隔离凹口。
【专利摘要】本发明涉及高隔离度宽带开关。在一个方案中,该开关包括集成电路封装,该集成电路封装具有集成电路芯片,该集成电路芯片具有第一多个引线,第一多个引线定位在具有第二多个引线的封装基板上。集成电路芯片的第一引线经由焊线连接到封装基板的第二引线,响应于施加到集成电路封装上的RF信号,在第一引线与集成电路芯片之间发生第一电耦合。焊线具有响应于RF信号的第二电耦合,焊线被布置以使第二电耦合在选定频带内与第一电耦合匹配,从而对于选定频带内的RF信号减小集成电路封装的总体电耦合。
【IPC分类】H03K17/94
【公开号】CN105490671
【申请号】CN201510629841
【发明人】Y·A·阿特赛尔, T·库尔克尤克鲁
【申请人】亚德诺半导体集团
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月29日
【公告号】EP3002783A2, EP3002783A3, US20160099220
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