高频模块的制作方法
【专利摘要】本发明的高频模块除了主传输路径以外，还形成有副传输路径，其中，所述主传输路径在多个第1滤波元件中传输高频信号，所述副传输路径经由第1电感器与匹配元件之间所产生的电感性耦合或电容性耦合的路径、或者第1电感器与第2电感器之间所产生的电感性耦合的路径。因电感性耦合或电容性耦合的耦合度的不同，副传输路径具有与主传输路径不同的振幅特性和相位特性，通过调整副传输路径的振幅特性和相位特性，能够调整作为高频模块的传输特性。由此，即使不另外设置电感器、电容器，也能够调整高频模块的传输特性，例如能够改善衰减特性。
【专利说明】
局频I旲块
技术领域
[0001 ]本发明涉及具有多个滤波元件的高频模块。
【背景技术】
[0002]在具备无线通信功能的移动设备等中，为了仅使所希望频率的高频信号通过，并使该所希望频率以外的高频信号衰减，而设置有滤波电路。
[0003 ]例如，专利文献I中记载有具有多个SAW滤波器(表面声波)的滤波电路。具体而言，专利文献I的滤波电路中，在输入端子与输出端子之间串联连接有多个SAW滤波器。在对串联连接的各SAW滤波器进行连接的连接线路与接地之间也分别连接有SAW滤波器。
[0004]专利文献I所记载的滤波电路中，为了改善通频带以外的衰减特性，将电感器或电感器与电容器的串联电路(称为校正电路)与SAW滤波器的串联电路进行并联连接。此时，对校正电路进行调整，以使得在由SAW滤波器组构成的电路部中进行传输的通频带以外的高频信号(抑制对象信号)与在校正电路中进行传输的抑制对象信号的振幅一致，相位相反。由此，抑制对象信号在由SAW滤波器组构成的电路部与校正电路的连接点处相抵消，从而不会从输出端子输出。
现有技术文献专利文献
[0005]专利文献I:日本专利特开2012-109818号公报
【发明内容】
发明所要解决的技术问题
[0006]然而，在上述结构中，除了由主要具有滤波功能的SAW滤波器组构成的电路部之夕卜，仅仅为了改善衰减特性，还必须要另行设置由电感器或电感器和电容器的串联电路构成的校正电路。
[0007]因此，滤波电路的结构要素变多，滤波电路变得大型化，从而不适于追求小型化的当前的移动终端等。
[0008]本发明的目的在于提供一种具备通频带以外的衰减特性优异的小型滤波电路的高频模块。
解决技术问题的技术方案
[0009]本发明涉及一种高频模块，所述高频模块包括:第I外部连接端子;第2外部连接端子;滤波部，该滤波部连接在所述第I外部连接端子与所述第2外部连接端子之间；以及匹配元件，该匹配元件连接在所述第I外部连接端子和所述第2外部连接端子的至少其中一方与所述滤波部之间，所述高频模块具有以下特征。
[0010]所述滤波部包括:第I连接端子，该第I连接端子与所述第I外部连接端子相连接；第2连接端子，该第2连接端子与所述第2外部连接端子相连接；以及多个第I滤波元件，该多个第I滤波元件串联连接在所述第I连接端子与所述第2连接端子之间，所述高频模块包括第I电感器，该第I电感器经由所述第I连接端子或所述第2连接端子，与除与所述匹配元件相连接的第I滤波元件以外的第I滤波元件进行并联连接，所述第I电感器与所述匹配元件进行电感性耦合或电容性耦合。
[0011]在该结构中，除了主传输路径以外，还形成有副传输路径，其中，所述主传输路径在多个第I滤波元件中传输高频信号，所述副传输路径经由第I电感器与匹配元件之间所产生的电感性耦合或电容性耦合的路径。因电感性耦合或电容性耦合的耦合度的不同，副传输路径具有与主传输路径不同的振幅特性和相位特性，通过调整副传输路径的振幅特性和相位特性，能够调整作为高频模块的传输特性。由此，即使不另外设置电感器、电容器，也能够调整高频模块的传输特性，例如能够改善衰减特性。
[0012]另外，即使如以下那样构成高频模块，也能形成本发明的副传输路径。所述滤波部包括:第I连接端子，该第I连接端子与所述第I外部连接端子相连接;第2连接端子，该第2连接端子与所述第2外部连接端子相连接;第3连接端子，该第3连接端子与接地相连接;多个第I滤波元件，该多个第I滤波元件串联连接在所述第I连接端子与所述第2连接端子之间；以及第2滤波元件，该第2滤波元件的一端与将所述第I连接端子与所述第I滤波元件相连接的连接线路、将所述第2连接端子与所述第I滤波元件相连接的连接线路、或将互相相邻的所述第I滤波元件相连接的连接线路相连接，其另一端与第3连接端子相连接。
[0013]而且，高频模块包括:第I电感器，该第I电感器与所述第I滤波元件并联连接；以及第2电感器，该第2电感器连接在所述第3连接端子与接地之间，所述第I电感器与所述第2电感器进行电感性耦合。
[0014]即使是像这样的高频模块的结构，也能通过第I电感器与第2电感器之间所产生的电感性耦合，来形成副传输路径。
[0015]另外，所述滤波部包括第4连接端子和第5连接端子，所述第I电感器也可以经由所述第4连接端子和所述第5连接端子，与所述第I滤波元件进行并联连接。
[0016]将第I电感器经由第4连接端子和第5连接端子配置于滤波部的外部，从而第I电感器的配置和形成变得简单，易于对副传输路径的特性进行调整。
[0017]另外，由所述第I电感器所形成的电感性耦合或所述电容性耦合也可以使所述滤波部的通频带以外的阻抗发生变化。
[0018]如上述结构所示，通过适当调整親合方式、親合度，从而能在不改变通频带的特性的情况下改变通频带以外的特性即衰减特性。
[0019]另外，由所述第I电感器所形成的电感性耦合或所述电容性耦合也可以使所述滤波部的通频带以外的衰减极频率发生变化。
[0020]在该结构中，调整衰减极的频率来作为衰减特性的调整方式。
[0021]另外，匹配元件也可以采用如下所述的结构。所述匹配元件串联连接在所述第I夕卜部连接端子与所述第I连接端子之间，或者串联连接在所述第2外部连接端子与所述第2连接端子之间。所述匹配元件是并联连接型的匹配元件，该并联连接型的匹配元件连接在将所述第I外部连接端子与所述第I连接端子相连接的连接线路与接地之间，或者连接在将所述第2外部连接端子与所述第2连接端子相连接的连接线路与接地之间。
[0022]这些结构中，示出了匹配元件的具体连接方式。通过适当地确定这些连接方式，能够适当地进行滤波部与外部之间的阻抗匹配，并且也能够适当地进行上述衰减特性的调整。
[0023]另外，高频模块也可以包括第3滤波元件，该第3滤波元件的一端连接到与所述第2滤波元件的一端所连接的连接线路不同的连接线路，其另一端连接到所述第3连接端子。
[0024]由此，第2电感器的一端与接地相连接，其另一端与第2滤波元件及第3滤波元件相连接。
[0025]另外，高频模块也可以采用以下结构。所述滤波部包括第6连接端子和第2滤波部，所述第2滤波部连接在所述第6连接端子与连接所述第I连接端子和所述第I滤波元件的连接线路之间，或者连接在所述第6连接端子与连接所述第2连接端子和所述第I滤波元件的连接线路之间。
[0026]在该结构中，能够实现将第I连接端子作为公共端子、将第2连接端子及第6连接端子作为独立端子的合成分波器(双工器等)。
[0027]另外，高频模块也可以采用以下结构。高频模块包括:滤波器基板，该滤波器基板呈平板状，其第I主面上形成有构成所述滤波部的IDT电极;覆盖层，该覆盖层呈平板状，与所述滤波器基板的所述第I主面隔开间隔而相对;连接电极，该连接电极从所述第I主面突出，呈贯穿所述覆盖层的形状；以及层叠基板，该层叠基板上安装或形成有所述第I电感器，所述滤波器基板配置成使得所述第I主面侧朝向所述层叠基板的安装面，所述滤波器基板经由所述连接电极而与所述层叠基板相连接。
[0028]在该结构中，能通过由WLP(Wafer Level Package:晶圆级封装)构成的滤波部和层叠基板来实现高频模块。由此，能够使高频模块小型化。
[0029]另外，高频模块也可以采用以下结构。所述匹配元件由安装于所述层叠基板的安装面的安装型电路元件构成，所述第I电感器安装或形成于所述层叠基板的安装面或内部，所述安装型电路元件与所述第I电感器靠近配置。
[0030]另外，高频模块的匹配元件也可以采用以下结构。所述匹配元件由安装于所述层叠基板的安装面的安装型电路元件构成，所述第I电感器形成于所述覆盖层的内部，所述安装型电路元件与所述第I电感器靠近配置。
[0031]在这些结构中，示出了匹配元件为安装型电路元件时使用WLP的高频模块的具体结构例。此外，还示出了电感器的具体结构例。通过该结构，能可靠地实现匹配元件与电感器的親合。
[0032]另外，高频模块优选具有以下结构。所述匹配元件包括:框体，该框体呈长方体形状；以及螺旋导体，该螺旋导体形成于所述框体内，在俯视下由大致长方形的外周形状构成，所述匹配元件配置成使得所述框体的长边与所述第I电感器靠近。
[0033]在该结构中，能够容易地进行匹配元件与电感器的親合，向所希望的親合量的调整也变得容易。
[0034]另外，高频模块也可以采用以下结构。高频模块包括:滤波器基板，该滤波器基板呈平板状，其第I主面形成有构成所述滤波部的IDT电极；以及滤波器安装用基板，该滤波器安装用基板呈平板状，配置在所述滤波器基板的所述第I主面侧，并安装有所述滤波器基板的所述第I主面侧，所述匹配元件安装或形成于所述滤波器安装用基板的安装面。
[0035]在该结构中，示出利用CSP(ChipSize Package:芯片尺寸封装)来实现高频模块的情况。
[0036]另外，高频模块也可以采用以下结构。所述匹配元件是与天线并联连接的匹配用电感器，所述匹配用电感器以及所述第I电感器以相互靠近的方式形成于所述层叠基板的内部。
[0037]若采用该结构，则由于与天线并联连接的匹配用电感器与第I电感器靠近，因此能产生更高的电感性耦合。
[0038]另外，匹配用电感器及第I电感器也可以采用以下结构。所述匹配用电感器和所述第I电感器是分别形成于所述层叠基板的彼此不同的层的线状电极，构成所述匹配用电感器的线状电极具有从所述层叠基板的层叠方向观察时与构成所述第I电感器的线状电极重叠的部分，在所述重叠的部分上，构成所述匹配用电感器的线状电极与构成所述第I电感器的线状电极的高频信号的传输方向相反。
[0039]若利用这种结构来使匹配用电感器与第I电感器电感性耦合，则彼此的电感器的有效电感值变高。由此，能缩短彼此的电感器的线状电极的长度，能实现高频模块的小型化。
发明效果
[0040]根据本发明，能够实现具备具有优异的通频带以外的衰减特性的小型滤波电路的高频模块。
【附图说明】
[0041]图1是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第I电路例的电路框图。
图2是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第2电路例的电路框图。
图3是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第3电路例的电路框图。
图4是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第4电路例的电路框图。
图5是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第5电路例的电路框图。
图6是表示图1至图5所示的高频模块的匹配元件的具体例的电路图。
图7是表示使匹配元件与电感器的电感性耦合的耦合度发生变化时的高频模块的通过特性的变化的曲线图。
图8是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
图9是表示使匹配电路与电感器的电感性耦合的耦合度发生变化时的高频模块的第2外部连接端子与第3外部连接端子之间的隔离度的变化的曲线图。
图10是表示高频模块的第I结构的主要结构的侧视示意图。
图11是表示高频模块的第I结构的变形例的主要结构的侧视示意图。
图12是表示高频模块的第2结构的主要结构的俯视示意图。
图13是表示高频模块的第3结构的主要结构的侧视示意图。
图14是表示高频模块的第4结构的主要结构的侧视示意图。
图15是表示高频模块的第4结构的主要结构的侧视示意图。
【具体实施方式】
[0042]参照附图，对本发明的实施方式所涉及的高频模块进行说明。图1是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第I电路例的电路框图。图2是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第2电路例的电路框图。图3是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第3电路例的电路框图。图4是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第4电路例的电路框图。图5是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第5电路例的电路框图。此外，图1?图5中，为便于观察附图，示出了电感性耦合或电容性耦合的代表例。图6(A)、图6(B)、图6(C)、图6(D)是表示第I外部连接端子侧的匹配电路的具体例的电路图。图6(E)、图6(F)、图6(G)、图6(H)是表示第2外部连接端子侧的匹配电路的具体例的电路图。
[0043]首先，对图1至图5所分别示出的高频模块11、12、13、14、15中共通的电路结构进行说明。
[0044]高频模块11、12、13、14、15具有第I外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及滤波部20。滤波部20连接在第I外部连接端子Pl与第2外部连接端子P2之间。
[0045]滤波部20具有第I连接端子P21、第2连接端子P22、以及第3连接端子P231、P232、P24。第I连接端子P21经由后述的串联连接型的匹配元件或并联连接型的匹配元件与第I夕卜部连接端子Pl相连接。第2连接端子P22经由后述的串联连接型的匹配元件或并联连接型的匹配元件与第2外部连接端子P2相连接。
[0046]第3连接端子P231经由电感器50与接地相连接。第3连接端子P232经由电感器51与接地相连接。第3连接端子P24经由电感器60与接地相连接。第3连接端子P24相当于本发明的“第3连接端子”，电感器60相当于本发明的“第2电感器”。
[0047]滤波部20具有多个SAW谐振器201、202、203、204、205、206、207、208 (以下，在汇总多个SAW谐振器来进行说明的情况下简单地称为多个SAW谐振器201-208。)。这些SAW谐振器相当于本发明的“第I滤波元件”。另外，滤波部20包括多个SAW谐振器211、212、213、214。SAW谐振器212及SAW谐振器213中的一方相当于本发明的“第2滤波元件”，另一方相当于本发明的“第3滤波元件”。
[0048]多个SAW谐振器201-208、211、212、213、214分别具有谐振频率，起到分别具有各自的带通特性的带通滤波器(BPF)的功能。多个SAW谐振器201-208利用多个连接线路串联连接在第I连接端子P21与第2连接端子P22之间。
[0049]SAW谐振器211连接在连接SAW谐振器202和SAW谐振器203的连接线路与第3连接端子P231之间。SAW谐振器214连接在连接SAW谐振器204和SAW谐振器205的连接线路与第3连接端子P232之间。
[0050]SAW谐振器212连接在连接SAW谐振器206和SAW谐振器207的连接线路与第3连接端子P24之间。SAW谐振器213连接在连接SAW谐振器208和第2连接端子P22的连接线路与第3连接端子P24之间。即，第3连接端子P24对SAW谐振器212、213而言是共通的端子，将这些SAW谐振器212、213的一端汇集起来连接到接地。
[0051]通过上述结构，滤波部20构成所谓梯形连接型滤波器，通过组合SAW谐振器201-208、211、212、213、214的带通特性及衰减特性，来实现作为滤波部20所希望实现的带通特性及通频带以外的衰减特性。此外，SAW谐振器的数量或配置可以适当地进行变更，以获得想要使得通过的信号的频带及在通频带以外的所希望的衰减特性。
[0052]在第I连接端子P21与第I外部连接端子Pl之间，连接有匹配元件41或匹配元件43，以实现连接到第I外部连接端子Pl侧的电路与滤波部20之间的阻抗匹配。
[0053]在第2连接端子P22与第2外部连接端子P2之间，连接有匹配元件42或匹配元件44，以实现连接到第2外部连接端子P2侧的电路与滤波部20之间的阻抗匹配。
[0054]但是，高频模块11、12、13、14、15不一定必须在第I外部连接端子Pl侧及第2外部连接端子P2侧这两侧具备匹配元件，也可以仅在第I外部连接端子Pl侧或第2外部连接端子P2侧的任意一侧具备匹配元件。
[0055]匹配元件41如图6(A)及图6(B)所示，例如是串联连接型的电感器41L或电容器41C。匹配元件43如图6(C)及图6(D)所示，例如是并联连接型的电感器43L或电容器43C。匹配元件42如图6(E)及图6(F)所示，例如是串联连接型的电感器42L或电容器42C。匹配元件44如图6(G)及图6(H)所示，例如是并联连接型的电感器44L或电容器44C。
[0056]第I电路例的高频模块11、第3电路例的高频模块13及第5电路例的高频模块15包括串联连接型的匹配元件41及串联连接型的匹配元件42。第2电路例的高频模块12包括串联连接型的匹配元件41及并联连接型的匹配元件44。第4电路例的高频模块14包括并联连接型的匹配元件43及并联连接型的匹配元件44。
[0057]对于上述这种高频模块11、12、13、14、15的共通电路结构，各高频模块具体由下面所示的电路结构构成。
[0058](第I电路例)
在图1所示的高频模块11中，滤波部20包括:第4连接端子P251，该第4连接端子P251与第I连接端子P21和SAW谐振器201之间的连接线路相连接；以及第5连接端子P252，该第5连接端子P252与SAW谐振器202和SAW谐振器203之间的连接线路相连接。
[0059]高频模块11在滤波部20的外部具备电感器70，该电感器70的一端与第4连接端子P251相连接，其另一端与第5连接端子P252相连接。即，电感器70经由第4连接端子P251和第5连接端子P252，与SAW谐振器201和SAW谐振器202的串联电路并联连接。电感器70相当于本发明的“第I电感器”。
[0060]在第I电路例的高频模块11中，若将高频信号从第I外部连接端子Pl或第2外部连接端子P2进行传输并将高频信号传输至电感器70及匹配元件42，则在电感器70与匹配元件42之间会发生电感性耦合或电容性耦合。具体而言，若匹配元件42是电感器42L，则在电感器70与电感器42L之间会发生电感性耦合。若匹配元件42是电容器42C，则在构成电感器70的导体与电容器42C之间会发生电容性耦合。以下，将包含在电感器70与匹配元件42之间发生电感性耦合或电容性耦合的路径的电路称为耦合电路，使耦合电路包含电感器70和匹配元件42。
[0061]从第I外部连接端子Pl或第2外部连接端子P2传输的高频信号并非仅用由串联连接的SAW谐振器201 — 208及电感器70所构成的主传输路径来进行传输，一部分也被传输至以耦合电路为传送路径的副传输路径。
[0062]由此，作为高频模块11，就具有了由主传输路径的传输特性和副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。
[0063]这里，通过调整耦合电路中的匹配元件42与电感器70的耦合方式及耦合度，能够调整在副传输路径中进彳丁传输的尚频?目号的振幅及相位。换目之，能够调整副传输路径的传输特性。传输特性是指例如衰减特性(振幅特性)、相位特性。
[0064]并且，通过调整该耦合方式及耦合度，能够获得下述效果:几乎不会给作为高频模块11而想要使得通过的高频信号(所希望的高频信号)的频带的传输特性带来影响，而能够仅对通频带以外的衰减特性带来由于设置了副传输路径而产生的影响。
[0065]于是，通过如上述那样调整副传输路径的传输特性，能够调整作为高频模块11的传输特性。例如，如后述那样，能够调整通频带以外的衰减特性。
[0066]此时，如现有结构那样，无需仅为了调整高频滤波器电路的传输特性而另外具备电感器、电容器，当然，也无需将这些电感器、电容器并联连接到由SAW滤波器组所构成的电路。因此，高频模块11能利用简单的结构来实现所希望的衰减特性。由此，高频模块11能形成地较小型。
[0067]另外，在匹配元件42为电感器42L的情况下，利用由上述耦合电路所得到的互感部分，能使电感器42L及电感器7 O的有效电感值增大。由此，还能进一步缩短电感器42L及电感器70的线路长度从而进一步使高频模块11实现小型化。
[0068](第2电路例)
接着，对图2所示的第2电路例的高频模块12进行说明。
[0069]高频模块12在上述耦合电路的方式不同这一点上与图1所示的第I电路例的高频模块11不同。
[0070]更具体而言，高频模块12在具备并联连接型的匹配元件44以取代串联连接型的匹配元件42这点、以及在电感器70与匹配元件44之间发生电感性耦合或电容性耦合从而构成耦合电路这点上，与高频模块11不同。
[0071]在这样的高频模块12的结构中，高频信号的一部分也由以耦合电路作为传输路径的副传输路径来进行传输。因此，在采用这种结构的高频模块12中，也与上述高频模块11同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
[0072](第3电路例)
接着，对图3所示的第3电路例的高频模块13进行说明。
[0073]高频模块13在电感器70的连接方式以及上述耦合电路的方式不同这一点上与图1所示的第I电路例的高频模块11不同。
[0074]在高频模块13中，滤波部20包括:第4连接端子P261，该第4连接端子P261与SAW谐振器206和SAW谐振器207之间的连接线路相连接；以及第5连接端子P262，该第5连接端子P262与SAW谐振器208和第2连接端子P22之间的连接线路相连接。
[0075]电感器70经由第4连接端子P261和第5连接端子P262，与SAW谐振器207和SAW谐振器208的串联电路并联连接。
[0076]在第3电路例的高频模块13中，在电感器70与匹配元件41之间发生电感性耦合或电容性耦合，从而构成耦合电路。在这样的高频模块13的结构中，高频信号的一部分也由以耦合电路作为传输路径的副传输路径来进行传输。因此，在采用这种结构的高频模块13中，也与上述高频模块11同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
[0077](第4电路例)
接着，对图4所示的第4电路例的高频模块14进行说明。
[0078]高频模块14在上述耦合电路的方式不同这一点上与图3所示的第3电路例的高频模块13不同。
[0079]更具体而言，高频模块13在具备并联连接型的匹配元件43以取代串联连接型的匹配元件41这点、以及在电感器70与匹配元件43之间发生电感性耦合或电容性耦合从而构成耦合电路这点上，与高频模块13不同。
[0080]在这样的高频模块14的结构中，高频信号的一部分也由以耦合电路作为传输路径的副传输路径来进行传输。因此，在采用这种结构的高频模块14中，也与上述高频模块13同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
[0081 ] 在以上第I?第4电路例中，并联连接电感器70的SAW谐振器是SAW谐振器201与SAW谐振器202的串联电路、或者SAW谐振器207与SAW谐振器208的串联电路，但只要是与构成耦合电路的匹配元件直接连接的SAW谐振器以外的SAW谐振器即可。
[0082]例如，在第I电路例及第2电路例中，电感器70并不局限于SAW谐振器201与SAW谐振器202的串联电路，也可以与SAW谐振器208以外的SAW谐振器201、202、203、204、205、206、207中的任意一个SAW谐振器并联连接。另外，在第I电路例及第2电路例中，电感器70也可以与SAW谐振器208以外的SAW谐振器201、202、203、204、205、206、207中的相邻的SAW谐振器的串联电路并联连接。
[0083]另外，在第3电路例及第4电路例中，电感器70并不局限于SAW谐振器207与SAW谐振器208的串联电路，也可以与SAW谐振器201以外的SAW谐振器202、203、204、205、206、207、208中的任意一个SAW谐振器并联连接。另外，在第3电路例及第4电路例中，电感器70也可以与SAW谐振器201以外的SAW谐振器202、203、204、205、206、207、208中的相邻的SAW谐振器的串联电路并联连接。
[0084](第5电路例)
接着，对图5所示的第5电路例的高频模块15进行说明。
[0085]高频模块15在耦合电路的方式上与图1所示的第I电路例的高频模块11不同。
[0086]更具体而言，在高频模块15中，在电感器70与电感器60之间发生电感性耦合从而构成耦合电路。
[0087]在这样的高频模块15的结构中，高频信号的一部分也由以耦合电路作为传输路径的副传输路径来进行传输。因此，在采用这种结构的高频模块15中，也与上述高频模块11同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
[0088]但是，在第5电路例中，可以通过在电感器70与电感器50之间发生电感性耦合来构成耦合电路，也可以通过在电感器70与电感器51之间发生电感性耦合来构成耦合电路。在电感器70与电感器50之间发生电感性耦合的情况下，SAW谐振器211相当于本发明的“第2滤波元件”。在电感器70与电感器51之间发生电感性耦合的情况下，SAW谐振器214相当于本发明的“第2滤波元件”。
[0089]另外，在第I?第5电路例中，在滤波部20的外部具备电感器70，但也可以在滤波部20的内部具备电感器70。
[0090]接着，对高频模块11、12、13、14、15的效果进行说明。图7是表示使匹配元件与电感器70的电感性耦合的耦合度变化时的高频模块的通过特性的变化的曲线图。图7的横轴表示频率，图7的纵轴表示从第I外部连接端子Pl向第2外部连接端子P2传输的信号的衰减量。图7所示点线的特性示出匹配元件与电感器70的电感性耦合较弱的情况。图7所示实线的特性示出电感性耦合比点线的特性要强的情况。图7所示虚线的特性示出电感性耦合比实线的特性要强的情况。此外，本实施方式中的高频模块是将800MHz频带设为通频带的带通滤波器。
[0091]如图7所示，电感性耦合越强，通频带的高频侧所出现的衰减极的频率越高。此外，所谓衰减极是指衰减量的峰值，所谓衰减极的频率是指衰减量成为峰值时的频率。
[0092]另外，在匹配元件为电感器的情况下，通过适当地设定电感性親合，能够使通频带的高频侧的衰减特性发生变化。例如，电感性耦合越弱，通频带附近的衰减量越小，但能够在衰减极的频率处获得较大的衰减量。另外，电感性耦合越强，在通频带附近能够获得更大的衰减量。
[0093]于是，如图7所示，通频带的中心频率位置、通频带的频率幅度及通频带的中心频率处的衰减量几乎没有变化，不会受到电感性耦合的强度的影响。
[0094]因此，使用本实施方式的结构，通过适当调整电感性耦合的耦合度，能够将频率比通频带要高的高频侧的衰减特性调整为所希望的特性，且不会使通频带的特性发生变化。换言之，能够实现具有所希望的通频带特性和衰减特性的高频模块。
[0095]此外，虽未图示，但是在匹配元件为电容器的情况下，构成电感器70的导体与电容器之间的电容性耦合越强，则出现在通频带的高频侧的衰减极的频率越低。于是，通频带的中心频率位置、通频带的频率幅度及通频带的中心频率处的衰减量几乎没有变化，不会受到电容性耦合的强度的影响。因此，使用本实施方式的结构，通过适当调整电容性耦合的耦合度，能够将高频侧的衰减特性调整为所希望的特性，且不会使通频带的特性发生变化。
[0096]作为具体的应用例，能够将由上述结构构成的高频模块利用于图8所示的双工器结构。图8是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
[0097]高频模块101包括滤波部21、第I外部连接端子Pl、第2外部连接端子P2及第3外部连接端子P31、P32。作为具体的应用例，第I外部连接端子Pl与天线相连接。第2外部连接端子P2与发送电路Tx相连接。第3外部连接端子P31、P32与接收电路Rx相连接。
[0098]滤波部21包括第I连接端子P21’、第2连接端子P22、第3连接端子P23、第3连接端子P24、第4连接端子P271、第5连接端子P272、以及第6连接端子P61、P62。
[0099]第6连接端子P61、P62与第3外部连接端子P31、P32相连接。第I连接端子P21’经由连接线路401与第I外部连接端子Pl相连接。在连接线路401与接地之间连接有对应于上述匹配元件的电感器43L。即，为了实现第I外部连接端子Pl所连接的天线与滤波部21之间的阻抗匹配而具备电感器43L。第2连接端子P22经由连接线路402与第2外部连接端子P2相连接。
[0100]在第I连接端子P21’与第2连接端子P22之间，利用多个连接线路串联连接有多个SAW 谐振器 201、202、203、204、205、206。
[0101]将SAW谐振器202与SAW谐振器203相连接的连接线路经由SAW谐振器211与第3连接端子P23相连接。第3连接端子P23经由电感器50与接地相连接。
[0102]将SAW谐振器204与SAW谐振器205相连接的连接线路经由SAW谐振器212与第3连接端子P24相连接。连接SAW谐振器206与第2连接端子P22的连接线路经由SAW谐振器213而与第3连接端子P24相连接。第3连接端子P24经由电感器60与接地相连接。
[0103]连接SAW谐振器204与SAW谐振器205的连接线路与第4连接端子P271相连接。SAW谐振器206与第2连接端子P22之间的连接线路与第5连接端子P272相连接。电感器70的一端与第4连接端子P271相连接，其另一端与第5连接端子P272相连接。由此，电感器70经由第4连接端子P271和第5连接端子P272，与由SAW谐振器205和SAW谐振器206所构成的串联电路并联连接。
[0104]根据该结构，滤波部21通过在第I连接端子P21’与第2连接端子P22之间对这些SAW谐振器201 — 206、211、212、213的带通特性和衰减特性进行组合，从而实现滤波部21的第I连接端子P21’与第2连接端子P22之间所希望的第I带通特性和第I通频带以外的第I衰减特性。
[0105]在第I连接端子P21’与第6连接端子P61、P62之间，串联连接有SAW谐振器221和纵向耦合型SAW谐振器231、232 JAW谐振器221及纵向耦合型SAW谐振器231、232构成第2滤波部22。根据该结构，滤波部21通过在第I连接端子P21’与第6连接端子P61、P62之间对这些SAW谐振器221、231、232的带通特性和衰减特性进行组合，从而实现滤波部21的第I连接端子P21’、第6连接端子P61、P62之间所希望的第2带通特性和第2通频带以外的第2衰减特性。第2通频带是不同于第I通频带的频带，第2通频带被设定为在第I通频带以外的衰减频带范围内。
[0106]由此，滤波部21起到将第I连接端子P21’作为公共端子、将第2连接端子P22及第6连接端子P61、P62分别作为独立端子的双工器的功能。
[0107]并且，在高频模块101中，使电感器70与电感器43L之间发生电感性耦合。通过调整该耦合度，能够调整第I衰减特性。
[0108]这里，若使用本实施方式的结构，则能够调整第I衰减特性中获得较大衰减量的频带的带宽及衰减量，使得与第2通频带重合。这通过调整电感器70与电感器43L的耦合度即可实现。
[0109]图9是表示使匹配元件与电感器70的电感性耦合的耦合度发生变化时的高频模块的第2外部连接端子P2与第3外部连接端子P31、P32之间的隔离度的变化的曲线图。图9的横轴表示频率，图9的纵轴表示隔离量。图9中示出以下情况:S卩，隔离量越低，第2连接端子P22、第6连接端子P61、P62之间具有越强的隔离度。图9所示点线的特性示出电感性耦合较弱的情况。图9所示实线的特性示出电感性耦合比点线的特性要强的情况。图9所示虚线的特性示出电感性耦合比实线的特性要强的情况。
[0110]如图9所示，电感性耦合越强，接收电路Rx(第6连接端子P61、P62侧)的通频带附近所出现的衰减极的频率越高。因此，通过调整电感性耦合，能够调整接收电路Rx的通频带的隔离量及隔离特性。另外，如图9所示，即使调整电感性耦合，发送电路Tx(第2外部连接端子P2侧)的通频带的隔离量及隔离特性也基本没有变化。
[0111]由此，通过使用高频模块101的结构，能够适当地对第2连接端子P22、第6连接端子P61、P62间的隔离特性进行调整。即，能够使发送电路Tx与接收电路Rx间的隔离特性最优化。
[0112]此外，虽未图示，但是在使用电容器43C代替电感器43L来作为匹配元件并使电容器43C与构成电感器70的导体进行电容性耦合的情况下，电容性耦合越强，出现在接收电路Rx的通频带附近的衰减极的频率越低。因此，通过调整电容性耦合，能够调整接收电路Rx(第6端子P61、P62侧)的通频带的隔离量及隔离特性。另外，即使调整电容性耦合，发送电路Tx的通频带的隔离量及隔离特性也基本没有变化。由此，通过对电容性耦合进行适当调整，也能够适当地对第2连接端子P22、第6连接端子P61、P62间的隔离特性进行调整。
[0113]采用以上结构的高频模块能通过如下所示的构造来实现。此外，下面示出了结构上实现由上述双工器结构构成的高频模块101的示例。
[0114](第I结构)
图10是表示高频模块的主要结构的侧视示意图。高频模块101包括层叠基板100、滤波器基板200、覆盖层290、侧面覆盖层291、以及安装型电路元件430。
[0115]层叠基板100通过层叠多个电介质层而形成。层叠基板100的顶面(安装面)100S及内层形成有规定图案的电极，并形成有除高频模块101的滤波部21以外的布线图案及电感器70。
[0116]电感器70由一部分被截断的管状的线状电极(线状导体)构成。该线状电极的一端经由通孔导体431V，连接至安装有成为滤波部21的第4连接端子P271的安装用电极294的连接盘电极。连接盘电极形成于层叠基板100的顶面100S。构成电感器70的线状电极的另一端经由未图示的通孔导体，连接至安装有成为滤波部21的第5连接端子P272的安装用电极294的连接盘电极。
[0117]在层叠基板100的底面100R上形成有未图示的外部连接用电极，利用这些外部连接用电极来实现上述第I外部连接端子Pl、第2外部连接端子P2、第3外部连接端子P31、P32。
[0118]滤波部21由滤波器基板200、覆盖层290、侧面覆盖层291、连接电极293及安装用电极294形成。
[0119]滤波器基板200由平板状的压电基板形成。滤波器基板200的第I主面上形成有滤波器电极、布线图案。滤波器电极例如由所谓的IDT电极构成。由此，通过在压电基板的主面上形成IDT电极，能够实现上述各SAW谐振器。在滤波器基板200的第I主面侧配置有平板状的覆盖层290。覆盖层290由平板状的绝缘性材料构成，在俯视下具有与滤波器基板200相同的形状。另外，将覆盖层290配置成在俯视下与滤波器基板200重合，且配置成与滤波器基板200的第I主面隔开规定距离的间隔。
[0120]在滤波器基板200的第I主面与覆盖层290之间配置有侧面覆盖层291。侧面覆盖层291也由绝缘性材料构成，在俯视下，该侧面覆盖层291仅形成在滤波器基板200和覆盖层290的整个外周的从外周端部朝向内侧的规定宽度的范围内。即，侧面覆盖层291是在中央具有开口的框状的结构。
[0121]通过如上述那样配置覆盖层290和侧面覆盖层291，从而利用滤波器基板200、覆盖层290、以及侧面覆盖层291使滤波器基板200的第I主面的形成有滤波器电极的区域配置在密闭空间292内。由此，能够使SAW谐振器的谐振特性提高，能够精确地实现作为滤波器所希望的特性。
[0122]连接电极293构成为一端连接至滤波器基板200的第I主面，另一端从覆盖层290的与滤波器基板200侧相反一侧的面露出的形状。此时，形成连接电极293，使得贯穿侧面覆盖层291及覆盖层290。连接电极293的一端连接至形成于滤波器基板200的第I主面的布线图案。
[0123]安装用电极294连接至连接电极293的另一端，且形成为从覆盖层290的与滤波器基板200侧相反一侧的面突出的形状。设置多组该连接电极293和安装用电极294的组，由此来实现上述滤波部21的第1连接端子?21’、第2连接端子?22、第3连接端子?23、？24、第4连接端子P271、第5连接端子P272、以及第6连接端子P61、P62。此外，在连接电极293的另一端形成使用了焊料、Au等的凸点，可经由该凸点与安装用电极294相连接。[Ο124] 通过采用上述结构，滤波部21具有所谓的WLP(Wafer Level Package:晶圆级封装)的结构，能够使滤波部21形成地较小型。
[0125]于是，该WLP结构的滤波部21被安装在层叠基板100的顶面100S。由此，滤波部21与第I外部连接端子Pl、第2外部连接端子P2、以及第3外部连接端子P31、P32相连接。
[0126]电感器43L利用安装型电路元件430来实现。具体而言，安装型电路元件430具备由绝缘性材料构成的长方体形状的框体，在该框体的内部形成有成为电感器43L的螺旋电极。螺旋电极由沿着框体外周伸长且一部分被截断的管状的线状电极和层间连接电极来实现。各层的线状电极通过层间连接电极来连接成为一根线状电极。螺旋电极的两端与框体的相对的两端面上所形成的外部连接电极相连接。
[0127]由上述结构构成的安装型电路元件430安装于层叠基板100的顶面100S，使得螺旋电极的中心轴与顶面100S正交。这里，滤波部21的第I连接端子P21’与第I外部连接端子Pl的连接线路形成在层叠基板100的顶面100S及内部，接地电极形成在层叠基板100的内部。于是，该连接线路及接地电极与安装型电路元件430的安装用连接盘相连接。由此，能实现电感器43L连接在滤波部21的第I连接端子P21’与第I外部连接端子Pl的连接线路与接地之间的结构。
[0128]另外，也可以利用形成于层叠基板100的顶面100S的线状电极来实现电感器43L。
[0129]于是，实现电感器43L的安装型电路元件430与构成电感器70的线状电极接近配置。由此，如图10的粗虚线箭头所示那样，能够在由安装型电路元件430的螺旋电极构成的电感器43L和由层叠基板100内的线状电极构成的电感器70之间产生电感性耦合。通过采用这种结构，能够实现无需另外设置用于调整衰减特性的元件并具有所希望的衰减特性的高频模块101。
[0130]此时，通过改变构成电感器70的线状电极与构成电感器43L的螺旋电极之间的距离，能够调整电感器43L与电感器70之间的耦合度。由此，能够调整高频模块101的衰减特性，能够更为精确地实现所希望的衰减特性。
[0131]此外，如图11所示，电感器70也可形成于覆盖层290，而非形成在层叠基板100内。电感器70由一部分被截断的管状的线状电极构成。于是，实现电感器43L的安装型电路元件430与构成电感器70的线状电极接近配置。由此，与上述相同地，在电感器43L与电感器70之间，如图10的粗虚线箭头所示的那样，能够产生电感性耦合。
[0132](第2结构)
图12是表不尚频_旲块的主要结构的俯视不意图。尚频t旲块10IA包括滤波部21、层置基板100及安装型电路元件430、700。
[0133]层叠基板100的顶面(安装面)上安装有滤波部21及安装型电路元件430、700。
[0134]在第2结构中，滤波部21具有由第I结构所表示的WLP结构。安装型电路元件430具有与第I结构所示的结构相同的结构。即，安装型电路元件430具备由绝缘性材料所构成的长方体形状的框体，在该框体的内部形成有成为电感器43L的螺旋电极。安装型电路元件700具备由绝缘性材料所构成的长方体形状的框体，在该框体的内部形成有成为电感器70的螺旋电极。其它结构与安装型电路元件430相同。
[0135]滤波部21以及安装型电路元件430、700通过形成于层叠基板100的顶面以及内层的布线图案而相连接，以实现图8的电路结构。
[0136]配置安装型电路元件430、700，使得安装型电路元件430的长边侧面与安装型电路元件700的长边侧面接近并相对。由此，如图12的粗虚线箭头所示那样，能够在由安装型电路元件430的螺旋电极构成的电感器43L与由安装型电路元件700的螺旋电极构成的电感器70之间产生电感性耦合。此时，通过调整安装型电路元件430与安装型电路元件700之间的距离、以及安装型电路元件430、700的朝向等，能够调整电感器43L与电感器70之间的耦合度。由此，能够调整高频模块1lA的衰减特性，能够更为精确地实现所希望的衰减特性。
[0137]此外，在图12中，示出了配置成安装型电路元件430的长边侧面与安装型电路元件700的长边侧面相对的示例。然而，也可以配置为使得安装型电路元件430的短边侧面(形成外部连接电极的端面)与安装型电路元件700的长边侧面相对。但是，通过配置为使得安装型电路元件430的长边侧面与安装型电路元件700的长边侧面相对，能够更为简单地实现更强的电感性耦合。
[0138]另外，在图12中，示出了以螺旋电极的中心轴与层叠基板100的顶面正交的方式来安装安装型电路元件430、700的示例，但也可以将安装型电路元件430、700安装成使得螺旋电极的中心轴与层叠基板100的顶面平行。
[0139](第3结构)
图13是表示高频模块的主要结构的侧视示意图。图13所示的高频模块1lB通过所谓的CSP(Chip Sized Package:芯片尺寸封装)结构来实现。
[0140]高频模块1lB具备滤波器基板200。在滤波器基板200的第I主面上如上述那样形成有实现滤波部21的滤波器电极、布线图案。
[0141]高频模块1lB还具备滤波器安装用基板280。滤波器安装用基板280例如由氧化铝基板形成，俯视时的面积比滤波器基板200大规定量。滤波器安装用基板280形成有规定图案的电极。
[0142]滤波器基板200通过凸点导体281安装于滤波器安装用基板280的顶面(安装面)280S，以使得滤波器基板200的第I主面成为滤波器安装用基板280—侧。另外，在滤波器安装用基板280的顶面280S上安装有构成电感器43L的安装型电路元件430。在滤波器安装用基板280的底面280R上形成有构成电感器70的线状电极及外部连接用凸点导体282。
[0143]滤波器安装用基板280的顶面280S上涂布有树脂层283。但是，不在IDT电极上涂布树脂层283，而使IDT电极的一部分形成为中空结构。由此，能够防止滤波器电极及布线图案曝露于外部环境，能够提高SAW谐振器的谐振特性，能够精确地实现作为滤波器所希望的特性。
[0144]这里，构成电感器43L的螺旋电极与构成电感器70的线状电极配置为在俯视下有至少一部分相重合。由此，如图13所示，能够使电感器43L与电感器70之间产生电感性耦合。尤其是，在本实施方式的结构中，由于能够缩短构成电感器43L的螺旋电极与构成电感器70的线状电极之间的间隔(距离)，因此，能够容易地实现更强的电感性耦合。
[0145]此外，由于高频模块1lB整体为CSP结构，因此，能够小型且薄型地实现高频模块1lB0
[0146]在上述示例中，为了与天线进行匹配而设置的电感器43L由安装于层叠基板100的顶面100S的安装型电路元件430来实现，但也可以如下述那样来实现。
[0147](第4结构) 图14是表示高频模块的主要结构的侧视示意图。图15是表示高频模块的主要结构的俯视不意图。图14及图15所不的尚频t旲块1IC的主要结构与图10所不的尚频_旲块101的主要结构的不同点在于，电感器43L在层叠基板100的内部来实现，以及电感器70的布线图案不同。但是，图15是从滤波部21—侧对层叠基板100进行观察的图，为了进行说明，省略了内部接地图案的记载。
[0148]电感器43L如图14和图15所示，通过在层叠基板100内部形成线状电极来实现。实现电感器43L的线状电极的一端经由通孔导体433V与安装有成为第I串联连接端子P21’的安装用电极294的连接盘电极相连接。实现电感器43L的线状电极的另一端经由通孔导体434V与形成在层叠基板100内部的内部接地图案相连接。
[0149]实现电感器43L的线状电极如图14所示，形成在与实现电感器70的线状电极不同的层。如图15的俯视图所示，实现电感器43L的线状电极与实现电感器70的线状电极分别配置成沿一部分重叠。由此，使得电感器43L与电感器70靠近配置。
[0150]图14和图15所示的高频模块1lC通过在层叠基板100内部使电感器43L与电感器70靠近配置，从而在电感器43L与电感器70之间产生较强的电感性耦合。并且，图14和图15所示的高频模块1lC由于在层叠基板100内部实现电感器43L，因此与图10所示的高频模块101相比，安装面积得以减小，实现了小型化。并且，由于电感器43L与电感器70在层叠基板100的层叠方向上重叠，因此安装面积进一步缩小。
[0151]此外，实现电感器43L的线状电极和实现电感器70的线状电极如图14和图15所示，配置成在耦合部上的高频信号的传输方向相反。传输方向在进行电感性耦合的耦合部上相反，从而电感器70的有效电感值变高。由此，实现电感器70的线状电极得以缩短，能进一步实现高频模块1IC的小型化。
[0152]此外，在上述各实现结构中，示出了使用电感器来作为匹配元件的示例，但在匹配元件为电容器的情况下，也能够通过相同的结构来实现。例如，可以使用安装型的层叠电容器元件来代替具有螺旋电极的安装型电路元件430。
[0153]另外，匹配元件与电感器之间的SAW谐振器越多，越能够增大它们之间的耦合对衰减特性能造成的影响。例如在为第I结构(参照图10)的情况下，若构成电感器70的线状电极与安装型电路元件430之间的位置关系相同，则介于该线状电极与该安装型电路元件430之间的SAW谐振器较多的匹配元件与电感器之间的耦合越强，越能够增大对衰减特性造成的影响。此外，匹配元件41、42、43、44并不局限于一个元件，也可以是多个电感器、多个电容器、或者组合电感器和电容器而成的多个元件所构成的复合电路。
[0154]另外，上述的滤波部20是所谓的梯形连接型滤波器，但该滤波部20例如也可以是纵向耦合谐振器滤波器。在该情况下，通过对上述的匹配元件与电感器之间的电感性耦合或电容性耦合进行调整，也能够实现具有所希望的衰减特性的高频模块。
[0155]另外，本发明也能应用于使用了所谓的裸芯片型的滤波部的高频模块。
标号说明
[0156]11、12、13、14、15 高频模块 20、21滤波部
22第2滤波部 41、42、43、44匹配元件41C、42C、43C、44C 电容器41L、42L、43L、44L 电感器50、51、60、70 电感器100层叠基板100R底面100S顶面
101、101A、1lB 高频模块200滤波器基板
201、202、203、204、205、206、207、208 SAW谐振器
211、212、213、214 SAW谐振器
221、231、232 SAW谐振器
280滤波器安装用基板
280R底面
280S顶面
281凸点导体
282外部连接用凸点导体
283树脂层
290覆盖层
291侧面覆盖层
292密闭空间
293连接电极
294安装用电极
401、402连接线路
402连接线路
430、700安装型电路元件
43IV通孔导体
【主权项】
1.一种高频模块，包括: 第I外部连接端子； 第2外部连接端子； 滤波部，该滤波部连接在所述第I外部连接端子与所述第2外部连接端子之间；以及匹配元件，该匹配元件连接在所述第I外部连接端子和所述第2外部连接端子的至少其中一方与所述滤波部之间，所述高频模块的特征在于， 所述滤波部包括: 第I连接端子，该第I连接端子与所述第I外部连接端子相连接； 第2连接端子，该第2连接端子与所述第2外部连接端子相连接；以及多个第I滤波元件，该多个第I滤波元件串联连接在所述第I连接端子与所述第2连接端子之间， 所述高频模块包括第I电感器，该第I电感器经由所述第I连接端子或所述第2连接端子，与除与所述匹配元件相连接的第I滤波元件以外的第I滤波元件进行并联连接， 所述第I电感器与所述匹配元件进行电感性耦合或电容性耦合。2.—种高频模块，包括: 第I外部连接端子； 第2外部连接端子； 滤波部，该滤波部连接在所述第I外部连接端子与所述第2外部连接端子之间；以及匹配元件，该匹配元件连接在所述第I外部连接端子和所述第2外部连接端子的至少其中一方与所述滤波部之间，所述高频模块的特征在于， 所述滤波部包括: 第I连接端子，该第I连接端子与所述第I外部连接端子相连接； 第2连接端子，该第2连接端子与所述第2外部连接端子相连接； 第3连接端子，该第3连接端子与接地相连接； 多个第I滤波元件，该多个第I滤波元件串联连接在所述第I连接端子与所述第2连接端子之间；以及 第2滤波元件，该第2滤波元件的一端与将所述第I连接端子与所述第I滤波元件相连接的连接线路、将所述第2连接端子与所述第I滤波元件相连接的连接线路、或将互相相邻的所述第I滤波元件相连接的连接线路相连接，其另一端与第3连接端子相连接， 所述高频模块包括: 第I电感器，该第I电感器与所述第I滤波元件并联连接；以及 第2电感器，该第2电感器连接在所述第3连接端子与接地之间， 所述第I电感器与所述第2电感器进行电感性耦合。3.如权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于， 所述滤波部包括: 第4连接端子；以及 第5连接端子， 所述第I电感器也可以经由所述第4连接端子和所述第5连接端子，与所述第I滤波元件进行并联连接。4.如权利要求1至3的任一项所述的高频模块，其特征在于， 由所述第I电感器所形成的电感性耦合或电容性耦合使所述滤波部的通频带以外的阻抗发生变化。5.如权利要求1至4的任一项所述的高频模块，其特征在于， 由所述第I电感器所形成的电感性耦合或电容性耦合使所述滤波部的通频带以外的衰减极频率发生变化。6.如权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件是串联连接型的匹配元件，该串联连接型的匹配元件串联连接在所述第I外部连接端子与所述第I连接端子之间，或者串联连接在所述第2外部连接端子与所述第2连接端子之间。7.如权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件是并联连接型的匹配元件，该并联连接型的匹配元件连接在将所述第I外部连接端子与所述第I连接端子相连接的连接线路与接地之间，或者连接在将所述第2外部连接端子与所述第2连接端子相连接的连接线路与接地之间。8.如权利要求2所述的高频模块，其特征在于，包括: 第3滤波元件，该第3滤波元件的一端连接到与所述第2滤波元件的一端所连接的连接线路不同的连接线路，其另一端连接到所述第3连接端子。9.如权利要求1至8的任一项所述的高频模块，其特征在于， 所述滤波部包括第6连接端子和第2滤波部， 所述第2滤波部连接在所述第6连接端子与连接所述第I连接端子和所述第I滤波元件的连接线路之间，或者连接在所述第6连接端子与连接所述第2连接端子和所述第I滤波元件的连接线路之间。10.如权利要求1至9的任一项所述的高频模块，其特征在于，包括: 滤波器基板，该滤波器基板呈平板状，其第I主面上形成有构成所述滤波部的IDT电极； 覆盖层，该覆盖层呈平板状，与所述滤波器基板的所述第I主面隔开间隔而相对； 连接电极，该连接电极从所述第I主面突出，呈贯穿所述覆盖层的形状；以及 层叠基板，该层叠基板上安装或形成有所述第I电感器， 所述滤波器基板配置成使得所述第I主面侧朝向所述层叠基板的安装面， 所述滤波器基板经由所述连接电极而与所述层叠基板相连接。11.如权利要求10所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件由安装于所述层叠基板的安装面的安装型电路元件构成， 所述第I电感器安装或形成于所述层叠基板的安装面或内部， 所述安装型电路元件与所述第I电感器靠近配置。12.如权利要求10所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件由安装于所述层叠基板的安装面的安装型电路元件构成， 所述第I电感器形成于所述覆盖层的内部， 所述安装型电路元件与所述第I电感器靠近配置。13.如权利要求11或12所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件包括: 框体，该框体呈长方体形状；以及 螺旋导体，该螺旋导体形成于所述框体内，在俯视下由大致长方形的外周形状构成， 所述匹配元件配置成使得所述框体的长边与所述第I电感器靠近。14.如权利要求1至9的任一项所述的高频模块，其特征在于，包括: 滤波器基板，该滤波器基板呈平板状，其第I主面形成有构成所述滤波部的IDT电极；以及 滤波器安装用基板，该滤波器安装用基板呈平板状，配置在所述滤波器基板的所述第I主面侧，并安装有所述滤波器基板的所述第I主面侧， 所述匹配元件安装或形成于所述滤波器安装用基板的安装面。15.如权利要求10所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配元件是与天线并联连接的匹配用电感器， 所述匹配用电感器以及所述第I电感器以相互靠近的方式形成于所述层叠基板的内部。16.如权利要求15所述的高频模块，其特征在于， 所述匹配用电感器和所述第I电感器是分别形成于所述层叠基板的彼此不同的层的线状电极， 构成所述匹配用电感器的线状电极具有从所述层叠基板的层叠方向观察时与构成所述第I电感器的线状电极重叠的部分， 在所述重叠的部分上，构成所述匹配用电感器的线状电极与构成所述第I电感器的线状电极的高频信号的传输方向相反。
【文档编号】H03H9/64GK105900337SQ201480072775
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2014年10月15日
【发明人】竹内壮央, 川崎幸郎, 川崎幸一郎, 小中阳平
【申请人】株式会社村田制作所