一种汽车低功耗起振电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于起振电路技术领域，尤其涉及一种汽车低功耗起振电路。
【背景技术】
[0002]石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件，由于石英晶体具有非常高的品质因数，因此石英晶体振荡器能够产生频率准确而稳定的振荡波形，而广泛用于对振荡频率要求较高的钟表、军工、通信等领域。
[0003]当振荡器电路满足小信号的起振条件，在电源上电的时候，由于电路中的噪声干扰作用，即开始有瞬变电流的产生，这个瞬变电流所包含的频带极宽，因此，传统的起振电路稳定性差。
【发明内容】
[0004]本实用新型提供一种汽车低功耗起振电路，以解决上述【背景技术】中传统的起振电路稳定性差的问题。
[0005]本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:本实用新型提供一种低功耗起振电路，其特征在于:包括输入端J1、输出端J2、起振电路、抗干扰电路，所述起振电路包括晶振Y1、电容Cl、电容C2、滑动变阻器R1、场效应管Q2、电阻R3，所述晶振Yl的一端接电容Cl的一端、滑动变阻器Rl的引脚1、场效应管Q2的G极，另一端接滑动变阻器Rl的引脚2、电容C2的一端、场效应管Ql的G极，所述电容Cl的另一端接场效应管Q2的D极、电容C2的另一端、电阻R3的一端且接地，所述电阻R3的另一端接场效应管Ql的S极，
[0006]所述抗干扰电路包括三极管Q3、三极管Q4、电阻R4、电容C3、电阻R2，所述输入端Jl接电阻R2的一端、场效应管Q2的S极，所述电阻R2的另一端接三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的基极接电阻R4的一端、电容C3的一端、三极管Q4的集电极，其发射极接电阻R4的另一端、三极管Q4的基极、滑动变阻器Rl的引脚3，所述三极管Q4的集电极接电容C3的另一端、场效应管Ql的D极、输出端J2。
[0007]所述三极管Q3选用NPN三极管。
[0008]所述三极管Q4选用NPN三极管。
[0009]所述场效应管Q2的MOS管。
[0010]本实用新型的有益效果为:
[0011]I本专利的通过两个晶体三极管的设计来保护起振电路，通过三极管导通截止特性，有效防止了由于电源抖动而对电路工作造成的不稳定。
[0012]2本专利采用两个场效应管的设计，来降低电路设计的复杂性，简化电路，使其体积小，易集成，便于大范围实用。
[0013]3本专利采用三极管Q3、三极管Q4、电阻R4、电容C3，组建抗干扰电路，提高电路的抗干扰能力，大大降低电路功耗。
[0014]4本专利采用三极管Q4的发射极和基极并联电阻R4两端的设计，解决电阻R4过大时，会增加直流电压的损失，而当C4值过大时，还会使体积和重量增大的问题。
【附图说明】
[0015]图1是本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0016]以下结合附图对本实用新型做进一步描述:
[0017]实施例:
[0018]本实施例包括:输入端J1、输出端J2、起振电路、抗干扰电路，如图1所示。
[0019]起振电路包括晶振Y1、电容Cl、电容C2、滑动变阻器R1、场效应管Q2、电阻R3，晶振Yl的一端接电容Cl的一端、滑动变阻器Rl的引脚1、场效应管Q2的G极，另一端接滑动变阻器Rl的引脚2、电容C2的一端、场效应管Ql的G极，电容Cl的另一端接场效应管Q2的D极、电容C2的另一端、电阻R3的一端且接地，电阻R3的另一端接场效应管Ql的S极。
[0020]抗干扰电路包括三极管Q3、三极管Q4、电阻R4、电容C3、电阻R2，输入端Jl接电阻R2的一端、场效应管Q2的S极，电阻R2的另一端接三极管Q3的集电极，三极管Q3的基极接电阻R4的一端、电容C3的一端、三极管Q4的集电极，其发射极接电阻R4的另一端、三极管Q4的基极、滑动变阻器Rl的引脚3，三极管Q4的集电极接电容C3的另一端、场效应管Ql的D极、输出端J2。
[0021]利用本实用新型所述的技术方案，或本领域的技术人员在本实用新型技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种汽车低功耗起振电路，其特征在于:包括输入端J1、输出端J2、起振电路、抗干扰电路，所述起振电路包括晶振Yl、电容Cl、电容C2、滑动变阻器R1、场效应管Q2、电阻R3，所述晶振Yl的一端接电容Cl的一端、滑动变阻器Rl的引脚1、场效应管Q2的G极，另一端接滑动变阻器Rl的引脚2、电容C2的一端、场效应管Ql的G极，所述电容Cl的另一端接场效应管Q2的D极、电容C2的另一端、电阻R3的一端且接地，所述电阻R3的另一端接场效应管Ql的S极，所述抗干扰电路包括三极管Q3、三极管Q4、电阻R4、电容C3、电阻R2，所述输入端Jl接电阻R2的一端、场效应管Q2的S极，所述电阻R2的另一端接三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的基极接电阻R4的一端、电容C3的一端、三极管Q4的集电极，其发射极接电阻R4的另一端、三极管Q4的基极、滑动变阻器Rl的引脚3，所述三极管Q4的集电极接电容C3的另一端、场效应管Ql的D极、输出端J2。
2.根据权利要求1所述的一种汽车低功耗起振电路，其特征在于:所述三极管Q3选用NPN三极管。
3.根据权利要求1所述的一种汽车低功耗起振电路，其特征在于:所述三极管Q4选用NPN三极管。
4.根据权利要求1所述的一种汽车低功耗起振电路，其特征在于:所述场效应管Q2的MOS 管。
【专利摘要】本实用新型属于起振电路技术领域，尤其涉及一种汽车低功耗起振电路，包括输入端J1、输出端J2、起振电路、抗干扰电路，所述起振电路包括晶振Y1、滑动变阻器R1、场效应管Q2、电阻R3，所述晶振Y1的一端接电容C1的一端、滑动变阻器R1的引脚1、场效应管Q2的G极，所述电容C1的另一端接场效应管Q2的D极且接地，所述电阻R3的另一端接场效应管Q1的S极，所述抗干扰电路包括三极管Q3、三极管Q4，所述输入端J1接电阻R2的一端，所述三极管Q3的基极接电阻R4的一端、电容C3的一端、三极管Q4的集电极，所述三极管Q4的集电极接电容C3的另一端、场效应管Q1的D极、输出端J2。
【IPC分类】H03B5-06
【公开号】CN204376832
【申请号】CN201420843468
【发明人】穆德霞
【申请人】天津铭发科技有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年12月26日