Pcb微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于焊接设备领域，尤其涉及一种用于PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置。
【背景技术】
[0002]PCB，中文名称为印制电路板，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的提供者。
[0003]在PCB的制作过程中需要用到一种PCB微钻，目前，业界生产PCB微钻主要步骤主要为送料，焊接，冷却，抗折，在焊接过程中如不对焊接后的钻针半成品进行冷却，易造成抗折工序抗折后同心度不良和焊接的脱焊报废，现有的冷却过程采用自然冷却、风冷设备冷却和水冷设备冷却，自然冷却的冷却过程太久，影响生产效率，采用风冷设备和水冷设备冷却不仅冷却设备较为昂贵，而且冷却过程较为剧烈，在PCB微钻内部形成应力，降低了 PCB微钻的使用寿命。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足而发明的一种用于PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置。
[0005]本实用新型是这样实现的:一种PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置，其特征在于:包括基体和散热机构，所述的基体上设置有贯穿基体的沟槽，沟槽周围的基体上设置有未贯穿基体的散热沟槽，基体上设置有安装螺孔，所述的散热机构为鳍片式散热片和散热管，鳍片式散热片设置在沟槽上方的基体上，散热管设置在散热沟槽内。
[0006]所述的基体为长方体，基体上有长方体缺口，所述的沟槽和散热沟槽均与基体的长边平行，所述的散热片设置在基体上的长方体缺口内。
[0007]所述的基体材质为硬质合金。
[0008]所述的鳍片式散热片和散热管与基体之间设置有导热硅胶。
[0009]本实用新型中的PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置结构简单，生产成本低，而且，通过基体与散热管及鳍片式散热片的组合，实现无需风冷和水冷装置，即可降低半成品温度，并且降温过程温和，不会再PCB微钻内部形成应力，冷却充分，降低了抗折前由于冷却时间不足导致的同心度不良及抗断现象，PCB微钻的冷却时间由原有的单支9秒降低的6.5秒，生产效率提升28%。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型组装后的主视图。
[0011]图2为本实用新型组装后的左视图。
[0012]图3为本实用新型组装后的俯视图。
[0013]图4为本实用新型中基体的结构示意图。
[0014]图5为本实用新型中鳍片式散热片的结构示意图。
[0015]图6为本实用新型中散热管的结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]如图1、图2、图3、图4、图5和图6所示，一种PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置，包括基体I和散热机构，所述的基体I材质为硬质合金，基体I为长方体，基体I上有长方体缺口，基体I上设置有贯穿基体的沟槽2，沟槽2与基体I的长边平行，沟槽2下方的基体I上设置有未贯穿整个基体I的散热沟槽3，散热沟槽3与沟槽2相互平行，基体I上设置有安装螺孔4，所述的散热机构为鳍片式散热片5和装有制冷液体的散热管6，鳍片式散热片5通过螺丝设置在沟槽2上方的基体I上，散热管6设置在散热沟槽3内，散热管6的两端未与任何设备相连接，所述的鳍片式散热片5和散热管6与基体I之间设置有导热硅胶。
【主权项】
1.一种PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置，其特征在于:包括基体和散热机构，所述的基体上设置有贯穿基体的沟槽，沟槽周围的基体上设置有未贯穿基体的散热沟槽，基体上设置有安装螺孔，所述的散热机构为鳍片式散热片和散热管，鳍片式散热片设置在沟槽上方的基体上，散热管设置在散热沟槽内。
2.根据权利要求1所述的PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置，其特征在于:所述的基体为长方体，基体上有长方体缺口，所述的沟槽和散热沟槽均与基体的长边平行，所述的散热片设置在基体上的长方体缺口内。
3.根据权利要求1所述的PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置，其特征在于:所述的基体材质为硬质合金。
4.根据权利要求1所述的PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置，其特征在于:所述的鳍片式散热片和散热管与基体之间设置有导热硅胶。
【专利摘要】本实用新型属于焊接设备领域，尤其涉及一种用于PCB微钻焊接半成品抗折机构的辅助冷却装置，包括基体和散热机构，所述的基体上设置有贯穿基体的沟槽，沟槽周围的基体上设置有散热沟槽，基体上设置有安装螺孔，所述的散热机构为鳍片式散热片和散热管，鳍片式散热片设置在沟槽上方的基体上，散热管设置在散热沟槽内，本装置结构简单，生产成本低、降温过程温和、不会再PCB微钻内部形成应力，冷却充分、降低了抗折前由于冷却时间不足导致的同心度不良及抗断现象，生产效率高。
【IPC分类】H05K3-34
【公开号】CN204408767
【申请号】CN201520019714
【发明人】王俊锋, 王雪峰, 王晓峰
【申请人】新野鼎泰电子精工科技有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2015年1月13日