一种小功率去频闪电源的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种照明设备，尤其涉及一种LED驱动电源。
【背景技术】
[0002]LED灯具有卓越的能效和较长寿命，发光可塑性强，替代传统照明已成一种趋势；但在普及过程中，LED灯具有卓越的能效和较长寿命，但传统的白炽灯、荧光灯及LED灯具普遍都有存在频闪现象，给人的眼睛造成伤害；在当下追求高功率因数，减少对电网的污染前提下，造成了加剧LED频闪现象。往往没有频闪的电源功率因素又很低，谐波严重，造成对其它用电设备的干扰，无法正常工作；往往需要添加抑制频闪IC控制电路，但成本相对较高。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是为了解决现有技术问题，提供一种小功率去频闪的电源。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供一种小功率去频闪电源包括前端部分和副边保护部分，前端部分包括IC供电部分、电源MOS管峰值脉冲吸收回路、MOS管栅极驱动部分、电路稳定部分、输出电流控制部分，副边保护部分通过贴片电阻R19、电解电容C9构成MOS管驱动回路，当原边MOS管断开时，D5 SF36导通，副边电容C9通过R19充电荷，充电时间通过调节R19大小控制，当C7电荷电压值达到Q2的驱动阀值，Q2导通，输出电压供给负载，通过C7的提前滤除纹波电压/电流，然后在开启Q2的二次整流再送到后级滤波电路域负载。
[0005]相对于现有技术，本实用新型能防止纹波电压/电流第一时间流入LED负载产生频闪，大大减少了输出纹波值，也节省成本。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型实施例小功率去频闪电源前端部分的电路图。
[0007]图2为本实用新型实施例小功率去频闪电源副边保护部分的电路图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图及实例，对本实用新型做进一步说明。
[0009]图1所示前端部分的电路图，其为典型的单级PFC反激拓扑电路，该拓扑省略了输入大容量的电解电容器，采用小容量CBB电容，不仅减少了电源体积，且减小了电流与电压的相位夹角，从而不需要增加一级有源PFC校正电路模块，成本可以得到很好的控制，也可以轻松得到很高的功率因数(>0.9)，大大减少灯具谐波对电网的污染，提高电网电压利用率，但该种方式由于桥堆后面无较大的储能电容，导致输出端产生100HZ的交流纹波，所以LED发光呈现水纹状的涟漪，长时间可以导致人眼受到伤害，由于手机的摄像头的拍摄频率恰好是100HZ。故可以使用手机判断发光情况。
[0010]前端围绕控制IC阐述:1.1C供电部分通过变压器辅助绕组4、6PIN脚，经过R6、D2、C3构成整流滤波后接到IC供电7PIN脚，R5与R4电阻构成电路开机上电瞬间给控制芯片提供续流器件；2.电源MOS管峰值脉冲吸收回路，防止MOS管过压损坏:通过Dl RSlM快速恢复管，R17、R16、R15三颗并联电阻为消耗C6存储漏感尖峰能量，通过调节C6与之并联的电阻值，结合实际的测试进行波形优化折中改变MOS管VDS尖峰幅度实现全电压可靠性工作。3.MOS管栅极驱动部分:为IC第一脚D3 1N4148续流二极体，R9的电阻值的选取值大小直接影响电路的EMI与驱动带载能力。4.该IC为原边反馈保护控制，通过电阻R7与R8的串联分压，采样辅助绕组电压的动态情况，如果电压波动芯片通过改变占空比控制MOS的开通与关断时间，来达到电路的稳定。5.输出电流控制电阻R14、R13、R12、Rll,通过改变MOS管源极对地电阻值来调节输出负载电流值，需注意的是观察该电阻对地波形斜率，防止变压器过功率饱和。
[0011]图2所示为副边保护部分。由于原边整流桥后面未使用大容值的电解电容，故较大的交流纹波成分耦合到副边，如果副边未去水纹波电路与足够多的电解电容并联滤除纹波噪声，整灯点亮后就会出现频闪，本实用新型在输出快恢复二极管后级使用了 Q2低压MOS管，使用低压大电流MOS管具备较低的RDSon以满足较高的效率值，具体工作原理:通过贴片电阻R19、电解电容C9构成MOS管驱动回路，当原边MOS管断开时，D5 SF36导通，副边电容C9通过R19充电荷，充电时间通过调节R19大小控制，当C7电荷电压值达到Q2的驱动阀值，Q2导通，输出电压供给负载，通过C7的提前滤除纹波电压/电流，然后在开启Q2的二次整流再送到后级滤波电路域负载，这样的目的防止纹波电压/电流第一时间流入LED负载产生频闪，大大减少了输出纹波值，也节省成本。
[0012]本实用新型兼容市场大多数小功率LED，具备成本低廉易实现，
[0013]有无抑制水纹波电压电源板可以共用，如果用户不需要直接可以将该部分短路即可。如果需要使用即使用低压大电流MOS管具备较低的RDSon以满足较高的效率值，具体工作原理:通过贴片电阻R19、电解电容C9构成MOS管驱动回路，当原边MOS管断开时，D5SF36导通，副边电容C9通过R19充电荷，充电时间通过调节R19大小控制，当C7电荷电压值达到Q2的驱动阀值，Q2导通，输出电压供给负载，通过C7的提前滤除纹波电压/电流，然后在开启Q2的二次整流再送到后级滤波电路域负载，这样的目的防止纹波电压/电流第一时间流入LED负载产生频闪。
[0014]上述仅为本实用新型的较佳实施例，当然，根据实际需要和进一步的探索还可以有其它实施方式。但是，应该明确的是，基于类似上述的或者其它没有表述出的具有相同构思的实施方式的变换，均应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种小功率去频闪电源，其特征在于，包括前端部分和副边保护部分，前端部分包括IC供电部分、电源MOS管峰值脉冲吸收回路、MOS管栅极驱动部分、电路稳定部分、输出电流控制部分，副边保护部分通过贴片电阻R19、电解电容C9构成MOS管驱动回路，当原边MOS管断开时，二极管D5 SF36导通，副边电容C9通过电阻R19充电荷，充电时间通过调节电阻R19大小控制，当电容C7电荷电压值达到低压MOS管Q2的驱动阀值，低压MOS管Q2导通，输出电压供给负载，通过电容C7的提前滤除纹波电压/电流，然后在开启低压MOS管Q2的二次整流再送到后级滤波电路域负载。
2.根据权利要求1所述的小功率去频闪电源，其特征在于，IC供电部分通过变压器辅助绕组4、6PIN脚，经过电阻R6、二极管D2、电容C3构成整流滤波后接到IC供电7PIN脚，电阻R5与电阻R4构成电路开机上电瞬间给控制芯片提供续流器件。
3.根据权利要求1所述的小功率去频闪电源，其特征在于，电源MOS管峰值脉冲吸收回路通过Dl RSlM快速恢复管，R17、R16、R15三颗并联电阻为消耗电容C6存储漏感尖峰能量，通过调节电容C6与之并联的电阻值，结合实际的测试进行波形优化折中改变MOS管VDS尖峰幅度实现全电压可靠性工作。
4.根据权利要求1所述的小功率去频闪电源，其特征在于，MOS管栅极驱动部分为IC第一脚D3 1N4148续流二极体。
5.根据权利要求1所述的小功率去频闪电源，其特征在于，电路稳定部分为:IC为原边反馈保护控制，通过电阻R7与R8的串联分压，采样辅助绕组电压的动态情况，如果电压波动，芯片通过改变占空比控制MOS的开通与关断时间，来达到电路的稳定。
6.根据权利要求1所述的小功率去频闪电源，其特征在于，输出电流控制部分包括电阻R14、R13、R12、R11，通过改变MOS管源极对地电阻值来调节输出负载电流值。
【专利摘要】本实用新型公开了一种小功率去频闪电源，包括前端部分和副边保护部分，前端部分包括IC供电部分、电源MOS管峰值脉冲吸收回路、MOS管栅极驱动部分、电路稳定部分、输出电流控制部分，副边保护部分通过贴片电阻R19、电解电容C9构成MOS管驱动回路，当原边MOS管断开时，D5 SF36导通，副边电容C9通过R19充电荷，充电时间通过调节R19大小控制，当C7电荷电压值达到Q2的驱动阀值，Q2导通，输出电压供给负载，通过C7的提前滤除纹波电压/电流，然后在开启Q2的二次整流再送到后级滤波电路域负载。相对于现有技术，本实用新型能防止纹波电压/电流第一时间流入LED负载产生频闪，大大减少了输出纹波值，也节省成本。
【IPC分类】H05B37-02
【公开号】CN204518150
【申请号】CN201520160631
【发明人】张昆明
【申请人】广州众恒光电科技有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年3月20日