Ups推挽式mos管驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种UPS推挽式MOS管驱动电路。
【背景技术】
[0002]普通MOS驱动电路，没有抗干扰及防误触发电路，不能适用于高频、大电流、大磁场/电场干扰环境。
【发明内容】
[0003]本实用新型提供了一种抗干扰能力好、防止误触发的UPS推挽式MOS管驱动电路。
[0004]本实用新型采用的技术方案是:
[0005]UPS推挽式MOS管驱动电路，其特征在于:包括倒相的输入端和输出端、实现倒相的第一 PNP型三极管、迅速导通用的第一 NPN型三极管、大电流的功率驱动电路，所述第一PNP型三极管的发射极与供电电压连接，其上连接有一分压电路；所述功率驱动电路包括第二 NPN三极管和第二 PNP型三极管，所述第二 NPN三极管的集电极与供电电压连接，其发射极与第二 PNP型三极管的发射极连接并与输出端连接，所述第二 NPN三极管的基极与第二 PNP型三极管的基极连接并分别与第一 PNP型三极管的集电极、第一 NPN型三极管的集电极连接，所述第二PNP型三极管的集电极接地；所述第一 NPN型三极管的基极与发射极之间并接有第四电阻，其发射极同时接地，所述第一 NPN型三极管的基极与抗干扰的稳压二极管的阳极连接，所述稳压二极管的阴极分别与输入端、第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与供电电压连接。本实用新型通过第一 PNP型三极管来完成倒相；通过稳压二极管来提高抗干扰能力；通过第一 NPN型三极管当输入端为高电平或者输入悬空时，迅速导通，控制输出端为低电平；通过第二 NPN三极管和第二 PNP三极管组成的大电流的功率驱动电路，使MOS管迅速开通及关断，使驱动电路能工作于高频、大电流、大磁场/电场干扰环境。
[0006]进一步，还包括一防止第一 PNP型三极管误触发导通的二极管，所述二极管的阳极与第三电阻上与稳压二极管连接的一端连接，其阴极与输入端连接。二极管的作用是当输入端为高电平时，禁止电流流经分压电路，造成第一 PNP三极管误触发导通。
[0007]进一步，所述分压电路包括串接的第一电阻和第二电阻，第一电阻并接在第一 PNP型三极管的发射极和基极上，所述第二电阻的一端与第一 PNP型三极管的基极连接，其另一端与二极管的阴极连接。第一 PNP型三极管上增加的分压电路，只有当驱动电流即信号强度足够大的时候，电阻上的分压超过导通电压，第一 PNP型三极管导通，输出高电平；干扰信号由于信号强度不够，未能驱动第一 PNP型三极管导通，驱动电路输出低电平。
[0008]本实用新型的有益效果是:可以让充电器在更恶劣条件下，温度上升至保护临界点后，不会频繁开关，而是待温度下降到设定值时才恢复，不会致使充电器性能下降以及降低元器件的寿命。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合具体实施例来对本实用新型进行进一步说明，但并不将本实用新型局限于这些【具体实施方式】。本领域技术人员应该认识到，本实用新型涵盖了权利要求书范围内所可能包括的所有备选方案、改进方案和等效方案。
[0011]参照图1，UPS推挽式MOS管驱动电路，包括倒相的输入端In和输出端Out、实现倒相的第一 PNP型三极管Ql、迅速导通用的第一 NPN型三极管Q2、大电流的功率驱动电路，所述第一 PNP型三极管Ql的发射极与供电电压VCC连接，其上连接有一分压电路；所述功率驱动电路包括第二 NPN三极管Q3和第二 PNP型三极管Q4，所述第二 NPN三极管Q3的集电极与供电电压VCC连接，其发射极与第二 PNP型三极管Q4的发射极连接并与输出端Out连接，所述第二 NPN三极管Q3的基极与第二 PNP型三极管Q4的基极连接并分别与第一 PNP型三极管Ql的集电极、第一 NPN型三极管Q2的集电极连接，所述第二 PNP型三极管Q4的集电极接地；所述第一 NPN型三极管Q2的基极与发射极之间并接有第四电阻R4，其发射极同时接地，所述第一 NPN型三极管Q2的基极与抗干扰的稳压二极管ZDl的阳极连接，所述稳压二极管ZDl的阴极分别与输入端In、第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端与供电电压VCC连接。本实用新型通过第一 PNP型三极管Ql来完成倒相；通过稳压二极管ZDl来提高抗干扰能力；通过第一 NPN型三极管Q2当输入端In为高电平或者输入悬空时，迅速导通，控制输出端Out为低电平；通过第二 NPN三极管Q3和第二 PNP三极管Q4组成的大电流的功率驱动电路，使MOS管迅速开通及关断，使驱动电路能工作于高频、大电流、大磁场/电场干扰环境。
[0012]本实施例还包括一防止第一 PNP型三极管Ql误触发导通的二极管Dl，所述二极管Dl的阳极与第三电阻R3上与稳压二极管ZDl连接的一端连接，其阴极与输入端In连接。二极管Dl的作用是当输入端In为高电平时，禁止电流流经分压电路，造成第一 PNP三极管Ql误触发导通。
[0013]本实施例所述分压电路包括串接的第一电阻Rl和第二电阻R2，第一电阻Rl并接在第一 PNP型三极管Ql的发射极和基极上，所述第二电阻R2的一端与第一 PNP型三极管Ql的基极连接，其另一端与二极管Dl的阴极连接。第一 PNP型三极管Ql上增加的分压电路，只有当驱动电流即信号强度足够大的时候，电阻上的分压超过导通电压，第一 PNP型三极管Ql导通，输出高电平；干扰信号由于信号强度不够，未能驱动第一 PNP型三极管Ql导通，驱动电路输出低电平。
[0014]本实施例输入端In、输出端Out为倒相关系。由第一 PNP型三极管Ql来完成倒相，设供电电压VCC电压为U，则电阻选用有以下要求U*R1/(R1+R2) >0.7 (伏)。
[0015]本实施例增加了一个稳压二极管ZD1，其作用是提高抗干扰能力。设稳压二极管ZDl的稳压值是Uz,则其选用有以下要求，(U-UZ) *R4/ (R3+R4) >0.7 (伏)。
[0016]本实用新型的工作原理如下:
[0017]A.输入端In为高电平时，第一电阻R1、第二电阻R2上无电流，未产生分压，第一PNP三极管Ql未导通；同时，供电电压VCC经第三电阻R3、稳压二极管ZD1、第四电阻R4，在第四电阻R4上产生分压，第一 NPN三极管Q2导通，第二 NPN三极管Q3、第二 PNP三极管Q4基极低电位，输出端Out为低电平。
[0018]B.输入端In信号低电平时，第一 PNP三极管Ql基极有电流，导通，第二 NPN三极管Q3、第二 PNP三极管Q4基极高电平，由第二 NPN三极管Q3输出端Out为高电平；同时，由于输入端In为低电平，供电电压VCC经由第三电阻R3、二极管DI后，钳位为低电平，第一NPN三极管Q2未导通。
【主权项】
1.UPS推挽式MOS管驱动电路，其特征在于:包括倒相的输入端和输出端、实现倒相的第一 PNP型三极管、迅速导通用的第一 NPN型三极管、大电流的功率驱动电路，所述第一 PNP型三极管的发射极与供电电压连接，其上连接有一分压电路；所述功率驱动电路包括第二NPN三极管和第二 PNP型三极管，所述第二 NPN三极管的集电极与供电电压连接，其发射极与第二 PNP型三极管的发射极连接并与输出端连接，所述第二 NPN三极管的基极与第二 PNP型三极管的基极连接并分别与第一 PNP型三极管的集电极、第一 NPN型三极管的集电极连接，所述第二PNP型三极管的集电极接地；所述第一NPN型三极管的基极与发射极之间并接有第四电阻，其发射极同时接地，所述第一 NPN型三极管的基极与抗干扰的稳压二极管的阳极连接，所述稳压二极管的阴极分别与输入端、第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与供电电压连接。2.如权利要求1所述的UPS推挽式MOS管驱动电路，其特征在于:还包括一防止第一PNP型三极管误触发导通的二极管，所述二极管的阳极与第三电阻上与稳压二极管连接的一端连接，其阴极与输入端连接。3.如权利要求2所述的UPS推挽式MOS管驱动电路，其特征在于:所述分压电路包括串接的第一电阻和第二电阻，第一电阻并接在第一 PNP型三极管的发射极和基极上，所述第二电阻的一端与第一 PNP型三极管的基极连接，其另一端与二极管的阴极连接。
【专利摘要】UPS推挽式MOS管驱动电路，包括第一PNP型三极管，所述第一PNP型三极管的发射极与供电电压连接；所述功率驱动电路包括第二NPN三极管和第二PNP型三极管，所述第二NPN三极管的集电极与供电电压连接，其发射极与第二PNP型三极管的发射极连接并与输出端连接，所述第二NPN三极管的基极与第二PNP型三极管的基极连接并分别与第一PNP型三极管的集电极、第一NPN型三极管的集电极连接；所述第一NPN型三极管的基极与发射极之间并接有第四电阻，所述第一NPN型三极管的基极与抗干扰的稳压二极管的阳极连接，所述稳压二极管的阴极分别与输入端、第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与供电电压连接。
【IPC分类】H03K17/687
【公开号】CN204836115
【申请号】CN201520645552
【发明人】陈志金, 刘 文, 黄新发, 韦健, 丁宝光
【申请人】深圳市商宇电子科技有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年8月25日