在所述可控硅11与所述功率转换电路13之间，所述可控硅11与所述功率转换电路13连接，所述功率转换电路13可以是反激、正激等起到功率转换的装置。所述可控硅11与所述功率转换电路13之间设置有电压采样点A，当可控硅11接入时，由于斩波的原因必然有电压突变点，通过检测这个突变点来保护电路。具体的原理和技术效果与前述实施例类似，在此不再赘述。
[0051]图6为本实用新型照明设备的实施例的原理示意图，如图6所示，该照明设备包括:图5所示的调光电路以及与所述调光电路连接的照明器件14。具体的原理和技术效果与前述实施例类似，在此不再赘述。
[0052]图7为本实用新型中可控硅电压保护电路的应用方法实施例的流程图，如图7所示，该可控硅电压保护方法，应用于上述任一实施例所述的可控硅电压保护电路，所述可控硅电压保护电路包括可控硅检测电路和保护电路；所述可控硅检测电路的第一端与电压采样点连接；所述电压采样点设置在可控硅调节器与功率转换电路的连接线路上，所述可控硅检测电路的第二端与所述保护电路的第一端连接；所述保护电路的第二端与功率转换电路连接；该方法的具体步骤包括:
[0053]SlOl:在可控硅与功率转换电路之间设置电压采样点。
[0054]S102:所述可控硅检测电路获取所述电压采样点的电压，并对所述电压采样点的电压进行峰值处理。
[0055]S103:所述保护电路对峰值处理后的所述电压采样点的电压与参考电压进行比较，若峰值处理后的所述电压采样点的电压大于参考电压值，则控制功率转换电路停止功率转换，否则控制所述功率转换电路启动功率转换。
[0056]本实施例提供的可控硅电压保护方法，应用于上述图1至图6任一其中的可控硅电压保护电路。图8a为本实用新型可控硅电压保护方法应用实例一的原理示意图，如图8a所示提供了一种可控硅检测电路121的实例，可控硅检测电路121包括突变电源检测电路124、电流电压转换电路125以及峰值电压采样电路126，所述可控硅11与所述功率转换电路13之间设有电压采样点A，通过所述突变电压检测电路124采样A点的电压，根据突变的电压会产生很大的电流的原理，把这个电流信号通过电流电压转换电路125转变为电压信号，然后再通过峰值电压采样电路126输出电压信号Vctrl至保护电路122。所述保护电路122则通过检测可控硅检测电路121输入的电压信号Vctrl来控制功率转换电路13的打开或关闭。图Sb是图8a中A点的电压波形检测图，横轴表示时间t，纵轴表示电压值V。
[0057]图Sc为本实用新型可控硅电压保护方法应用实例二的原理示意图，参考图Sc，作为本实用新型可控硅检测电路121的另一实施例，所述可控硅11与所述功率转换电路13之间还连接有整流桥123，让可控硅11输出的电压先通过整流桥123，然后再让A点的电压信号通过突变电压检测电路124，通过突变电压检测电路124采样A点的电压，根据突变的电压会产生很大的电流的原理，输出电流信号至电流电压转换电路125，通过电流电压转换电路125转变为电压信号，然后再通过峰值电压采样电路126输出电压信号Vctrl至保护电路122。所述保护电路122则通过检测可控硅检测电路121输入的电压信号Vctrl来控制功率转换电路13的打开或关闭。图Sd是图Sc中A点的电压波形检测图，横轴表示时间t，纵轴表示电压值V。
[0058]本实施例提供的可控硅电压保护方法，应用于上述的可控硅电压保护电路中，基于电压微分检测技术检测突变点的电压，通过各模块逻辑控制关系，可实现保护功率转换电路后接的负载和可控硅不被破坏，具体的原理与前述实施例类似，在此不再赘述。
[0059]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种可控硅电压保护电路，其特征在于，包括:可控硅检测电路和保护电路；所述可控硅检测电路的第一端与电压采样点连接；所述电压采样点设置在可控硅调节器与功率转换电路的连接线路上，所述可控硅检测电路的第二端与所述保护电路的第一端连接；所述保护电路的第二端与功率转换电路连接； 所述可控硅检测电路用于在可控硅接入时，检测电压采样点的电压并输出到所述保护电路；所述保护电路用于根据所述电压采样点的电压控制所述功率转换电路的启动或关闭。2.根据权利要求1所述的可控硅电压保护电路，其特征在于，所述可控硅电压保护电路还包括:整流电路，所述整流电路连接在所述电压采样点与所述可控硅调节器之间，用于将可控过调节器输出的电流进行整流再输出到所述电压采样点。3.根据权利要求1或2所述的可控硅电压保护电路，其特征在于，所述可控硅检测电路包括:突变电压检测电路、电流电压转换电路和峰值电压采样电路；所述突变电压检测电路的第一端与所述电压检测点连接，所述突变电压检测电路的第二端与所述电流电压转换电路的第一端连接；所述电流电压转换电路的第二端与所述峰值电压采样电路的第一端连接；所述峰值电压采样电路的第二端与所述保护电路的第一端连接； 所述突变电压检测电路用于在可控硅接入时，检测所述电压采样点的突变电压产生的电流信号；所述电流电压转换电路用于将突变电压产生的电流信号转换为电压信号，并将所述电压信号通过所述峰值电压采样电路输出到所述保护电路。4.根据权利要求3所述的可控硅电压保护电路，其特征在于，所述保护电路包括电压采样电路和迟滞比较器，所述电压采样电路的第一端与所述峰值电压采样电路的第二端连接，所述电压采样电路的第二端与所述迟滞比较器的第一输入端连接；所述迟滞比较器的第二输入端用于输入参考电压；所述迟滞比较器的输出端与所述功率转换电路连接；所述电压采样电路用于根据所述峰值电压采样电路输出的电压信号获取输出电压，所述迟滞比较器用于将所述输出电压与参考电压进行比较； 若所述迟滞比较器比较出所述输出电压大于参考电压，则输出低电平关闭所述功率转换电路；若所述迟滞比较器比较出所述输出电压小于参考电压，则输出高电平启动所述功率转换电路。5.根据权利要求3所述的可控硅电压保护电路，其特征在于，所述突变电压检测电路包括第一电容，用于在可控硅接入时，检测所述电压采样点的突变电压产生的电流信号。6.根据权利要求3所述的可控硅电压保护电路，其特征在于，所述电流电压转换电路包括并联连接的第一电阻和第一二极管。7.根据权利要求6所述的可控硅电压保护电路，其特征在于，所述峰值电压采样电路包括第二电阻、第二电容和第二二极管；所述第二电阻和所述第二电容并联连接，所述第二二极管的输出端与所述第二电阻和所述第二电容并联组成的电路的一端串联连接； 所述第二二极管的输入端与所述第一电阻和所述第一二极管并联组成的电路的第一端串联连接；所述第一电阻和所述第一二极管并联组成的电路的第一端为所述第一二极管输出的一端。8.一种调光电路，其特征在于，包括:供电电路、可控硅调光器、功率转换电路和权利要求I至7任一项所述的可控硅电压保护电路；所述供电电路与所述可控硅调节器的一端连接，所述可控硅调光器的另一端分别与所述可控硅电压保护电路的一端和所述功率转换电路的第一输入端连接；所述可控硅电压保护电路的另一端与所述功率转换电路的第二输入端连接；所述可控硅调光器包括可控硅。9.一种照明设备，其特征在于，包括:权利要求8所述的调光电路以及与所述调光电路连接的照明器件。
【专利摘要】本实用新型提供一种可控硅电压保护电路、调光电路及照明设备，该可控硅电压保护电路包括：可控硅检测电路和保护电路；可控硅检测电路的第一端与可控硅调节器连接，可控硅检测电路的第二端与保护电路的第一端连接；保护电路的第二端与功率转换电路连接；可控硅检测电路与可控硅调节器的连接线路上设置有电压采样点；可控硅检测电路用于在可控硅接入时，检测电压采样点的电压并输出到保护电路；保护电路用于根据电压采样点的电压控制功率转换电路的启动或关闭。通过在可控硅调节器与功率转换电路之间设置控硅电压保护电路，检测突变电压，通过逻辑控制功率转换器的开关，保护负载和可控硅不会被突变的电压破坏。
【IPC分类】H05B37/02
【公开号】CN204906777
【申请号】CN201520497877
【发明人】王中华, 田智斌, 楼俊山, 孙超群, 沈锦祥
【申请人】浙江生辉照明有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年7月8日