通过采用氮化镓MOSFET作为功率单元，在高频工作状态下，干扰、损耗较小及开关速度较快，有效提高该LED驱动器的工作效率。
[0023]图2为本实用新型LED驱动器应用于降压斩波电路的原理示意图，如图2所示，将上述图1所示LED驱动器，应用在BUCK电路中，该电路中包括电源AC、电容C1、C2、电感L1以及D组成的供电电路，以及由电阻Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7和电容C3、C4，电感L2，二极管D1以及LED驱动器组成的斩波电路、以及多个LED负载组成完整的LED灯。在图2中的1C中，S代表源极Source，D代表漏极Drain。
[0024]图3为本实用新型LED驱动器应用于降压-升压双向斩波电路的原理示意图，如图3所示，将上述图1所示LED驱动器，应用在BUCK BOOST电路中，该电路与图2的原理类似，包括供电电路、斩波电路以及多个LED负载组成完整的LED灯。在图3中的1C中，S代表源极Source，D代表漏极Drain。
[0025]图4为本实用新型LED驱动器应用于升压斩波电路的原理示意图，如图4所示，将上述图1所示LED驱动器，应用在BUCK BOOST电路中，该电路与图2的原理类似，包括供电电路、斩波电路以及多个LED负载组成完整的LED灯。在图4中的1C中，S代表源极Source, D 代表漏极 Drain。
[0026]图5为本实用新型LED驱动器应用于反激式直流转换电路的原理示意图，如图5所示，将上述图1所示LED驱动器，应用在FLYBACK电路中，该电路与图2的原理类似，包括供电电路、斩波电路以及多个LED负载组成完整的LED灯。在图5中的1C中，S代表源极Source, D 代表漏极 Drain。
[0027]图6为本实用新型LED驱动器应用于另一种反激式直流转换电路的原理示意图，如图6所示，将上述图1所示LED驱动器，应用在具有DC-DC转换的FLYBACK电路中，该电路与图2的原理类似，包括供电电路、斩波电路以及多个LED负载组成完整的LED灯。在图6中的1C中，S代表源极Source，D代表漏极Drain。
[0028]该LED驱动器电路可应用在如图2所示的BUCK电路、如图3所示的BUCK BOOST电路、如图4所示的BOOST电路、如图5和图6所示的FLYBACK电路、SEPIC电路、FORWARD电路或HALFBRIDGE电路。以上所述LED驱动器电路可以根据LED驱动器1C所采用的控制单元和氮化镓MOSFET的类型，根据实际应用来选择或做变形。
[0029]综上所述，本实用新型提供的LED驱动器可以应用于降压斩波电路、升压斩波电路、降压-升压双向斩波电路、反激式直流转换电路、允许输出电压大于、小于或者等于输入电压的直流转换SEPIC电路、正激式直流转换电路或者半桥电路。
[0030]本实用新型采用氮化镓M0SFET作为功率单元，在高频工作状态下，干扰、损耗及开关速度远优于采用传统的硅高压M0SFET，同时可以减少周边器件的体积，例如电感和变压器，电容等，从而减小LED驱动器的体积，并且氮化镓M0SFET配合的控制单元产生的高频开关信号优化处理和集成封装使控制环路面积最小化，减少寄生电感。
[0031]图7为本实用新型LED灯的结构示意图，如图7所示，该种LED灯包括:供电电路10、驱动电路20和至少一个发光二极管(Light Emitting D1de，LED) 30 ;所述供电电路10与所述驱动电路20的输入端连接；所述驱动电路20的输出端与所述至少一个LED 30连接；其中，所述驱动电路20包括图1所示的LED驱动器。
[0032]本实施例提供的LED灯，采用本实用新型中的氮化镓M0SFET作为功率单元，在高频工作状态下，干扰、损耗及开关速度远优于采用传统的硅高压M0SFET，同时可以减少周边器件的体积，例如电感和变压器，电容等，氮化镓M0SFET配合的控制单元产生的高频开关信号优化处理和集成封装使控制环路面积最小化，减少寄生电感。
[0033]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种LED驱动器，其特征在于，包括:控制单元和功率单元；所述控制单元与所述功率单元采用电气连接；所述功率单元采用氮化镓场效应管晶片；所述控制单元用于产生最小工作频率大于250K赫兹的控制信号；所述功率单元用于在所述控制单元的控制下将输入的交流电压转换成LED所需的直流电压。2.根据权利要求1所述的LED驱动器，其特征在于，所述LED驱动器还包括:封装基板或者载片台；所述控制单元和所述氮化镓场效应管晶片固定在所述封装基板或者所述载片台上；所述控制单元和所述氮化镓场效应管晶片需要外接的电气点分别与所述封装基板或者所述载片台的引脚连接，并由塑封材料将所述控制单元和所述氮化镓场效应管晶片在所述封装基板或者所述载片台进行封装。3.根据权利要求1或2所述的LED驱动器，其特征在于，所述电气点包括所述氮化镓场效应管晶片的栅极、源极和漏极；所述氮化镓场效应管晶片的栅极与所述控制单元输出控制信号的端口连接；所述氮化镓场效应管晶片的源极与接地；所述氮化镓场效应管晶片的漏极与待驱动的所述LED的正极连接。4.根据权利要求3所述的LED驱动器，其特征在于，所述LED驱动器应用于降压斩波电路、升压斩波电路、降压-升压双向斩波电路、反激式直流转换电路、允许输出电压大于、小于或者等于输入电压的直流转换SEPIC电路、正激式直流转换电路或者半桥电路。5.一种LED灯，其特征在于，包括:供电电路、驱动电路和至少一个发光二极管LED ;所述供电电路与所述驱动电路的输入端连接；所述驱动电路的输出端与所述至少一个LED连接; 其中，所述驱动电路包括权利要求1至4任一项所述的LED驱动器。
【专利摘要】本实用新型提供一种LED驱动器和LED灯，包括：控制单元和功率单元；所述控制单元与所述功率单元采用电气连接；所述功率单元采用氮化镓场效应管晶片；所述控制单元用于产生最小工作频率大于250K赫兹的控制信号；所述功率单元用于在所述控制单元的控制下将输入的交流电压转换成LED所需的直流电压。通过采用氮化镓MOSFET作为功率单元，配合控制单元产生的高频开关信号，减少寄生电感，并且该氮化镓MOSFET的干扰和损耗较小，开关速度较快，有效提高该LED驱动器的工作效率。
【IPC分类】H05B37/02
【公开号】CN205029932
【申请号】CN201520771208
【发明人】万叶华, 沈锦祥
【申请人】生迪智慧科技有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年9月30日