全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关的制作方法

文档序号:10372459阅读:956来源:国知局
全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子开关,是一种用于住宅小区等场所照明自动控制的红外线感应开关。
【背景技术】
[0002]目前,普遍使用的用于照明自动控制的二线制红外线感应开关,其功率开关控制器件采用微触发可控硅;这种开关接通时在交流电的每半个周期内,其功率开关控制器件都要有瞬间截止以从可控硅阳极和阴极两端获得其自身工作所需的直流电压;这种开关接大于100瓦的负载时,开关接通后可控硅的壳体温度会很快变高,可控硅触发灵敏度也随着提高,可控硅导通角增大,进而引起其自身工作所需的直流电压下降,当其自身工作所需的直流电压降低到一定程度时这种开关就不能正常工作;这种开关接通状态自身交流压降必须设计为较高以便给其自身工作所需的直流电压留出较大的可下降幅度,外接负载得到的电压波形失真较大,接节能灯、LED灯等灯具时,灯具容易损坏;这种开关接功率大于70瓦的感性负载时,接通后不能正常关闭。

【发明内容】

[0003]本实用新型针对上述问题,提供一种全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关。
[0004]实现上述目的的技术方案是:一种全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关包括功率开关电路、电源电路、红外线信号处理电路、触发辅助关闭电路;功率开关电路与电源电路连接,电源电路与红外线信号处理电路和触发辅助关闭电路连接,红外线信号处理电路与触发辅助关闭电路连接,触发辅助关闭电路与功率开关电路连接;触发辅助关闭电路中设置有反相器和MOS场效应管,该反相器输入端接红外线信号处理电路中的开关控制信号输出端,该反相器输出端接MOS场效应管栅极,该MOS场效应管漏极接功率开关电路中的可控硅控制极,该MOS场效应管源极接功率开关电路中的可控硅阴极和电源电路地。
[0005]本实用新型的有益效果是:一种全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关,可以控制白炽灯、节能灯、LED灯、使用电感镇流器的日光灯、使用电子镇流器的环形荧光灯等各种灯具和排风扇,其处于接通状态时,自身交流压降可以低于3V,负载得到的电压波形失真小,节能灯、LED灯等灯具不容易损坏;其处于关闭状态时,消耗电流小,LED灯和节能灯不闪。
【附图说明】
[0006]图1是本全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关的电路方框图;
[0007]图2是本全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关实施例1的电路原理图;
[0008]图3是本全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关实施例2的电路原理图;
[0009]图4是本全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关实施例3的电路原理图。
【具体实施方式】
[0010]如附图1,一种全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关包括功率开关电路、电源电路、红外线信号处理电路、触发辅助关闭电路;功率开关电路与电源电路连接,电源电路与红外线信号处理电路和触发辅助关闭电路连接,红外线信号处理电路与触发辅助关闭电路连接,触发辅助关闭电路与功率开关电路连接。
[0011]实施例1:如附图2,所述功率开关电路包括第一接线柱Jl、第二接线柱J2、电阻R25、二极管Dl、二极管D2、二极管D3、二极管D4和可控硅Ql;电阻R25为保险电阻,可控硅Ql为微触发单向可控硅;二极管Dl、二极管D2、二极管D3、二极管D4接成全波桥式整流电路,第一接线柱Jl接电阻R25—端,电阻R25另一端接所述全波桥式整流电路交流输入一端,第二接线柱J2接所述全波桥式整流电路交流输入另一端;可控硅Ql阳极接所述全波桥式整流电路输出端正极,可控硅Ql阴极接所述全波桥式整流电路输出端负极和电源电路地。
[0012]所述电源电路包括电容C9、电容C10、电容C11、电阻R22、电阻R23、电阻R24、二极管D5、二极管D6、稳压二极管D7和低功耗三端稳压集成块U2;低功耗三端稳压集成块U2的第3脚为电压输入端,低功耗三端稳压集成块U2的第2脚为电压输出端;电容C9一端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极,电容C9另一端接电阻R24—端,电阻R24另一端接二极管D5正极,二极管D5负极接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚,二极管D6负极接二极管D5正极,二极管D6正极接电源电路地;电阻R22—端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极,电阻R22另一端接电阻R23—端,电阻R23另一端接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚;稳压二极管D7负极接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚,稳压二极管D7正极接电源电路地;电容ClO—端接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚,电容ClO另一端接电源电路地;低功耗三端稳压集成块U2第I脚接电源电路地;电容Cll一端接低功耗三端稳压集成块U2第2脚,电容Cll另一端接电源电路地。
[0013]所述红外线信号处理电路包括红外线传感信号处理集成块U1、热释电红外线传感器U3、电阻Rl?R16、电容Cl?C8、2*5排针JPl和跳线冒Wl?W5 ;红外线传感信号处理集成块Ul的型号是BISS0001,红外线传感信号处理集成块Ul第2脚为开关控制信号输出端;红外线传感信号处理集成块Ul也可以采用其它类似功能的红外线传感信号处理集成块;电阻RlO是光敏电阻,用于检测环境光变化;跳线冒Wl?W3用于设置延时时间,跳线冒W4?W5用于设置感光度;这部分的设计主要采用了集成电路厂家推荐的设计方案,不再详细叙述。
[0014]所述触发辅助关闭电路包括二极管D8、电阻Rl 7、电阻Rl 8、电阻Rl 9、电阻R20、电阻R21、NPN型三极管Q2、NPN型三极管Q3、M0S型场效应管Q4和电容C12; 二极管D8为肖特基二极管;二极管D8、电阻R17、电阻R18、电阻R19和三极管Q3构成反相器兼电压取样放大器,二极管D8负极接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚,二极管D8正极接三极管Q3基极,电阻R17—端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚,电阻R17另一端接三极管Q3基极,电阻R18—端接三极管Q3基极,电阻R18另一端接电源电路地;电阻R19—端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚,电阻R19另一端接三极管Q3集电极,三极管Q3发射极接电源电路地;场效应管Q4栅极接三极管Q3集电极,场效应管Q4漏极接所述功率开关电路中的可控硅Ql控制极,场效应管Q4源极接所述功率开关电路中的可控硅Ql阴极和电源电路地;电阻R20—端接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚,电阻R20另一端接三极管Q2基极,三极管Q2发射极接所述功率开关电路中的可控硅Ql控制极,三极管Q2集电极接电阻R21—端,电阻R21另一端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极;电容Cl2—端接三极管Q2发射极,电容Cl2另一端接电源电路地;红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚为高电平时,二极管D8反向截止,三极管Q3、电阻R17、电阻R18和电阻R19构成电压取样放大器,当低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚电压高于3.6伏左右时,三极管Q3基极电流增大,三极管Q3集电极和场效应管Q4栅极电压降低,场效应管Q4导通电阻增大,场效应管Q4对所述功率开关电路中的可控硅Ql的触发电流的分流作用减小,可控硅Ql导通角增大,进而引起低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚电压下降;相反,当低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚电压低于3.6伏左右时,三极管Q3的基极电流降低,三极管Q3的集电极电压和场效应管Q4栅极电压升高,场效应管Q4导通电阻减小,场效应管Q4对所述功率开关电路中的可控硅Ql的触发电流的分流作用增大,可控硅Ql的导通角减小,进而引起电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚电压上升;因此,当负载类型、负载功率、电网电压、可控硅壳体温度变化时,电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚电压可以在一个较低的数值范围内并保持基本稳定;开关接通状态自身交流压降也可以降低到较低数值;所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚为低电平时,二极管D8导通,电阻R17、电阻R18、电阻R19和三极管Q3构成的电压取样放大器转变为反相器,三极管Q3的基极电压钳位于二极管D8的正向导通电压,低于三极管Q3的发射结正向导通电压,三极管Q3截止,三极管Q3的集电极输出高电平,场效应管Q4导通,相当于在功率开关电路中的可控硅Ql控制极和阴极之间接了一个几欧姆的电阻,旁路了可控硅Ql的触发电流,可控硅Ql由导通状态可靠转变为截止状态。
[0015]实施例2:如附图3,构思与实施例1相同,不同之处只在于所述触发辅助关闭电路包括二极管D8、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、NPN型三极管Q2、M0S型场效应管Q3、M0S型场效应管Q4和电容C12; 二极管D8、电阻R17、电阻R18、电阻R19和场效应管Q3构成反相器兼电压取样放大器,二极管D8负极接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚,二极管D8正极接场效应管Q3栅极,电阻R17—端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚,电阻R17另一端接场效应管Q3栅极,电阻R18—端接场效应管Q3栅极,电阻R18另一端接电源电路地;电阻R19—端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚,电阻R19另一端接场效应管Q3漏极,场效应管Q3源极接电源电路地;场效应管Q4栅极接场效应管Q3漏极,场效应管Q4漏极接所述功率开关电路中的可控硅Ql控制极,场效应管Q4源极接所述功率开关电路中的可控硅Ql阴极和电源电路地;电阻R20—端接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚,电阻R20另一端接三极管Q2基极,三极管Q2发射极接所述功率开关电路中的可控硅Ql控制极,三极管Q2集电极接电阻R21一端,电阻R21另一端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极;电容C12—端接三极管Q2发射极,电容Cl 2另一端接电源电路地。
[0016]实施例3:如附图4,所述功率开关电路包括第一接线柱J1、第二接线柱J2、电流互感器Tl、电阻R21、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4和可控硅Ql;电阻R21为保险电阻
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