，可控硅Ql为微触发单向可控硅;二极管Dl、二极管D2、二极管D3和二极管D4接成桥式全波整流电路;第一接线柱Jl接电阻R21—端，电阻R21另一端接电流互感器Tl初级绕组一端，电流互感器Tl初级绕组另一端接所述桥式全波整流电路交流输入一端，第二接线柱J2接所述桥式全波整流电路交流输入另一端；可控硅Ql阳极接所述桥式全波整流电路输出端正极，可控硅Ql阴极接所述桥式全波整流电路输出端负极和电源电路地。
[0017]所述电源电路包括电流互感器Tl、电容C9、电容C10、电容C11、电阻R19、电阻R20、二极管D5、二极管D6、稳压二极管D7和低功耗三端稳压集成块U2;电容C9一端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极，电容C9另一端接电流互感器Tl次级绕组一端和二极管D5负极，二极管D5正极接电源电路地，电流互感器Tl次级绕组另一端接二极管D6正极，二极管D6负极接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚；电阻R19—端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极，电阻R19另一端接电阻R20—端，电阻R20另一端接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，稳压二极管D7负极接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，稳压二极管D7正极接电源电路地；电容ClO—端接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，电容C1另一端接电源电路地;低功耗三端稳压集成块U2第I脚接电源电路地；电容Cl I一端接低功耗三端稳压集成块U2第2脚，电容Cl I另一端接电源电路地；当所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚为低电平时，功率开关电路中的可控硅QI截止，电源电路的输入电压由可控硅QI阳极电压经电容C9、电阻R19和电阻R20等降压得到；当所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块UI的开关控制信号输出端Ul第2脚为高电平时，功率开关电路中的可控硅QI导通，电源电路的输入电压由开关外接负载的工作电流经电流互感器Tl变换成电压得到，不需要功率开关电路中的可控硅在交流电的每半个周期内都要有瞬间截止，外接负载可以得到波形失真很小的电压。
[0018]所述红外线信号处理电路与实施例1中的红外线信号处理电路相同。
[0019]所述触发辅助关闭电路构思与实施例1相同，包括电阻R17、电阻R18、NPN型三极管Q2和MOS型场效应管Q3;电阻R17、电阻R18和三极管Q2构成反相器;电阻R17—端接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚，电阻R17另一端接三极管Q2基极，三极管Q2集电极接电阻R18—端，电阻R18另一端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，三极管Q2发射极接功率开关电路中的可控硅Ql控制极；MOS型场效应管Q3栅极接三极管Q2集电极，MOS型场效应管Q3漏极接所述功率开关电路中的可控硅Ql控制极，MOS型场效应管Q3源极接所述功率开关电路中的可控硅Ql阴极和电源电路地；当所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚为高电平时，三极管Q2导通，三极管Q2集电极和MOS型场效应管Q3栅极电压低于MOS型场效应管Q3的开启电压，MOS型场效应管Q3截止，三极管Q2发射极电流持续触发所述功率开关电路中的可控硅Ql，可控硅Ql导通后的交流电每个完整的半个周期内可控硅Ql导通角可以最大限度的接近180度也就是交流电的半个周期，开关处于接通状态时外接负载得到的电压波形失真小；当所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚为低电平时，三极管Q2截止，三极管Q2集电极输出高电平信号，MOS型场效应管Q3导通，相当于在所述功率开关电路中的可控硅Ql的控制极和阴极间接了一个几欧姆的电阻，旁路了可控硅Ql的触发电流，可控硅Ql由导通状态可靠转变为截止状态。
【主权项】
1.全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关，其特征是:包括功率开关电路、电源电路、红外线信号处理电路、触发辅助关闭电路;功率开关电路与电源电路连接，电源电路与红外线信号处理电路和触发辅助关闭电路连接，红外线信号处理电路与触发辅助关闭电路连接，触发辅助关闭电路与功率开关电路连接;触发辅助关闭电路中设置有反相器和MOS场效应管，该反相器输入端接红外线信号处理电路中的开关控制信号输出端，该反相器输出端接MOS场效应管栅极，该MOS场效应管漏极接功率开关电路中的可控硅控制极，该MOS场效应管源极接功率开关电路中的可控硅阴极和电源电路地。2.根据权利要求1所述的全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关，其特征是:所述触发辅助关闭电路包括二极管D8、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、NPN型三极管Q2、NPN型三极管Q3、M0S型场效应管Q4和电容C12; 二极管D8、电阻R17、电阻R18、电阻R19和三极管Q3构成反相器兼电压取样放大器，二极管D8负极接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚，二极管D8正极接三极管Q3基极，电阻R17—端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，电阻R17另一端接三极管Q3基极，电阻R18—端接三极管Q3基极，电阻R18另一端接电源电路地；电阻R19—端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，电阻R19另一端接三极管Q3集电极，三极管Q3发射极接电源电路地;场效应管Q4栅极接三极管Q3集电极，场效应管Q4漏极接所述功率开关电路中的可控硅Ql控制极，场效应管Q4源极接所述功率开关电路中的可控硅Ql阴极和电源电路地；电阻R20—端接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚，电阻R20另一端接三极管Q2基极，三极管Q2发射极接所述功率开关电路中的可控硅Ql控制极，三极管Q2集电极接电阻R21—端，电阻R21另一端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极；电容C12—端接三极管Q2发射极，电容Cl 2另一端接电源电路地。3.根据权利要求1所述的全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关，其特征是:所述触发辅助关闭电路包括二极管D8、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、NPN型三极管Q2、M0S型场效应管Q3、M0S型场效应管Q4和电容C12; 二极管D8、电阻R17、电阻R18、电阻R19和场效应管Q3构成反相器兼电压取样放大器，二极管D8负极接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚，二极管D8正极接场效应管Q3栅极，电阻R17—端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，电阻R17另一端接场效应管Q3栅极，电阻R18—端接场效应管Q3栅极，电阻R18另一端接电源电路地；电阻R19—端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，电阻R19另一端接场效应管Q3漏极，场效应管Q3源极接电源电路地;场效应管Q4栅极接场效应管Q3漏极，场效应管Q4漏极接所述功率开关电路中的可控硅Ql控制极，场效应管Q4源极接所述功率开关电路中的可控硅Ql阴极和电源电路地；电阻R20—端接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚，电阻R20另一端接三极管Q2基极，三极管Q2发射极接所述功率开关电路中的可控硅Ql控制极，三极管Q2集电极接电阻R21—端，电阻R21另一端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极；电容Cl 2—端接三极管Q2发射极，电容Cl 2另一端接电源电路地。4.根据权利要求1所述的全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关，其特征是:所述触发辅助关闭电路包括电阻R17、电阻R18、NPN型三极管Q2和MOS型场效应管Q3;电阻R17、电阻R18和三极管Q2构成反相器；电阻R17—端接所述红外线信号处理电路中的红外线传感信号处理集成块Ul的开关控制信号输出端Ul第2脚，电阻R17另一端接三极管Q2基极，三极管Q2集电极接电阻Rl8—端，电阻Rl8另一端接所述电源电路中的低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，三极管Q2发射极接功率开关电路中的可控硅Ql控制极；MOS型场效应管Q3栅极接三极管Q2集电极，MOS型场效应管Q3漏极接所述功率开关电路中的可控硅QI控制极，MOS型场效应管Q3源极接所述功率开关电路中的可控硅Ql阴极和电源电路地。5.根据权利要求1所述的全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关，其特征是:所述电源电路包括电流互感器Tl、电容C9、电容C10、电容Cll、电阻R19、电阻R20、二极管D5、二极管D6、稳压二极管D7和低功耗三端稳压集成块U2;电容C9一端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极，电容C9另一端接电流互感器Tl次级绕组一端和二极管D5负极，二极管D5正极接电源电路地，电流互感器Tl次级绕组另一端接二极管D6正极，二极管D6负极接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚；电阻R19—端接所述功率开关电路中的可控硅Ql阳极，电阻R19另一端接电阻R20—端，电阻R20另一端接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，稳压二极管D7负极接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，稳压二极管D7正极接电源电路地；电容ClO—端接低功耗三端稳压集成块U2电压输入端U2第3脚，电容ClO另一端接电源电路地;低功耗三端稳压集成块U2第I脚接电源电路地；电容Cll一端接低功耗三端稳压集成块U2第2脚，电容Cll另一端接电源电路地。
【专利摘要】一种全负载高稳定低压降二线制红外线感应开关，其中的触发辅助关闭电路中设置有反相器和场效应管，该反相器输入端接其中的红外线信号处理电路中的开关控制信号输出端，该反相器输出端接场效应管栅极，该场效应管漏极接其中的功率开关电路中的可控硅控制极，该场效应管源极接该可控硅阴极和电源电路地；其中的红外线信号处理电路中的开关控制信号输出端为低电平时，该场效应管导通，该可控硅可以由导通状态可靠转变为截止状态；这种感应开关可以控制白炽灯、节能灯、LED灯、电感镇流器日光灯等各种灯具；其处于接通状态时，自身交流压降低，负载得到的电压波形失真小，节能灯、LED灯等灯具不容易损坏。
【IPC分类】H05B37/02
【公开号】CN205283914
【申请号】CN201620010886
【发明人】郭有富
【申请人】郭有富
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年1月7日