一种窄脉冲过滤电路的制作方法
【专利摘要】一种窄脉冲过滤电路，包括快速放电电路、快速充电电路、电容、施密特电路。窄脉冲过滤电路的输出脉冲通过模拟开关或者多路模拟开关对快速放电电路和快速充电电路进行控制，选择其中一路由输入脉冲对电容进行放电或充电，电容上的信号经施密特电路得到输出脉冲。所述窄脉冲过滤电路能够自动过滤负宽脉冲期间的正窄脉冲和正宽脉冲期间的负窄脉冲干扰，特别是能够过滤连续的窄脉冲干扰信号；需要过滤的正窄脉冲和负窄脉冲的最大宽度能够分别通过改变充电时间常数和放电时间常数进行调整。所述窄脉冲过滤电路能够应用在数字信号电路中所有需要过滤窄脉冲干扰信号的场合。
【专利说明】
-种窄脉冲过滤电路
技术领域
[0001] 本发明设及一种脉冲信号处理电路，尤其是一种窄脉冲过滤电路。
【背景技术】
[0002] 在数字信号电路中，经常需要对脉冲信号中的正窄脉冲和负窄脉冲进行过滤，例 如，滤单个的窄干扰脉冲，过滤机械开关的抖动脉冲，等等。目前常用的方法的采用滤波电 路进行滤波，或者是用MCU采样后进行算法处理。采用滤波电路过滤，当需要过滤的窄脉冲 频率较高时，滤波电路存在直流记忆效应，前面的窄脉冲会影响后面窄脉冲的过滤。用MCU 采样后进行算法处理时，MCU本身容易受到各种干扰影响，从而对窄脉冲的过滤造成影响。
【发明内容】
[0003] 为了解决现有数字脉冲信号电路中窄脉冲过滤所存在的问题，本发明提供了一种 窄脉冲过滤电路，包括快速放电电路、快速充电电路、电容、充放电电阻、施密特电路。
[0004] 所述窄脉冲过滤电路的输入脉冲从输入脉冲端输入，输出脉冲从输出脉冲端输 出;所述快速放电电路的一端连接至输入脉冲端，另外一端连接至施密特电路输入端;所述 快速充电电路的一端连接至输入脉冲端，另外一端连接至施密特电路输入端;所述充放电 电阻的一端连接至输入脉冲端，另外一端连接至施密特电路输入端;所述电容的一端连接 至施密特电路输入端，另外一端连接至窄脉冲过滤电路的公共地或者是供电电源;所述施 密特电路的输出端为输出脉冲端。
[0005] 所述快速放电电路包括快速放电二极管、快速放电开关;所述快速放电二极管阴 极连接至快速放电开关的一端，阳极为快速放电电路的输出端;所述快速放电开关的另外 一端为快速放电电路的输入端。
[0006] 所述快速充电电路包括快速充电二极管、快速充电开关;所述快速充电二极管阳 极连接至快速充电开关的一端，阴极为快速充电电路的输出端;所述快速充电开关的另外 一端为快速充电电路的输入端。
[0007] 所述快速放电开关、快速充电开关均为电平控制的双向模拟开关。所述施密特电 路为同相施密特电路。所述快速放电开关的电平控制端连接至输出脉冲的反相输出端;所 述快速充电开关的电平控制端连接至输出脉冲端。
[000引所述快速放电开关、快速充电开关为数字控制的多路模拟开关。所述多路模拟开 关的数字控制端连接至输出脉冲端。
[0009]本发明的有益效果是:所述窄脉冲过滤电路允许宽度大于规定值的正脉冲和负脉 冲信号通过;所述窄脉冲过滤电路能够自动过滤负宽脉冲期间的正窄脉冲，特别是能够快 速恢复过滤能力过滤连续的正窄脉冲干扰信号;所述窄脉冲过滤电路能够自动过滤正宽脉 冲期间的负窄脉冲，特别是能够快速恢复过滤能力过滤连续的负窄脉冲干扰信号；需要过 滤的正窄脉冲最大宽度能够通过改变充电时间常数进行调整;需要过滤的负窄脉冲最大宽 度能够通过改变放电时间常数进行调整;所述窄脉冲过滤电路能够应用在数字信号电路中 所有需要过滤窄脉冲干扰信号的场合。
【附图说明】
[0010] 图1为窄脉冲过滤电路实施例1;
[0011] 图2为窄脉冲过滤电路实施例1的输入脉冲和输出脉冲波形；
[0012] 图3为窄脉冲过滤电路实施例2;
[0013] 图4为窄脉冲过滤电路实施例3;
[0014] 图5为窄脉冲过滤电路实施例3的输入脉冲和输出脉冲波形；
[0015] 图6为窄脉冲过滤电路实施例4;
[0016] 图7为窄脉冲过滤电路实施例5;
[0017] 图8为窄脉冲过滤电路实施例6。
【具体实施方式】
[0018] W下结合附图对本发明作进一步说明。
[0019] 如图1所示为窄脉冲过滤电路实施例1。实施例1中，快速放电二极管、充电电阻、快 速放电开关分别为二极管D11、电阻Rl 1、开关T11，组成了快速放电电路;快速充电二极管、 放电电阻、快速充电开关分别为二极管Dl2、电阻Rl2、开关T12，组成了快速充电电路；电容 为电容C11。施密特电路Fl 1为同相施密特电路，实施例1中输出脉冲P2与输入脉冲P1同相。 电容Cll的一端接施密特电路的输入端，目阳11的输入端A2,另外一端连接至公共地。二极管 Dll的阳极连接至Fll的输入端A2,阴极与开关Tll串联后连接至输入脉冲端Pl，当开关Tll 导通时，二极管Dll的单向电流流向为从Fll的输入端A2流向输入脉冲端P1。二极管D12的阴 极连接至Fll的输入端A2,阳极与开关T12串联后连接至输入脉冲端Pl，当开关T12导通时， 二极管D12的单向电流流向为从输入脉冲端P1流向Fl 1的输入端A2。
[0020] 快速放电开关、快速充电开关为电平控制的双向模拟开关。实施例1中，开关T11、 开关T12均选择控制信号为高电平时开关接通，控制信号为低电平时开关关断的双向模拟 开关，型号可W选择CD4066,或者是CD4016。实施例1中施密特电路Fll为同相施密特电路， 输出脉冲P2 (图1中A3点)直接连接至开关T12的电平控制端，输出脉冲P2的高、低电平分别 控制开关T12接通、关断;输出脉冲P2经过反相器F12后（图1中思点借接至开关Tll的电平 控制端，输出脉冲P2的高、低电平分别控制开关Tll关断、接通。受到输出脉冲P2的控制，开 关Tll与开关T12中总是一个处于接通状态，另外一个处于关断状态。
[0021] 图2为窄脉冲过滤电路实施例1的输入脉冲和输出脉冲波形。图2中，Pl为输入脉 冲，P2为输出脉冲，当Pl低电平为正常的负宽脉冲时，图1中A2点电位与Al点低电平电位一 致，P2为低电平，开关Tll接通、T12关断。正脉冲11的高电平通过充电电阻Rll对电容Cll充 电，使A2点电位上升；由于正脉冲11的宽度小于时间Tl，A2点电位在正脉冲11结束时仍低于 施密特电路Fll的上限口槛电压，因此，P2维持为低电平，开关Tll维持接通;正脉冲11结束 时，Al点重新变为低电平且通过快速放电二极管D11使电容C11快速放电，使A2点电位与Al 点低电平电位一致，恢复至正脉冲11来临前的状态，其抗干扰能力得到迅速恢复，当后面紧 接有连续的正窄脉冲干扰信号时，同样能够过滤掉。正脉冲12的宽度也小于时间Tl,因此， 当正脉冲12结束时，P2维持为低电平，Al点重新变为低电平且通过快速放电二极管Dll使电 容Cl r陕速放电，使A2点电位与Al点低电平电位一致。
[0022] 脉冲13为正常的正宽脉冲，Pl在上升沿17之后维持高电平时间达到Tl时，Pl的高 电平通过充电电阻Rl 1对电容Cl 1充电，使A2点电位上升达到施密特电路Fl 1的上限口槛电 压，施密特电路Fll输出P2在上升沿18处从低电平变为高电平，使开关Tll关断、T12接通;Al 点的高电平通过快速充电二极管D12使电容Cll快速充电，使A2点电位与Al点高电平电位一 致，P2维持为高电平。
[0023] 负脉冲15的低电平通过放电电阻R12对电容Cll放电，使A2点电位下降；由于负脉 冲15的宽度小于时间T2，A2点电位在负脉冲15结束时仍高于施密特电路Fll的下限口槛电 压，因此，P2维持为高电平，开关T12维持接通;负脉冲15结束时，Al点重新变为高电平且通 过快速充电二极管D12使电容Cl 1快速充电，使A2点电位与Al点高电平电位一致，恢复至负 脉冲15来临前的状态，其抗干扰能力得到迅速恢复，当后面紧接有连续的负窄脉冲干扰信 号时，同样能够过滤掉。负脉冲16的宽度也小于时间T2，因此，当负脉冲16结束时，P2维持为 高电平，Al点重新变为高电平且通过快速充电二极管D12使电容Cll快速充电，使A2点电位 与Al点高电平电位一致。
[0024] Pl在下降沿19之后维持低电平时间达到T2时，表示Pl有一个正常的负宽脉冲，Pl 的低电平通过放电电阻R12对电容C11放电，使A2点电位下降达到施密特电路F11的下限口 槛电压，施密特电路Fll输出P2在下降沿20处从高电平变为低电平，使开关Tll接通、T12关 断;Al点的低电平通过快速放电二极管D11使电容Cl 1快速放电，使A2点电位与Al点低电平 电位一致，P2维持为低电平。Pl的负宽脉冲21宽度大于T2,在负宽脉冲21的上升沿23之后维 持高电平时间达到Tl时，P2在上升沿24处从低电平变为高电平。
[0025] 窄脉冲过滤电路将Pl信号中的正窄脉冲11、正窄脉冲12、负窄脉冲15、负窄脉冲16 都过滤掉，而正宽脉冲13、负宽脉冲21能够通过，使P2信号中出现相应的正宽脉冲14和负宽 脉冲22。输出脉冲P2与输入脉冲Pl同相，而输出的宽脉冲14上升沿比输入的宽脉冲13上升 沿滞后时间Tl,下降沿滞后时间T2。
[0026] 时间Tl为窄脉冲过滤电路能够过滤的最大正窄脉冲宽度。Tl受到充电时间常数、 输入脉冲P1的高电平电位、输入脉冲P1的低电平电位和施密特电路Fl 1的上限口槛电压共 同影响。通常情况下，输入脉冲Pl的高电平电位和低电平电位为定值，因此，调整Tl的值可 W通过改变充电时间常数或者施密特电路的上限口槛电压来进行。图1中，充电时间常数为 充电电阻Rl 1与电容Cl 1的乘积。
[0027] 时间T2为窄脉冲过滤电路能够过滤的最大负窄脉冲宽度。T2受到放电时间常数、 输入脉冲P1的高电平电位、输入脉冲P1的低电平电位和施密特电路Fl 1的下限口槛电压共 同影响。通常情况下，输入脉冲Pl的高电平电位和低电平电位为定值，因此，调整T2的值可 W通过改变放电时间常数或者施密特电路的下限口槛电压来进行。图1中，放电时间常数为 放电电阻Rl 2与电容Cl 1的乘积。
[00%]图1中，二极管Dll与电阻Rll并联后再与开关Tll串联，输入脉冲Pl从Al点先经过 开关T11、然后经过二极管Dll与电阻Rll的并联电路到达A2点，按照脉冲信号流向关系，快 速放电开关串联连接在快速放电二极管与充电电阻的并联电路的前面;二极管D12与电阻 R12并联后再与开关T12串联，按照脉冲信号流向关系，快速充电开关串联连接在快速充电 二极管与放电电阻的并联电路的前面。快速放电开关的串联位置也可W放在快速放电二极 管与充电电阻的并联电路的后面，同样地，快速充电开关的串联位置也可W放在快速充电 二极管与放电电阻的并联电路的后面。另外，电容Cll接公共地的一端也可W改接在窄脉冲 过滤电路的供电电源端。
[0029] 图1中，施密特电路Fll也可W选择反相施密特电路，此时输出脉冲P2与输入脉冲 Pl反相，输出脉冲P2及其反相信号控制开关T11、开关T12的连接方式需要按照输出脉冲P2 的高、低电平分别控制开关T12关断、接通，输出脉冲P2的高、低电平分别控制开关Tll接通、 关断来进行。
[0030] 图3所示为窄脉冲过滤电路实施例2，快速放电二极管、充电电阻、快速放电开关分 别为二极管D21、电阻R21、开关T21，快速充电二极管、放电电阻、快速充电开关分别为二极 管D22、电阻R22、开关T22,电容为电容C21。施密特电路F21为同相施密特电路，输出脉冲P2 (图3中B3点）直接连接至开关T22的电平控制端；输出脉冲P2经过反相器F22后（图3中丽 点)连接至开关T21的电平控制端。实施例2与图1所示的实施例1结构类似，不同之处一是电 容C21的一端接施密特电路的输入端，另外一端连接至窄脉冲过滤电路的供电电源+VCC，不 同之处二是按照脉冲信号流向关系，快速放电开关的串联位置在快速放电二极管与充电电 阻的并联电路的后面，即开关T21串联在二极管D21与电阻R21并联电路的后面。实施例2的 工作原理与实施例1相同。
[0031] 如图4所示为窄脉冲过滤电路实施例3,快速放电二极管、充电电阻分别为二极管 D31、电阻R31，快速充电二极管、放电电阻分别为二极管D32、电阻R32,快速放电开关与快速 充电开关为数字控制的多路模拟开关T31，T31的常开开关为快速放电开关，常闭开关为快 速充电开关;二极管D31、电阻R31与多路模拟开关T31的常开开关（图4中Cl)组成快速放电 电路，二极管D32、电阻R32与多路模拟开关T31的常闭开关(图4中CO)组成快速充电电路;电 容为电容C31，电容C31的一端接施密特电路的输入端，即F31的输入端C2,另外一端连接至 公共地。施密特电路F31为反相施密特电路，要求输出脉冲P2的高电平控制快速放电开关接 通、快速充电开关关断，低电平控制快速放电开关关断、快速充电开关接通；图4中，输出脉 冲P2 (图4中C3点值接连接至多路模拟开关T31的数字控制端，输出脉冲P2的高电平控制多 路模拟开关T31的常开开关接通、常闭开关关断，即输出脉冲P2的高电平控制快速放电开关 接通、快速充电开关关断;输出脉冲P2的低电平控制多路模拟开关T31的常开开关关断、常 闭开关接通，即输出脉冲P2的低电平控制快速放电开关关断、快速充电开关接通。
[0032] 数字控制的多路模拟开关可W选择CD4051、CD4052、CD4053等不同型号的器件。实 施例3中，T31选择数字控制的2通道模拟开关CD4053。
[0033] 图5为窄脉冲过滤电路实施例3的输入脉冲和输出脉冲波形。图5中，Pl为输入脉 冲，P2为输出脉冲，当Pl低电平为正常的负宽脉冲时，图4中C2点电位与脉冲输入端C4点低 电平电位一致，P2为高电平，T31常开开关接通、常闭开关关断。正窄脉冲31的高电平通过充 电电阻R31对电容C31充电，使C2点电位上升；由于窄脉冲31的宽度小于时间Tl, C2点电位在 窄脉冲31结束时仍低于施密特电路F31的上限口槛电压，因此，P2维持为高电平，T31状态维 持;窄脉冲31结束，C4点重新变为低电平且通过快速放电二极管D31使电容C31快速放电，使 C2点电位与C4点低电平电位一致，恢复至窄脉冲31来临前的状态，其抗干扰能力得到迅速 恢复，当后面紧接有连续的正窄脉冲干扰信号时，同样能够过滤掉。正窄脉冲32的宽度也小 于时间Tl,因此，当窄脉冲32结束时，P2维持为高电平，C4点重新变为低电平且通过快速放 电二极管D31使电容C31快速放电，使C2点电位与C4点低电平电位一致。
[0034] 脉冲33为正常的正宽脉冲，Pl在上升沿37之后维持高电平时间达到Tl时，Pl的高 电平通过充电电阻R31对电容C31充电，使C2点电位上升达到施密特电路F31的上限口槛电 压，施密特电路F31输出P2在下降沿38处从高电平变为低电平，使T31常开开关关断、常闭开 关接通;C4点的高电平通过快速充电二极管D32使电容C31快速充电，使C2点电位与C4点高 电平电位一致，P2维持为低电平。
[0035] 负窄脉冲35的低电平通过放电电阻R32对电容C31放电，使C2点电位下降；由于窄 脉冲35的宽度小于时间T2，C2点电位在窄脉冲35结束时仍高于施密特电路F31的下限口槛 电压，因此，P2维持为低电平，T31状态维持;窄脉冲35结束，C4点重新变为高电平且通过快 速充电二极管D32使电容C31快速充电，使C2点电位与C4点高电平电位一致，恢复至窄脉冲 31来临前的状态，其抗干扰能力得到迅速恢复，当后面紧接有连续的负窄脉冲干扰信号时， 同样能够过滤掉。负窄脉冲36的宽度也小于时间T2,因此，当窄脉冲36结束时，P2维持为低 电平，C4点重新变为高电平且通过快速充电二极管D32使电容C31快速充电，使C2点电位与 C4点高电平电位一致。
[0036] Pl在下降沿39之后维持低电平时间达到T2时，表示Pl有一个正常的负宽脉冲，Pl 的低电平通过放电电阻R32对电容C31放电，使C2点电位下降达到施密特电路F31的下限口 槛电压，施密特电路F31输出P2在上升沿40处从低电平变为高电平，使T31常开开关接通、常 闭开关关断；C4点的低电平通过快速放电二极管D31使电容C31快速放电，使C2点电位与C4 点低电平电位一致，P2维持为高电平。Pl的负宽脉冲41宽度大于T2,在负宽脉冲41的上升沿 43之后维持高电平时间达到Tl时，P2在下降沿44处从高电平变为低电平。
[0037] 窄脉冲过滤电路将Pl信号中的窄脉冲31、窄脉冲32、窄脉冲35、窄脉冲36都过滤 掉，而正宽脉冲33、负宽脉冲41能够通过，使P2信号中出现相应的、且与Pl反相的负宽脉冲 34和正宽脉冲42。
[0038] 图5中，时间Tl为窄脉冲过滤电路能够过滤的输入的最大正窄脉冲宽度，调整Tl的 值可W通过改变充电时间常数或者施密特电路的上限口槛电压来进行。图4中，充电时间常 数为充电电阻R31与电容C31的乘积。时间T2为窄脉冲过滤电路能够过滤的输入的最大负窄 脉冲宽度。调整T2的值可W通过改变放电时间常数或者施密特电路的下限口槛电压来进 行。图4中，放电时间常数为放电电阻R32与电容C31的乘积。
[0039] 图4中，多路模拟开关T31采用的是分配器接法，由数字信号C3控制输入脉冲Pl分 配至快速放电电路或者是快速充电电路;多路模拟开关T31也可W采用选择器接法，即输入 脉冲Pl同时送至快速放电电路与快速充电电路，由数字信号控制选择快速放电电路或者是 快速充电电路的信号连接至施密特电路。
[0040] 图4中，电容C31接公共地的一端也可W改接在窄脉冲过滤电路的供电电源端。
[0041] 图4中，施密特电路F31也可W选择同相施密特电路。
[0042] 图6所示为窄脉冲过滤电路实施例4,快速放电二极管、充电电阻分别为二极管 D41、电阻R41，快速充电二极管、放电电阻分别为二极管D42、电阻R42,快速放电开关与快速 充电开关为数字控制的多路模拟开关T41;电容为电容C41，电容C41的一端接施密特电路的 输入端，目阳41的输入端D2,另外一端连接至公共地。实施例4与实施例3的结构类似，不同之 处在于一是多路模拟开关T41采用了选择器接法，选择器接法与分配器接法从工作原理上 没有什么不同；二是施密特电路F41为同相施密特电路，输出脉冲P2与输入脉冲PI同相，输 出脉冲P2(图6中D3点）直接连接至多路模拟开关T41的数字控制端，所WT41的常闭开关为 快速放电开关，常开开关为快速充电开关;二极管D41、电阻R41与多路模拟开关T41的常闭 开关(图6中DO)组成快速放电电路，二极管D42、电阻R42与多路模拟开关T41的常开开关(图 6中Dl)组成快速充电电路。
[0043] 图7所示为窄脉冲过滤电路实施例5。实施例5中，快速放电二极管、快速放电开关 分别为二极管D51、开关T51，组成了快速放电电路;快速充电二极管、快速充电开关分别为 二极管D52、开关T52,组成了快速充电电路；电容为电容C51;施密特电路F51为反相施密特 电路，因此，实施例5中输出脉冲P2与输入脉冲Pl反相，输出脉冲P2 (图7中E3点）直接连接至 开关T51的电平控制端;输出脉冲P2经过反相器F52后（图7中原点）连接至开关T52的电平 巧制端。
[0044] 实施例5中，分别与快速放电二极管、快速充电二极管并联的充电电阻、放电电阻 被取消，均由并联在输入脉冲端E1和施密特电路输入端E2的充放电电阻R51代替。此电路为 充电电阻与放电电阻相同的特例，可W简化电路结构。
[0045] 图8所示为窄脉冲过滤电路实施例6。实施例6中，快速放电二极管为二极管D61，快 速充电二极管为二极管D62,快速放电开关与快速充电开关为数字控制的多路模拟开关 T61;电容为电容C61，电容C61的一端接施密特电路的输入端，即F61的输入端F2,另外一端 连接至公共地;多路模拟开关T61采用分配器接法。施密特电路F61为同相施密特电路，输出 脉冲P2与输入脉冲P1同相，输出脉冲P2 (图8中F3点)直接连接至多路模拟开关T61的数字控 制端，所WT61的常闭开关为快速放电开关，常开开关为快速充电开关;二极管D61与多路模 拟开关T41的常闭开关（图8中FO)组成快速放电电路，二极管D62与多路模拟开关T61的常开 开关（图8中Fl)组成快速充电电路。
[0046] 实施例6中，分别与快速放电二极管、快速充电二极管并联的充电电阻、放电电阻 被取消，均由并联在输入脉冲端F4和施密特电路输入端F2的充放电电阻R61代替。此电路也 为充电电阻与放电电阻相同的特例，可W简化电路结构。
[0047] 所述窄脉冲过滤电路允许宽度大于Tl的正脉冲和宽度大于T2的负脉冲信号通过。
[0048] 所述施密特电路的输入信号为电容上的电压，因此，要求施密特电路具有高输入 阻抗特性。施密特电路可W选择具有高输入阻抗特性的CMOS施密特反相器CD40106、 74肥14，或者是选择具有高输入阻抗特性的CMOS施密特与非口 CD4093、74肥24等器件。CMOS 施密特反相器或者CMOS施密特与非口的上限口槛电压、下限口槛电压均为与器件相关的固 定值，因此，调整能够过滤的输入的正窄脉冲宽度、负窄脉冲宽度需要通过改变充电时间常 数、放电时间常数来进行。用施密特反相器或者施密特与非口构成同相施密特电路，需要在 施密特反相器或者施密特与非口后面增加一级反相器。
[0049] 施密特电路还可W选择采用运算放大器来构成，采用运算放大器来构成施密特电 路可W灵活地改变上限口槛电压、下限口槛电压。同样地，采用运算放大器来构成施密特电 路时，需要采用具有高输入阻抗特性的结构与电路。
[0050] 所述窄脉冲过滤电路中，输出脉冲通过模拟开关或者多路模拟开关对快速放电电 路和快速充电电路进行控制，选择其中一路由输入脉冲对电容进行放电或充电，要求输入 脉冲有足够的高电平和低电平驱动能力。当实际的输入脉冲驱动能力有限时，应该在窄脉
【主权项】
1. 一种窄脉冲过滤电路，其特征在于： 包括快速放电电路、快速充电电路、电容、充放电电阻、施密特电路； 所述窄脉冲过滤电路的输入脉冲从输入脉冲端输入，输出脉冲从输出脉冲端输出； 所述快速放电电路的一端连接至输入脉冲端，另外一端连接至施密特电路输入端； 所述快速充电电路的一端连接至输入脉冲端，另外一端连接至施密特电路输入端； 所述充放电电阻的一端连接至输入脉冲端，另外一端连接至施密特电路输入端； 所述电容的一端连接至施密特电路输入端，另外一端连接至窄脉冲过滤电路的公共地 或者是供电电源； 所述施密特电路的输出端为输出脉冲端。2. 根据权利要求1所述的窄脉冲过滤电路，其特征在于： 所述快速放电电路包括快速放电二极管、快速放电开关;所述快速放电二极管阴极连 接至快速放电开关的一端，阳极为快速放电电路的输出端;所述快速放电开关的另外一端 为快速放电电路的输入端； 所述快速充电电路包括快速充电二极管、快速充电开关;所述快速充电二极管阳极连 接至快速充电开关的一端，阴极为快速充电电路的输出端;所述快速充电开关的另外一端 为快速充电电路的输入端。3. 根据权利要求2所述的窄脉冲过滤电路，其特征在于:所述快速放电开关、快速充电 开关均为电平控制的双向模拟开关。4. 根据权利要求3所述的窄脉冲过滤电路，其特征在于:所述施密特电路为同相施密特 电路。5. 根据权利要求4所述的窄脉冲过滤电路，其特征在于:所述快速放电开关的电平控制 端连接至输出脉冲的反相输出端;所述快速充电开关的电平控制端连接至输出脉冲端。6. 根据权利要求2所述的窄脉冲过滤电路，其特征在于:所述快速放电开关、快速充电 开关为数字控制的多路模拟开关。7. 根据权利要求6所述的窄脉冲过滤电路，其特征在于:所述多路模拟开关的数字控制 端连接至输出脉冲端。
【文档编号】H03K5/01GK205681387SQ201620578229
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月15日 公开号201620578229.8, CN 201620578229, CN 205681387 U, CN 205681387U, CN-U-205681387, CN201620578229, CN201620578229.8, CN205681387 U, CN205681387U
【发明人】郭艳杰, 凌云, 唐文妍
【申请人】湖南工业大学