专利名称：固态成像装置及其制造方法以及照相机的制作方法
技术领域：
本发明涉及从与像素电路形成的表面的相对侧接收光的背部照明类型(背部照明)固态成像装置及其制造方法，以及包括该固态成像装置的照相机。
背景技术：
已知例如前面照明类型(前面照明)的固态成像装置，其中光接收部分以及读出晶体管放置在一个像素中，因此，在CCD(电荷耦合器件)类型固态成像装置以及CMOS(互补金属氧化物半导体)类型固态成像装置中，光接收部分的面积受到限制。为了扩大光接收部分的面积，在CCD或CMOS类型固态成像装置中，已经使用了芯片内透镜或利用光电导膜的多层光接收单元。同时，在CCD类型固态成像装置中，已经使用了利用透明电极或薄的多晶硅电极的帧传动CCD。
在上面的结构中，光接收单元的有效孔径面积被扩大，以改善感光度。由于像素较小，入射光的晦暗由于像素互连以及传送门电极单元的原因是明显的。因此，背部照明(背部照明类型)固态成像装置作为光接收单元的高灵敏度结构而受到期盼。作为背面照明固态成像装置，日本未经审查的专利出版物(kokai)No.2002-151673公开了CCD的类型，而日本未经审查的专利出版物(kokai)No.2003-31785公开了MOS类型。在背面照明固态成像装置中，已经使用了帧传送(FT)类型或帧行间传送(FIT)类型。
在CCD类型和MOS类型的情况下，p型硅衬底被用作衬底。例如，日本未经审查的专利出版物(kokai)No.6-350068公开了下列三种结构，用于抑制后表面、即光入射表面的交接面处的暗电流。
形成第一结构，其中在后表面具有高浓度的p+层，以抑制后表面的耗尽。形成第二结构，其中在后表面具有经绝缘膜的透明电极。负电压提供给透明电极，从而在衬底的后表面中形成空穴存储状态。第三结构在衬底的后表面形成的绝缘膜处注入负电荷，以便由于负电荷的原因在衬底的后表面形成空穴存储状态。
发明内容
在上述文件中，二氧化硅膜形成为衬底的后表面中的防反射膜，并且通过离子注入经二氧化硅膜注入p型杂质。但是，二氧化硅膜仅仅具有平均75到80％的透光度。也就是说，发生了20到25％的光损失，降低了感光度。
本发明提供固态成像装置，它能改善衬底的光入射侧处透明绝缘膜的透光率，抑制暗电流，并且防止量子效率损失，以及制造固态成像装置的方法和包括该固态成像装置的照相机。
根据本发明的实施例，提供一种固态成像装置，其中像素电路形成在衬底的第一表面侧，并且从第二表面侧接收光，固态成像装置具有光接收部分，形成在衬底中用于产生对应于入射光的量的信号电荷并存储信号电荷；透明的第一绝缘膜，形成在衬底的第二表面；以及透明的第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上，并用于在第一绝缘膜的交接面中或者在内部保持与信号电荷具有相同极性的电荷。确定第一绝缘膜和第二绝缘膜的厚度，以获得比在仅仅利用第一绝缘膜时更高的入射光透光度。
根据本发明的实施例，提供制造固态成像装置的方法，所述方法具有如下步骤在衬底的第一表面侧形成光接收部分和像素电路；磨削衬底的第二表面侧，使衬底变薄；在衬底的第二表面侧上形成透明的第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；以及在第一绝缘膜和第二绝缘膜之间的交接面中或在第二绝缘膜中注入与信号电荷具有相同极性的电荷。在形成第一绝缘膜和第二绝缘膜的步骤中，第一绝缘膜和第二绝缘膜所形成的厚度使得能够获得比在仅仅利用第一绝缘膜时更高的入射光透光度。
根据本发明的实施例，提供制造固态成像装置的方法，所述方法包括如下步骤在具有第一绝缘膜的衬底的第一表面侧形成光接收部分和像素电路；磨削衬底的第二表面侧，以暴露第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；以及在第一绝缘膜和第二绝缘膜之间的交接面中或在第二绝缘膜中注入与信号电荷相同极性的电荷。在形成第一绝缘膜和第二绝缘膜的步骤中，第一绝缘膜和第二绝缘膜所形成的厚度使得能够获得比仅仅利用第一绝缘膜时更高的入射光透光度。
根据本发明的实施例，提供一种照相机，该照相机具有固态成像装置，其中在衬底的第一表面侧中形成像素电路，并且从第二表面侧接收光；光学系统，将光聚焦到固态成像装置的第二表面上；以及信号处理电路，对来自固态成像装置的输出信号执行预定信号处理。固态成像装置包括光接收单元，形成在衬底内，用于产生对应于入射光的量的信号电荷并存储信号电荷；透明的第一绝缘膜，形成在衬底的第二表面上；以及透明的第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上，并用于在第一绝缘膜的交接面中或内部保持具有与信号电荷相同极性的电荷。确定第一绝缘膜和第二绝缘膜的厚度，以获得比仅仅利用第一绝缘膜时更高的入射光透光度。
根据本发明的一个实施例的固态成像装置及其制造方法、以及照相机，它能改善衬底的光入射侧透明绝缘膜的透光率，抑制暗电流，以及防止量子效率损失。
本发明的实施例的这些特性将参照附图进行更详细地描述，其中图1是根据当前实施例的固态成像装置的光接收单元的剖视图；图2A和2B是根据当前实施例的用于制造固态成像装置的过程的横剖面图；图3是根据当前实施例的用于制造固态成像装置的过程的剖视图；图4A和4B是根据当前实施例的用于制造固态成像装置的过程的横剖面图；图5A是显示对照实例的半导体衬底的后表面附近的能带的视图，以及图5B是显示当前实施例的半导体衬底的后表面附近的能带的视图；图6A和6B是显示对照实例的结构的透光度的视图；图7A和7B是显示当前实施例的结构的透光度的视图；图8是显示当使用各种厚度的二氧化硅和氮化硅时蓝光和绿光的透光度的视图；以及图9是根据当前实施例的照相机的结构的视图。
具体实施例方式
本发明的优选实施例将参考附图进行说明。本发明能够应用于CCD类型固态成像装置和MOS类型固态成像装置。
图1是根据当前实施例的固态成像装置的光接收单元的基本部分的视图。
在当前实施例中，使用例如p型硅的半导体衬底。半导体衬底的厚度取决于固态成像装置的种类和应用，并且可取的是，对于可见光为4到6μm，对于近红外线辐射为6到10μm。
在半导体衬底1中，在各个像素中形成N型半导体区2和p型半导体区3。N型半导体区2实质上存储从半导体衬底1中的光转变成的信号电荷。
p型半导体区3形成在第一表面侧(表面侧)，比n型半导体区2近，并且包含的p型杂质具有比半导体衬底1更高的浓度。p型半导体区3防止在N型半导体区2和p型区之间N型半导体区2的周围产生的耗尽层到达半导体衬底1的表面，从而抑制暗电流并且改善量子效率。
光接收单元4是包括上述N型半导体区2和p型半导体区3的掩埋光电二极管。光接收单元4将信号电荷临时存储在N型半导体区2中。
在半导体衬底1的第一表面侧上，包括在像素电路中的电极6通过例如由硅构成的绝缘层5形成。电极6上覆盖有夹层绝缘层7，该夹层绝缘层7例如由二氧化硅构成。
在CCD型固态成像装置的情况下，CCD纵向传送电阻被包括在像素电路中。在这种情况下，电极6对应于例如CCD纵向传送电阻的传送电极，并且在半导体衬底1中电极6之下形成N型区的传送沟道。
在MOS型固态成像装置的情况下，像素电路中包括读出晶体管、放大晶体管、重置晶体管、地址晶体管或其它晶体管。在这种情况下，电极6对应于例如各种晶体管的栅电极，并且各种晶体管的源/漏区以及浮扩散形成在半导体衬底1中。
由于半导体衬底1制作得较薄，大约4到10μm，因此可以在夹层绝缘膜7上形成支撑衬底。为了避免由半导体衬底1的热膨胀系数的差异引起的翘曲的发生，作为支撑衬底，最好采用与半导体衬底1相同的硅衬底。
在半导体衬底1的第二表面侧(后表面)，形成透明第一绝缘膜和折射率比第一绝缘膜更高的透明第二绝缘膜。在当前实施例中，形成二氧化硅膜8，作为第一绝缘膜，并且形成氮化硅膜9，作为第二绝缘膜。
调整二氧化硅膜8和氮化硅膜9的厚度，以便在跟仅仅利用二氧化硅膜8进行比较时，获得由于光的多重干涉效应导致的入射光的高透光度。
二氧化硅膜8的厚度是15到40nm，并且氮化硅膜9的厚度是20到50nm。在这些范围中，各个厚度被最优化，以便在跟仅仅利用二氧化硅膜8进行比较时，获得入射光的高透光度。
与信号电荷相同极性电荷，例如，在当前实施例中的电子，被注入在氮化硅膜9中，或者在氮化硅膜9和二氧化硅8之间的交接面中。使用氮化硅膜9的原因在下面说明。首先，当在MONOS或其它非易失存储器中使用时，氮化硅膜具有好的电荷保持特性。其次，由于氮化硅的折射率高于二氧化硅膜8的折射率，通过调整厚度，由于多重干扰效应可以获得比仅仅利用二氧化硅膜8更高的入射光的透光度。
由于电子保存在氮化硅9中，因此在半导体衬底1中在半导体衬底1和二氧化硅膜8之间的交接面附近产生了包括大量空穴的空穴存储层10。由于空穴存储层10的存在，从而如下所述，防止了暗电流和量子效应损失的发生。
在氮化硅膜9上，形成保护膜11，该保护膜11防止保存在氮化硅膜9中的电子传递到外面而消失。作为保护膜11，它的材料对于可见光最好具有低的折射率和低的光吸收。可以采用通常用于半导体器件的大多数透明树脂膜，并且可以使用通过低温等离子体CVD(化学汽相淀积)形成二氧化硅膜，以及通过类似方式形成的硅氧化氮膜。
下面，将参考附图2A和2B、图3以及图4A和4B对根据当前实施例的用于制造固态成像装置的方法进行描述。在当前实施例中，将要描述利用例如SOI衬底制造固态成像装置的一个实例。
首先，如图2A所示，制备具有由P型硅、二氧化硅膜8和硅衬底12构成的半导体衬底(SOI层)1的SOI衬底。这里，二氧化硅膜8的厚度调整在15到40nm。然后，在半导体衬底1的第一表面(前表面)侧以与相关技术类似的方式形成光接收单元和像素电路。
即，通过离子注入在SOI衬底的半导体衬底1中形成N型半导体区2、p型半导体区3以及没有示出的各种半导体区。然后，形成由二氧化硅膜制成的绝缘层5，并形成电极6。电极6由钨或铝组成。在形成电极6之后，沉积二氧化硅以形成夹层绝缘膜7。必要时，将未显示的支撑衬底粘合到夹层绝缘膜7上，然后磨削硅衬底12并且蚀刻到暴露二氧化硅膜8。
因此，如图2B所示，半导体衬底1的前面和后面反转，并且利用等离子体CVD在二氧化硅膜8上形成氮化硅膜9。氮化硅膜9的厚度选定在20到50nm的范围。注意，如果不利用SOI衬底，半导体衬底1可以制作得薄，则可以连续沉积二氧化硅膜8和氮化硅膜9。
因此，如图3所示，例如，充电到正的电极20与半导体衬底1的后表面(第二表面)侧相对，然后紫外线照射到半导体衬底1的第二表面侧。通过紫外线，衬底1的第一表面附近的电子e被激励。受激电子e跳过二氧化硅膜8，并且受激电子在二氧化硅膜8和氮化硅膜9的交接面中，以及在氮化硅膜9中被截留。由于带正电荷的电极20产生的电场，受激电子有效地跳过二氧化硅膜8。值得注意的是，仅仅照射入射光或向二氧化硅膜8提供电场，电子能够注入在氮化硅膜9和二氧化硅膜8之间的交接面中，或者氮化硅膜9中。
如图4A所示，电子保存在二氧化硅膜8和氮化硅膜9之间或者氮化硅膜9中，因此，在p型硅制成的半导体衬底1中，空穴集中在二氧化硅膜8的交接面附近，以产生空穴存储层10。
因此，如图4B所示，在氮化硅膜9上形成保护膜11。如上所述，在形成保护膜11期间，例如，执行透明树脂膜的涂覆、利用低温等离子体CVD沉淀二氧化硅膜、或者低温等离子体CVD沉淀硅氧化氮膜。
在下列步骤中，必要时，在保护膜11上形成滤色片，并形成芯片上透镜。由此，制得固态成像装置。
接下来，将描述阻止暗电流和量子效率损失发生的效果。
对照实例图5A是显示半导体衬底1的后表面附近能带的视图，其中没有氮化硅膜9。如图5A所示，如果二氧化硅沉积在半导体衬底1上，则可以容易地在二氧化硅膜8中或者在半导体衬底1和二氧化硅膜8之间的交接面中产生正电荷。这也适用于二氧化硅及其它绝缘膜。因此，半导体衬底1的后表面附近的电位被提高以产生电位井。在半导体衬底1的后表面附近形成电位井，光电转换产生的电子也可以保存在后表面附近，不影响感光度，并且由热所引起的交接面的少数载流子的出现可增加以提高暗电流，因此成像装置的S/N比降低。
所以，半导体衬底1最好具有一种结构，其中二氧化硅膜8的交接面填满空穴。
图5B是显示根据当前实施例的固态成像装置中，半导体衬底1的后表面(第二表面)附近能带的视图。在当前实施例中，由于电子保存在二氧化硅膜8和氮化硅膜9之间的交接面中以及氮化硅膜9中，因此在半导体衬底1的后表面侧的交接面产生空穴存储层。结果，半导体衬底1的后表面的交接面中的电位将会降低，不会在该交接面附近形成电位井。
这样，在半导体衬底1的后表面的交接面中没有形成电位井(具有高电位的部分)，因此光电转换产生的电子有效地存储在具有最高电位的N型半导体区2中。N型半导体区2中存储的电子能够完全地读出或排除，因此能够抑制暗电流的发生，并且能够改善量子效率。
接下来，将描述由改善根据当前实施例的固态成像装置的可见光的透光度获得的效果。
对照实例如图6A所示，作为对照实例，在半导体衬底1的第二表面侧仅仅形成厚度2μm的二氧化硅膜8。在图6A所述的结构中，测量透射光TL与入射光L的比(透光度)以及反射光RL与入射光L的比(反射率)，并且将在图6B中显示测量结果。在图6B中，“T1”是表示透光度的曲线图，并且“R1”是表示反射率的曲线图。
如图6B所示，如果仅仅在半导体衬底1的后表面(第二表面)中形成二氧化硅膜8，则在例如450到740nm的可见光中，透光度平均可以为75到80％。
图7A是在半导体衬底1的第二表面侧上形成厚度为16nm的二氧化硅膜8以及厚度为40nm的氮化硅膜9时，可见光中的透光度和反射率的测量结果视图。在图7A中，“T2”表示透光度并且“R2”表示反射率。
图7B是在半导体衬底1的第二表面侧中形成厚度为30nm的二氧化硅膜8以及厚度为35nm的氮化硅膜9时，可见光中的透光度和反射率的测量结果的视图。在图7B中，“T3”表示透光度并且“R3”表示反射率。
如图7A和7B所示，在半导体衬底1的第二表面侧中形成具有二氧化硅膜8和氮化硅膜9的多层，并且这两个膜的厚度是分别调整的。因此，由于光的多重干扰效应，能够获得比仅仅利用二氧化硅膜8更高的透光度。在图7A和7B所示的实例中，在可见光能够获得90到98％的透光度。
通过调整二氧化硅膜8和氮化硅膜9的厚度，能够获得各种透光度特征。例如，固态成像装置被要求增加可见光中短波长侧的、也就是在从蓝色(450nm)到绿色(540nm)的波长范围中的感光度。
图7A和7B所示的实例7是适当厚度的实例之一，用于增加这种短波长侧的透光度，以改善感光度。
图8是显示当形成分别具有各种厚度的二氧化硅膜8和氮化硅膜9的多层时，透光度的测量结果的视图。在图8中，纵座标表示二氧化硅膜8的厚度，而横坐标表示氮化硅膜9的厚度。在图8中，考虑改善短波长侧中的感光度，在各个厚度中给出了蓝光(450nm)和绿光(540nm)的透光度(％)。
如图8所示，通过选择二氧化硅膜8的厚度在15到40nm范围中，并且氮化硅膜9的厚度在20到50nm的范围中，能够在大多数情况下获得超过90％的透光度。值得注意的是，在这些范围中，选择的是适当厚度的组合。
如果仅考虑改善透光度，则二氧化硅膜8和氮化硅膜9的厚度可以超出上述范围。但是，在当前实施例中，二氧化硅膜8使电荷传递到氮化硅膜9，而氮化硅膜9存储电荷。
所以，针对电子通道，二氧化硅膜8最好不超过40nm。此外，取决于要用的氮化硅膜9的厚度关系，为了获得高的透光度，它最好不少于15nm(参考图8)。
此外，为了有效地在半导体衬底1的后表面中产生空穴存储层10，氮化硅膜9最好在二氧化硅膜8的交接面附近存储电子。也就是说，如果氮化硅膜9的厚度太厚，则要存储的电子的空间分布可能扩散，导致不能有效地在半导体衬底中产生空穴存储层10。此外，为了获得高的透光度，氮化硅膜9的厚度最好不少于20nm(参考图8)。
如上所述，根据当前实施例的固态成像装置，能够在半导体衬底1和氮化硅膜8之间的交接面中产生空穴存储层10，以抑制暗电流的发生，从而改善感光度。
类似的，通过产生空穴存储层10，能够抑制半导体衬底1的后表面中的量子效率损失，能够抑制混色和视觉暂留，并且能够实现高的感光度。
氮化硅膜9层叠在二氧化硅膜8上，并且调整这两个膜的厚度，以便在光的多重干扰效应下，与仅仅利用二氧化硅膜8相比，能够改进可见光的透光度，以改善感光度。例如，在可见光附近能够保证超过90％的透光度，并且跟仅仅利用二氧化硅膜8比较，能够将感光度提高25％。
上述固态成像装置可用于例如摄像机、数码相机、电子内窥镜照相机或其它照相机。
图9是使用上述固态成像装置的照相机的结构的视图。
照相机30具有固态成像装置31、光学系统32、激励电路33以及信号处理电路34。固态成像装置31是根据当前实施例的背部照明的固态成像装置。
光学系统32使来自对象的成像光、即入射光聚焦在固态成像装置31的成像表面(第二表面)上。因此，在固态成像装置31的各个光接收单元4中，把入射光转换为对应于入射光的量的信号电荷。并且在N型半导体区2中，信号电荷存储一个预定的时段。
激励电路33提供各种驱动信号到固态成像装置31。因此，存储在固态成像装置31的各个N型半导体区2中的信号电荷被读出。此外，利用这种驱动，从固态成像装置31输出信号。
信号处理电路34对来自固态成像装置31的输出信号执行各种信号处理。在信号处理电路34进行了信号处理之后，输出信号存储在存储器或其它存储介质中。
这样，通过如上所述在诸如摄像机或数码相机等照相机30中应用固态成像装置，能够实现这样的照相机，其中能够改善感光度，能够抑制抑制暗电流并且能够改善量子效率。由此，能够实现改善了图像质量的照相机。
本发明不限于上述实施例。
如果空穴被用作信号电荷，则空穴可以保存在二氧化硅膜8和氮化硅膜9之间的交接面中以及氮化硅膜9中，以便在半导体衬底1的后表面产生电子存贮层。并且，如果空穴被用作信号电荷，则可以反转各种半导体区的极性。此外，在当前实施例中，描述了二氧化硅膜8被用作第一绝缘膜并且氮化硅膜9被用作第二绝缘膜的实例，但可以使用其它绝缘膜并且可以注入其它杂质。如果采用其它绝缘膜，相对的，第二绝缘膜可具有比第一绝缘膜更高的折射率。
本领域技术人员应该理解，各种修改、组合、子组合以及变化都可以发生，取决于设计要求及其它因素，只要它们在所附权利要求及其等效体的范围内。
权利要求
1.一种固态成像装置，其中像素电路形成在衬底的第一表面侧中，并且从第二表面侧接收光，所述固态成像装置包括光接收单元，形成在所述衬底中，并用于产生对应于入射光的量的信号电荷，以及存储所述信号电荷；透明的第一绝缘膜，形成在所述衬底的所述第二表面上，以及透明的第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜上，并用于在所述第一绝缘膜的交接面中或内部保持具有与所述信号电荷相同极性的电荷，其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的厚度确定为获得比仅仅利用所述第一绝缘膜时更高的入射光透光度。
2.如权利要求1所述的固态成像装置，还包括保护膜，所述保护膜形成在所述第二绝缘膜上，用于防止所述电荷扩散到外面，所述电荷保持在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的交接面中或在所述第二绝缘膜中。
3.如权利要求1所述的固态成像装置，其中所述第一绝缘膜包括二氧化硅。
4.如权利要求1所述的固态成像装置，其中所述第二绝缘膜包括氮化硅。
5.如权利要求1所述的固态成像装置，其中所述第一绝缘膜包括二氧化硅并且所述第二绝缘膜包括氮化硅。
6.如权利要求5所述的固态成像装置，其中所述二氧化硅膜的厚度是15到40nm，并且所述氮化硅膜的厚度是20到50nm。
7.一样制造固态成像装置的方法，包括如下步骤在衬底的第一表面侧中形成光接收单元和像素电路；磨削所述衬底的第二表面侧，使所述衬底变薄；在所述衬底的所述第二表面上形成透明的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；以及在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的交接面中或在所述第二绝缘膜中，注入具有与信号电荷相同极性的电荷，其中，在形成所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的步骤中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜所形成的厚度使得能够获得比仅仅利用所述第一绝缘膜时更高的入射光透光度。
8.如权利要求7所述的制造固态成像装置的方法，其中在形成所述第二绝缘膜的步骤之后，还包括如下步骤在所述第二绝缘膜上形成保护膜，所述保护膜防止电荷扩散到外面，并且所述电荷保持在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的交接面中或在所述第二绝缘膜中。
9.如权利要求7所述的制造固态成像装置的方法，其中在注入所述电荷的步骤中，充电的电极与所述衬底的所述第二表面侧相对。
10.如权利要求7所述的制造固态成像装置的方法，其中在注入所述电荷的步骤中，光照射到所述衬底的所述第二表面侧。
11.如权利要求7所述的制造固态成像装置的方法，其中在形成所述第一绝缘膜的步骤中，形成二氧化硅膜。
12.如权利要求7所述的制造固态成像装置的方法，其中在形成所述第二绝缘膜的步骤中，形成氮化硅膜。
13.一样制造固态成像装置的方法，包括如下步骤在具有第一绝缘膜的衬底的第一表面侧中形成光接收单元和像素电路；磨削所述衬底的第二表面侧，以暴露所述第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；以及在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的交接面中或在所述第二绝缘膜中，注入与信号电荷具有相同极性的电荷，其中，在形成所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的步骤中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜所形成的厚度使得能够获得比仅仅利用所述第一绝缘膜时更高的入射光透光度。
14.如权利要求13所述的制造固态成像装置的方法，其中在形成第二绝缘膜的步骤之后，还包括在所述第二绝缘膜上形成保护膜，所述保护膜防止电荷扩散到外面，并且所述电荷保持在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的交接面中或在所述第二绝缘膜中。
15.如权利要求13所述的制造固态成像装置的方法，其中在注入所述电荷的步骤中，充电的电极与所述衬底的所述第二表面侧相对。
16.如权利要求13所述的制造固态成像装置的方法，其中在注入所述电荷的步骤中，光照射到所述衬底的所述第二表面侧。
17.如权利要求13所述的制造固态成像装置的方法，其中在形成所述第一绝缘膜的步骤中，形成二氧化硅膜。
18.如权利要求13所述的制造固态成像装置的方法，其中在形成所述第二绝缘膜的步骤中，形成氮化硅膜。
19.一种照相机，包括固态成像装置，其中像素电路形成在衬底的第一表面侧中，并且从第二表面侧接收光；光学系统，将光聚焦到所述固态成像装置的所述第二表面上；以及信号处理电路，对来自所述固态成像装置的输出信号执行预定信号处理，其中，所述固态成像装置包括，光接收单元，形成在所述衬底中，并用于产生对应于入射光的量的信号电荷，以及存储所述信号电荷；透明的第一绝缘膜，形成在所述衬底的所述第二表面上，以及透明的第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜上，并用于在所述第一绝缘膜的交接面中或在内部保持与所述信号电荷具有相同极性的电荷，其中确定所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的厚度，以获得比仅仅利用所述第一绝缘膜时更高的入射光透光度。
全文摘要
提供一种固态成像装置，能改善衬底的光入射侧中透明绝缘膜的透光率，抑制暗电流，并且防止量子效率的损失，其中像素电路形成在衬底的第一表面中，并且从第二表面接收光，固态成像装置具有光接收单元，形成在衬底中，用于产生对应于入射光的量的电荷并存储该电荷；透明的第一绝缘膜，形成在第二表面上；以及透明的第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上，并用于在第一绝缘膜的交接面中或者内部保持与信号电荷具有相同极性的电荷，第一和第二绝缘膜的厚度确定为获得比仅仅利用第一绝缘膜更高的透光度。
文档编号H04N5/361GK1734777SQ20051009261
公开日2006年2月15日 申请日期2005年8月10日 优先权日2004年8月10日
发明者神户秀夫, 江崎孝之 申请人:索尼株式会社