专利名称：一种改进的手机的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种移动通讯工具，特别是涉及一种手机。
技术背景目前移动通讯设备中普及率最高的就是手机，目前手机的功能越来越 多，人们的生活越来越离不开手机，大多数的手机均具有电话簿、短信和彩信业务，有的手机还具有Mp3或Mp4功能，而目前越来越广阔的交流和沟通 方式，使得手机中存储的信息越来越多，需要的存储空间越来越大，目前手 机均为单存储卡手机，其缺点一是当需要备份存储卡内容时，需要将手机与 电脑连接，通过与该手机相匹配的软件将存储卡内容备份到电脑内；缺点之 二是存储卡的容量比较小，不能满足现在手机用户使用过程中较大存储量的 需求。而且现在的手机大多都是只有一个SIM卡的手机，这样的手机对于经 常在不同地区工作的人来说为了节省漫游或长途等通话费用，更换手机卡不 方便，需要关机后再更换SIM卡，严重影响SIM卡的寿命，容易因接触不良 而造成无法识别SIM卡的情况出现。 一些手机厂家做了一些改进，制造出一 些双SIM卡的手机，该双SIM卡手机采用机械切换或软件切换，机械切换的 缺点是使用寿命短，损坏比较严重。而软件切换則需要关机后重启系统后选 择SIM后进入手机工作状态，切换时间较长且不方便。实用新型内容本实用新型是为了解决现有技术中的不足而完成的，本实用新型的目的是 提供一种结构简单，成本低，存储量大，各存储卡之间可以进行自由拷贝，自 由调用各存储卡中信息的改进的手机。本实用新型的改进的手机，包括手机壳体和位于所述壳体内部的主板、 键盘、显示屏和电池，所述主板上设有SIM卡座、控制电路和基带处理芯片，SIM卡位于所述SIM卡座内，所述SIM卡座与所述基带处理芯片连接，所述 控制电路与所述电池和所述SIM卡座连接，其特征在于所述主板上设置至 少两个存储卡座，存储卡位于所述存储卡座内，所述存储卡座均可通过存储 模拟控制开关与所述基带处理芯片连接。 本实用新型的改进的手才几还可以是所述主板上至少设有两个SIM卡座，所述各SIM卡座通过SIM卡模拟开 关与所述基带处理芯片可选择地连接。所迷存储模拟控制开关端部的MCCMD控制线与所述基带处理芯片连接， 所述存储模拟控制开关端部的MCCMD1控制线与所述第一存储卡座连接，所 述存储模拟控制开关端部的MCCMD2控制线与所述笫二存储卡座连接，所述 存储模拟控制开关通过存储卡控制线控制所述MCCMD控制线与所述MCCMD1所述存储卡控制线处于高电位，所述MCCMD控制线与所述MCCMD1控制 线连接，所述第一存储卡座与所述基带处理芯片连接导通.所迷存储卡控制线处于低电位，所述MCCMD控制线与所述MCCMD2控制 线连接，所述第二存储卡座与所述基带处理芯片连接导通。所述基带处理芯片与手机内存连接。所述SIM卡模拟开关的NO接口与所述第一 SIM卡座的GND接口连接， 所述SIM卡模拟开关的NC接口与所述第二 SIM卡座的GND接口连接，所述 SIM卡模拟开关通过SIM卡控制线所述第一 SIM卡座与所述基带处理芯片之间导通或所述第二卡座与所述基带处理芯片之间导通。所述SIM卡控制线处于高电位，所述SIM卡模拟开关的N0接口与所述 第一 SIM卡座的GND接口连接，所述第一 SIM卡与所述基带处理芯片之间导 通。所述SIM卡控制线处于低电位，所述SIM卡模拟开关的NC接口与所述 第二SIM卡座的GND接口连接，所述第二SIM卡与所述基带处理芯片之间导通。所述两个SIM卡座与所述两个存储卡座对称设置。
本实用新型改进的手机，由于其在主板上设置至少两个存储卡座，存储 卡位于存储卡座内，存储卡座通过存储模拟控制开关与手机的基带处理芯片 连接。这样，可以至少插入两个存储卡，各存储均可以与基带处理芯片连接， 手机用户可以直接选择调用需要使用的存储卡中的信息，扩大手机存储量， 同时使用更加方便。
更进一步，由于主板上至少设有两个SIM卡座，各SIM卡座通过SIM卡 座模拟开关与基带处理芯片可选择地连接导通。这样由于设有SIM卡模拟开 关，使得可以通过直接控制SIM卡模拟开关直接选择不同的SIM卡而不需要 关机，使用方便且不同SIM卡转换迅速，不会影响使用。
图1 本实用新型改进的手机结构示意图。
图2 本实用新型改进的手机双存储卡座与存储模拟控制开关电路图。 图3 本实用新型改进的手机双SIM卡座与SIM卡模拟控制开关电路图。 图号说明
l一壳体 2—第一SIM卡座 3—第二SIM卡座
4一第一存储卡座 5—第二存储卡座 6—存储模拟控制开关 7—SIM卡模拟开关具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
本实用新型的改进的手机，请参考图1和图2,它包括手机外部壳体1 和位于壳体l内部的主板、键盘、显示器和电池，在主板上有SIM卡座、控 制电路和基带处理芯片。主板、键盘、显示屏和电池都是手机上的常规配置， 与现有的相同即可。SIM卡位于SIM卡座内，使用时直接将SIM卡插入或卡 入SIM卡座即可。SIM卡与基带处理芯片连接导通，使得插入SIM卡座的SIM 卡与基带处理芯片之间可以进行数据传输，这是与现有的手机是相同的。主 板上的控制电路与电池和SIM卡座连接，电池给控制电路供电，进而控制
主板上至少设置两个存储卡座，存储卡插接或卡接于存储卡座内，存储卡座
均可通过存储模拟控制开关6与基带处理芯片连接。这样改进后的手机，其 基带处理芯片可以通过存储模拟控制开关6选择与任意一个存储卡座连接 并调用该存储卡中的数据信息并进行编辑和操作。这样的手机存储量扩大一 倍，而且各存储卡之间可以自由进行拷贝备份，使用方便，结构简单，成本 低。
本实用新型的改进的手机，请参考图3，还可以是主板上至少设有两个 SIM卡座，各SIM卡座通过设置的SIM卡模拟开关7与基带处理芯片可选择 地连接导通。这样， 一个手机上就可同时安装至少两个SIM卡，而且 多个SIM卡通过各自的SIM卡座和SIM卡模拟开关7的选择，使得其
中之一与基带处理芯片连接导通，进行常规的手机使用和操作即可， 保证只有一个SIM卡在使用，避免同时使用不同的SIM卡造成不必要
的花费，同时由于SIM卡模拟开关7可以直接由手机基带处理芯片中 控制，使得手机用户直接通过选择手机操作菜单中的选项就可以直接 控制基带处理芯片进行选择，不需要关机，不同SIM卡之间的切换只 需要20-30秒即可完成，切换较快，使用方便。而且SIM卡插入卡座 内就不用取出，避免因经常插取而影响SIM卡的寿命。
本实用新型的改进的手机，请参考图2，存储卡座通过存储模拟 控制开关6与基带处理芯片连接的具体结构为手机设有两个存储卡 座，存储模拟控制开关6端部具有的MCCMD控制线(MCCMD是Memory Card Command的缩写，表示为存储卡命令，后边的MCCMD1和MCCMD2是用来区分 不同的存储卡命令控制线的)与基带处理芯片连接，存储模拟控制开关6端 部具有的MCCMD1控制线与第一存储卡座4连接，存储模拟控制开关6端部 具有的MCCMD2控制线与第二存储卡座5连接，存储模拟控制开关6通过一 根存储卡控制线(T - FLASH - CTL控制线)控制MCCMD控制线与MCCMD1控 制线连接导通或者是MCCMD控制线与MCCMD1控制线连接导通。进一步具体 为当需要调用或编辑第一存储卡中的数据信息时，用户在菜单中选择第一存 储卡，控制电路控制上述的T-FLASH-CTL控制线处于高电位，此时存储模
拟控制开关6控制其接头E与F连接，使得MCCMD控制线与MCCMDl控制线 连接，进而使得第一存储卡座4和存储卡与基带处理芯片连接导通，再通过 对基带处理芯片的控制完成对手机的该第一存储卡的数据信息调用和编辑 过程。相对应地，当需要调用或编辑第二存储卡中的数椐信息时，用户在菜 单中选择第二存储卡，控制电路控制上述的T - FLASH - CTL控制线处于低电 位，此时存储模拟控制开关6控制其接头E与D连接，使得MCCMD控制线与 MCCMD2控制线连接，进而使得第二存储卡座5和第二存储卡与基带处理芯 片连接，再通过对基带处理芯片的控制完成对手机的该第二存储卡的数据信 息调用和编辑过程。这样，就完全实现了对各存储卡的数据信息的自由调用 和编辑。同时，手机的基带处理芯片还可以连接一个内存条，选择T-FLASH -CTL控制线处于高电位，第一存储卡座4和第一存储卡与基带处理芯片连接 后，可将第一存储卡中的数据信息通过存储模拟控制开端和基带处理芯片存入 内存上的緩沖区内，再选择T-FLASH-CTL控制线位于低电位，使得第二存 储卡座5和第二存储卡与基带处理芯片连接，进而将位于内存緩冲区内的数 据信息复制到第二存储卡中，实现不同存储卡之间数据信息的相互拷贝和备 份，方便可靠。还可以是两个SIM卡座和两个存储卡座， 一个SIM对应一个存 储卡座，这样使用时能够很好的区分，且存储卡之间的信息可以互拷。
本实用新型改进的手机，参考图3,多个SIM卡之间切换的结构具体可以是 SIM卡模拟开关7的N0接口 ( NO接口为Normal Open的缩写，称为平常断 开接口 )与第一SIM卡座2的GND接口(GND接口成为接地接口 )连接，SIM 卡模拟开关7的NC接口 (NC接口为Normal close的缩写，称为平常连接 接口 )与第二 SIM卡座3的GND接口连接，SIM卡模拟开关7通过SIM卡 控制线控制第一 SIM卡座2与基带处理芯片之间导通或第二 SIM卡座3与基 带处理芯片之间导通。进一步具体描述当需要使用第一 SIM卡座2工作时， 在手机菜单中选择第一 SIM卡，SIM卡控制线(也可称为GP03-SIMCARDSEL 控制线)处于高电位，SIM卡模拟开关7的NO接口与COM接口有电压差， C0M接口接地，使得第一SIM卡座2与基带处理芯片连接导通，可以使用第 一 SIM卡进行手才几操作，此时第二SIM卡座3与SIM卡才莫拟开关7的NC接
口连接，但是NC接口与COM接口之间没有电压差，使得第二SIM卡座3处 于非导通状态，基带处理芯片不能对第二SIM卡进行操作。相应地，当需要 使用第二SIM卡时，在手机菜单中选择第二 SIM卡，SIM卡控制线(也可称 为GP03-SIMCARDSEL控制线)，处于低电位，SIM卡模拟开关7的NC接口 与COM接口有电压差，C0M接口接地，使得第二SIM卡座3与基带处理芯片 连接导通，可以使用第二 SIM卡进行手机操作，此时第SIM卡座的GND接口 与SIM卡模拟开关7的N0接口虽然连接，但是N0接口与COM接口之间没有 电压差，使得第一SIM卡处于非导通状态，基带处理芯片不能对第一SIM卡 进行操作，
本实用新型改进的手机所述两个SIM卡座与两个存储卡座对称设置，可 以是上方并排设置两个SIM卡座或存储卡座，然后下方对应设置两个存储卡 座或两个SIM卡座，这样比较结构整齐，不会插错卡。也可以是第一SIM卡 边上设置第一存储卡，第一SIM卡下方或上方设置第二存储卡，第一存储卡 下方或上方设置第二SIM卡，这样设置后，由于SIM卡与存储卡大小不同，
使得结构更加紧凑，手机整体体积更小，携带更方便，外观更小巧。
上述仅对本实用新型中的几种具体实施例加以说明，但并不能作为本实 用新型的保护范围，凡是依据本实用新型中的设计精神所作出的等效变化或 修饰，均应认为落入本实用新型的保护范围。
权利要求1、 一种改进的手机，包括手机壳体(1)和位于所述壳体(1)内部的主板、键盘、显示屏和电池，所述主板上设有SIM卡座、控制电珞和基带处 理芯片，SIM卡位于所述SIM卡座内，所述SIM卡座与所述基带处理芯片连 接，所述控制电路与所述电池和所述SIM卡座连接，其特征在于所述主板 上设置至少两个存储卡座，存储卡位于所述存储卡座内，所述存储卡座均可 通过存储模拟控制开关(6)与所述基带处理芯片连接。
2、 根据权利要求1所述的改进的手机，其特征在于所述主板上至少 设有两个SIM卡座，所述各SIM卡座通过SIM卡模拟开关(7)与所述基带 处理芯片可选择地连接。
3、 根据权利要求1或2所述的改进的手机，其特征在于所述存储模 拟控制开关(6)端部的MCCMD控制线与所述基带处理芯片连接，所述存储 模拟控制开关(6)端部的MCCMD1控制线与所述第一存储卡座(4)连接， 所述存储模拟控制开关(6 )端部的MCCMD2控制线与所述第二存储卡座(5 ) 连接，所述存储模拟控制开关(6)通过存储卡控制线控制所述MCCMD控制松Ki制线 连接。
4、 根据权利要求3所述的改进的手机，其特征在于所述存储卡控制 线处于高电位，所述MCCMD控制线与所述MCCMD1控制线连接，所述第一存 储卡座(4)与所述基带处理芯片连接导通。
5、 根据权利要求3所述的改进的手机，其特征在于所述存储卡控制 线处于低电位，所述MCCMD控制线与所述MCCMD2控制线连接，所述第二存 储卡座(5)与所述基带处理芯片连接导通。
6、 根据权利要求3所述的改进的手机，其特征在于所述基带处理芯 片与手机内存连接。
7、 根据权利要求2所迷的改进的手机，其特征在于所迷SIM卡模拟 开关(7)的NO接口与所述第一 SIM卡座(2)的GND接口连接，所述SIM 卡模拟开关(7)的NC接口与所述第二 SIM卡座(3)的GND接口连接，所 述SIM卡模拟开关(7)通过SIM卡控制线控制所述第一 SIM卡座(2)与所 述基带处理芯片之间导通或所述第二卡座U)与所述基带处理芯片之间导 通。
8、 根据权利要求7所述的改进的手机，其特征在于所述SIM卡控制 线处于高电位，所述SIM卡模拟开关(7)的N0接口与所述第一SIM卡座(2) 的GND接口连接，所述第一SIM卡座(2)与所述基带处理芯片之间导通。
9、 根据权利要求7所述的改进的手机，其特征在于所述SIM卡控制 线处于低电位，所述SIM卡模拟开关(7 )的NC接口与所述第二 SIM卡座(3 ) 的GND接口连接，所述第二SIM卡(3)与所述基带处理芯片之间导通。
10、 根据权利要求2所述的改进的手机，其特征在于所述两个SIM 卡座与所述两个存储卡座对称设置。
专利摘要本实用新型提供一种改进的手机，它包括手机壳体和位于所述壳体内部的主板、键盘、显示屏和电池，所述主板上设有SIM卡座、控制电路和基带处理芯片，SIM卡位于所述SIM卡座内，所述SIM卡座与所述基带处理芯片连接，所述控制电路与所述电池和所述SIM卡座连接，其特征在于所述主板上设置至少两个存储卡座，存储卡位于所述存储卡座内，所述存储卡座均可通过存储模拟控制开关与所述基带处理芯片连接。本实用新型的改进的手机结构简单，成本低，存储量大，各存储卡之间可以进行自由拷贝，可以自由调用各存储卡中信息。
文档编号H04B1/40GK201039146SQ20072015412
公开日2008年3月19日 申请日期2007年5月18日 优先权日2007年5月18日
发明者包旻斐, 吴春峰, 尹 周, 李春光, 杜小鹏, 杨广明, 王晓平, 峰 闫 申请人:深圳市联合同创科技有限公司