一种双低频全频音箱的制作方法

文档序号:7727919阅读:761来源:国知局
专利名称:一种双低频全频音箱的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种音响设备技术领域,特别是涉及一种双低频全频音箱。
背景技术
目前,世界市场上销售的双低频全频音箱一般是由音箱箱体、扬声器及分频电路 构成,其工作原理是将扬声器的后向辐射声波直接与箱体产生直射共振,以还原逼真的现 场音感。但上述这种采用传统直射共振型技术制成的双低频全频音箱,存在的缺点为一是 传统双低频音箱的扬声器后向辐射声波所产生的乱流无法进行有效梳理,而造成了音箱低 频音质浑浊的不良效果,甚至会作用到音箱的箱壁产生共振 从而使得音箱的响应频率窄, 音色清晰度差,声场聚焦差的缺陷问题;二是虽然增加音箱箱体的容积和厚度能部分解决 共振的问题,但是成本高,占用有效的空间大。

发明内容本实用新型的目的是针对上述存在的问题提供一种双低频全频音箱,它能够改进 传统技术中双低频全频音箱声场聚焦差的缺陷,彻底解决了低频浑浊的问题,从而具有丰 富的低频效果,且结构合理,性价比高,功效好。本实用新型是这样构成的,它包括音箱箱体、设于音箱箱体正面的扬声器装置、回 流孔及音频电路装置,其特征是在音箱箱体内侧靠近中间的部位设有一块竖向连接音箱 箱体上面板和下底板的第一乱流梳理板,在第一乱流梳理板的两侧分别设有一块绕射声反 撞板。本实用新型与目前世界上现有的双低频全频音箱相比,具有以下优点1、由于采用乱流梳理设计,故扬声器装置产生的后向辐射声波经过乱流梳理板的 梳理,不仅能够消除双低频后向辐射声波产生的乱流波,而且能够消除后向辐射声波直接 与音箱箱体作用产生共振造成音箱频率响应范围窄的缺陷,从而提高了音箱的响应频率和 音色清晰度。2、由于在音箱箱体内侧设有绕射声反撞板,故根据建筑声学的绕射声相互冲撞会 产生二次共振的原理,使得音箱具有丰富的低频效果,从而提高了音响的音频质量。3、本实用新型结构合理,不仅具有音色清晰、层次感分明的显著优点,使用同样口 径尺寸的扬声器装置制成的音箱低频线性位移可下降30%以上,其音质效果在目前国际与 国内市场同类音箱中独树一帜,而且具有性价比高,功效好的显著优点,其造价与国内的同 类型音箱相同,但远低于国外同类产品,从而大大提高了消费价值和使用价值。


图1是音箱箱体的正面构造示意图。图2是本实用新型实施例一绕射声反撞板竖向设置在靠近乱流梳理板1中间位置 两侧的构造示意图。[0011]图3是本实用新型实施例二绕射声反撞板竖向设置在靠近乱流梳理板I顶部位置 两侧的构造示意图。图4是本实用新型实施例三绕射声反撞板竖向设置在靠近乱流梳理板I底部位置 两侧的构造示意图。图5是本实用新型实施例四音箱箱体的内部构造示意图。图中,1为音箱箱体,2为回流孔,3为第一乱流梳理板,4为第二乱流梳理板,5为绕 射声反撞板,6为高频扬声器,7为中频扬声器,8为低频扬声器,9为音箱箱体的上面板,10 为音箱箱体的下底板。
具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型的双低频全频音箱作进一步说明。参照图1、图2,本实用新型实施例一包括音箱箱体1、设于音箱箱体1正面的扬声 器装置、回流孔2及音频电路装置,其特征是在音箱箱体1内侧靠近中间的部位设有一块 竖向连接音箱箱体上面板9和下底板10的第一乱流梳理板3,在第一乱流梳理板3的两侧 分别设有一块绕射声反撞板5。上述的绕射声反撞板5是竖向设置在靠近第一乱流梳理板 3中间位置的两侧。参照图3,本实用新型实施例二是上述的绕射声反撞板5可以是竖向设置在靠近 第一乱流梳理板3顶部位置的两侧。参照图4,本实用新型实施例三是上述的绕射声反撞板5也可以是竖向设置在靠 近第一乱流梳理板3底部位置的两侧。参照图5,本实用新型实施例四是上述的绕射声反撞板5也可以是竖向设置在靠 近第一乱流梳理板3底部位置的两侧。在上述第一乱流梳理板3的两侧还分别设有一块呈 悬挂式竖向连接于音箱箱体上面板9下方的第二乱流梳理板4。本实用新型在具体实施时还具有以下技术特征为了突显各种乐器及人声的表现力,产生音色层次感分明的效果,上述的扬声器 装置包括高频扬声器6、中频扬声器7、低频扬声器8,上述的高频扬声器6与低频扬声器8 同轴安装,上述的中频扬声器7设于同轴安装的高频扬声器6和低频扬声器8的上方,上述 的回流孔2是开设在同轴安装的高频扬声器6和低频扬声器8的下方。为了防止低频短路现象,提高音频质量,延长扬声器装置的使用寿命,上述的扬声 器装置是一对高频扬声器6、中频扬声器7和低频扬声器8,上述的回流孔2设有两个。本实用新型根据乱流梳理设计,及根据建筑声学的绕射声相互冲撞会产生二次共 振的原理,通过合理地利用电子分频线路制作而成,具有丰富的低频效果,其音质效果在目 前国际与国内市场同类音箱中独树一帜。此外,本实用新型音箱的响应频率宽,音色清晰度好,性价比高,例如使用本实用 新型制作的双10时全频音箱的频率响应范围可达到55HZ-18KHZ(士2. 5db),其造价与国内 的同类型音箱相同,但远低于国外同类产品,具有较大的推广应用价值。本实用新型构造的来述部分与现有技术相同。
权利要求一种双低频全频音箱,包括音箱箱体(1)、设于音箱箱体正面的扬声器装置、回流孔(2)及音频电路装置,其特征是在音箱箱体内侧靠近中间的部位设有一块竖向连接音箱箱体上面板(9)和下底板(10)的第一乱流梳理板(3),在第一乱流梳理板的两侧分别设有一块绕射声反撞板(5)。
2.根据权利要求1所述的一种双低频全频音箱,其特征是所述的绕射声反撞板(5) 是竖向设置在靠近第一乱流梳理板(3)中间位置的两侧。
3.根据权利要求1所述的一种双低频全频音箱,其特征是所述的绕射声反撞板(5) 是竖向设置在靠近第一乱流梳理板(3)顶部位置的两侧。
4.根据权利要求1所述的一种双低频全频音箱,其特征是所述的绕射声反撞板(5) 是竖向设置在靠近第一乱流梳理板(3)底部位置的两侧。
5.根据权利要求1或4所述的一种双低频全频音箱,其特征是在所述第一乱流梳理 板(3)的两侧还分别设有一块呈悬挂式竖向连接于音箱箱体上面板(9)下方的第二乱流梳 理板⑷。
6.根据权利要求1所述的一种双低频全频音箱,其特征是所述的扬声器装置包括高 频扬声器(6)、中频扬声器(7)、低频扬声器(8),所述的高频扬声器(6)与低频扬声器(8) 同轴安装,所述的中频扬声器(7)设于同轴安装的高频扬声器和低频扬声器的上方,所述 的回流孔(2)是开设在同轴安装的高频扬声器和低频扬声器的下方。
7.根据权利要求1或6所述的一种双低频全频音箱,其特征是所述的扬声器装置是 一对高频扬声器(6)、中频扬声器(7)和低频扬声器(8)。
8.根据权利要求1或6所述的一种双低频全频音箱,其特征是所述的回流孔(2)设 有两个。
专利摘要本实用新型涉及一种音响设备技术领域,特别是涉及一种双低频全频音箱。它包括音箱箱体、设于音箱箱体正面的扬声器装置、回流孔及音频电路装置,其特征是在音箱箱体内侧靠近中间的部位设有一块竖向连接音箱箱体上面板和下底板的第一乱流梳理板,在第一乱流梳理板的两侧分别设有一块绕射声反撞板。本实用新型能够改进传统技术中双低频全频音箱声场聚焦差的缺陷,彻底解决了低频浑浊的问题,从而具有丰富的低频效果,且结构合理,性价比高,功效好。
文档编号H04R5/02GK201601815SQ20092013887
公开日2010年10月6日 申请日期2009年6月16日 优先权日2009年6月16日
发明者王利金, 邓永成 申请人:王利金;邓永成
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