专利名称：一种磁路结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种磁路结构。
技术背景现有技术的音箱用磁路结构如图1所示，其结构是在轭铁01内放置磁石02，在磁 石02的顶部(也就是轭铁形腔开口处)设置一中心上板03，在轭铁01的开口处两侧设有 外围上板04，中心上板03与外围上板04之间留有气隙05，由轭铁01-外围上板04-中心 上板03形成封闭的磁场路径，但该磁路结构在开口处磁漏严重，导致磁能利用率较低。
发明内容本实用新型的目的是为了克服上述现有技术的缺点，提供一种可减少磁漏、增加 磁能利用率的磁路结构。为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案为一种磁路结构，包括有轭铁、磁 石、第一中心上板和外围上板，磁石放置于轭铁形腔内，第一中心上板设于磁石的顶部，外 围上板设于轭铁的开口处两侧，第一中心上板与外围上板之间形成有气隙，于第一中心上 板的顶部设有反向磁石。在反向磁石的顶部放置有第二中心上板。上述轭铁开口处侧壁上接近外围上板的位置开有凹槽。本技术方案的优点是通过在第一中心上板的顶部增加反向磁石，该反向磁石与 轭铁形腔内的磁石之磁场呈互斥关系，用以减少上述磁路结构的磁漏及增加磁能利用率。
图1是现有技术磁路结构的示意图；图2是本实用新型磁路结构的示意图；图3为图1中沿测试线(10)所得的磁漏量图。
具体实施方式
现结合附图详细阐述本实用新型本实施例的磁路结构包括有轭铁1、磁石2、第一中心上板3和外围上板4，磁石2 放置于轭铁形腔5内，第一中心上板3设于磁石2的顶部，外围上板4设于轭铁1的开口处 两侧，第一中心上板3与外围上板4之间形成有气隙6，于第一中心上板3的顶部设有反向 磁石7，在反向磁石7的顶部放置有第二中心上板8，第二中心上板8可起到防止反向磁石2 之上方磁漏并增加本磁路结构的磁通量，上述轭铁开口处侧壁上接近外围上板4的位置开 有凹槽9，凹槽9的存在可减少磁力线旁通。从附图3中得出，沿图1中的测试线(10)测量磁漏情况，可见本实用新型的磁路
结构磁漏非常小。[0014] 上述参照实施例对该磁路结构进行的描述是说明性的而不是限定性的，因此在不 脱离实用新型总体构思下的变化和修改，应属于本实用新型的保护范围之内。
权利要求一种磁路结构，包括有轭铁、磁石、第一中心上板和外围上板，磁石放置于轭铁形腔内，第一中心上板设于磁石的顶部，外围上板设于轭铁的开口处两侧，第一中心上板与外围上板之间形成有气隙，其特征在于于第一中心上板的顶部设有反向磁石。
2.根据权利要求1所述的一种磁路结构，其特征在于在反向磁石的顶部放置有第二 中心上板。
3.根据权利要求1所述的一种磁路结构，其特征在于上述轭铁开口处侧壁上接近外 围上板的位置开有凹槽。
专利摘要本实用新型公开一种磁路结构，包括有轭铁、磁石、第一中心上板和外围上板，磁石放置于轭铁形腔内，第一中心上板设于磁石的顶部，外围上板设于轭铁的开口处两侧，第一中心上板与外围上板之间形成有气隙，于第一中心上板的顶部设有反向磁石，在反向磁石的顶部放置有第二中心上板，上述轭铁开口处侧壁上接近外围上板的位置开有凹槽，本技术方案的优点是通过在第一中心上板的顶部增加反向磁石，该反向磁石与轭铁形腔内的磁石之磁场呈互斥关系，用以减少上述磁路结构的磁漏及增加磁能利用率。
文档编号H04R9/02GK201733433SQ201020295449
公开日2011年2月2日 申请日期2010年8月18日 优先权日2010年8月18日
发明者徐庆山 申请人:佛山鋐利电子有限公司