专利名称：一种耳机扬声器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种扬声器，特别涉及一种能根据实际使用情况调节声压的耳机扬声器。
背景技术：
现有的耳塞机或耳机的内部都装有一个扬声器，该扬声器内置的振动膜片在线圈的作用下通过振动空气来发声。在现有的扬声器结构中，线圈安装在磁轭的凹槽内，当线圈通过电流时即在磁场的作用下产生电动力推动音膜产生振动，为了保持灵敏度线圈通常处于磁轭中磁场最强的位置，当在大音量工作时，将会产生过高的声压，对使用者的听力造成损伤。为了克服上述问题，通常会采用增加损耗的办法以降低其产生的电动力，如在线圈回路中串入电阻、或采用磁性相对较弱的材料以实现降低声压，保护使用者听力的目的。虽然其能够达到降低声压的目的，但是通常这些改变对于耳机扬声器的音质影响较大，只能满足低档次产品的需求。如想达到对音质的影响最小而产生的声压又能达到要求时，则对所用材料的匹配性能要求会很高，即对磁性材料的一致性和磁场强度的匹配性都提出了较高的要求，在实际的生产过程中将很难做到。
实用新型内容本实用新型的实用新型目的在于针对上述存在的问题，提供一种能够根据实际使用材料的情况，在现有扬声器的基础上，通过调整线圈与磁轭相互对应位置来完成降低声压的耳机扬声器。本实用新型的技术方案是这样实现的一种耳机扬声器，包括底座和音膜组合体， 音膜组合体设置于底座的上方，在所述底座上设置有凹槽结构的磁轭，在所述磁轭内设置有磁体，所述磁体周边与磁轭内壁之间形成环形凹槽，所述音膜组合体包括振动膜片以及设置在振动膜片上的线圈，其特征在于所述磁轭与底座的相对安装位置可调节，其以磁轭上表面为基准，使所述线圈的下端面相对于磁轭的上表面在负0. 2mm 2. Omm范围内调节移动。本实用新型通过改变现有线圈与磁轭之间对应的位置，根据实际情况使线圈处于不同的磁场范围中，以实现降低声压的目的。
图1是本实用新型的结构示意图。图中标记1为底座，2为磁轭，3为磁体，4为环形凹槽，5为振动膜片，6为线圈。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。实施例1 如图1和2所示，一种耳机扬声器，包括底座1和音膜组合体，音膜组合体设置于底座1上，在所述底座1上设置有凹槽结构的磁轭2，在所述磁轭2内设置有磁体 3，所述磁体3周边与磁轭2内壁之间形成环形凹槽4，所述音膜组合体包括振动膜片5以及设置在振动膜片5上的线圈6，所述振动膜片5的周边放置于底座1内的台阶处，所述磁轭2 与底座1的相对安装位置可根据实际情况进行调整，其以磁轭2上表面为基准，通过调整磁轭2与底座1的相对位置，使所述线圈6的下端面相对于磁轭2的上表面在负0. 2mm位置， 即线圈有0. 2mm的部分置于磁体与磁轭形成的环形凹槽中，此时线圈在该磁场下振动空气来发声。实施例2 以磁轭2上表面为基准，通过调整磁轭2与底座1的相对位置，使所述线圈6的下端面相对于磁轭2的上表面在Omm位置，即线圈的下端面与磁轭的上表面在同一水平面上，此时线圈在该磁场下振动空气来发声。实施例3 以磁轭2上表面为基准，通过调整磁轭2与底座1的相对位置，使所述线圈6的下端面相对于磁轭2的上表面相距2mm位置，此时线圈在该磁场下振动空气来发声。在安装过程中，根据实际情况，通过仪器测试，以磁轭上表面为基准，通过调整磁轭2与底座1的相对位置，使线圈与磁轭的对应位置在一定范围内进行调整，从而实现降低声压的目的。该技术方案在不改变现有结构的前提下，仅通过改变现有结构中线圈与磁轭的相对位置关系，以达到降低声压的目的，其操作方式简单，实用。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1. 一种耳机扬声器，包括底座(1)和音膜组合体，音膜组合体设置于底座(1)的上方， 在所述底座(1)上设置有凹槽结构的磁轭(2 )，在所述磁轭(2 )内设置有磁体(3 )，所述磁体 (3)周边与磁轭(2)内壁之间形成环形凹槽(4)，所述音膜组合体包括振动膜片(5)以及设置在振动膜片(5)上的线圈(6)，其特征在于所述磁轭(2)与底座(1)的相对安装位置可调节，其以磁轭(2)上表面为基准，使所述线圈(6)的下端面相对于磁轭(2)的上表面在负 0. 2mm 2. Omm范围内调节移动。
专利摘要本实用新型公开了一种耳机扬声器，包括底座和音膜组合体，音膜组合体设置于底座的上方，在所述底座上设置有凹槽结构的磁轭，在所述磁轭内设置有磁体，所述磁体周边与磁轭内壁之间形成环形凹槽，所述音膜组合体包括振动膜片以及设置在振动膜片上的线圈，所述磁轭与底座的相对安装位置可调节，其以磁轭上表面为基准，使所述线圈的下端面相对于磁轭的上表面在负0.2mm～2.0mm范围内调节移动。本实用新型通过改变现有线圈与磁轭之间对应的位置，根据实际情况使线圈处于不同的磁场范围中，以实现降低声压的目的。
文档编号H04R1/10GK202095067SQ20112020561
公开日2011年12月28日 申请日期2011年6月17日 优先权日2011年6月17日
发明者陈奚平 申请人:陈奚平