专利名称：V波段低噪声接收机的制作方法
技术领域：
本实用新型属于毫米波器件与技术领域，且技术体制先进的新型接收通信部件，具体涉及的是一种V波段低噪声接收机。
背景技术：
随着航空航天事业的不断发展和进步，对质量体积的要求以及微波毫米波大气层衰减的限制，分米波段、厘米波段，甚至较低毫米波段的使用已经出现饱和迹象，这将要求微波通信需向更高频段搬移。目前国内在V波段的接收技术还处于研发攻关阶段，国际上在该波段的接收技术相对成熟，但由于地域原因，我们无法借鉴其相对成熟的技术。目前国际上最先进的V波段(60 62GHz)接收噪声系数在4.5dB，价格昂贵，且严格控制销售；国内在V波段(60 62GHz)的接收噪声系数可控制在6dB内，基本处于实验室阶段，大都采取模块化设计，导致体积庞大，质量较大。
发明内容本实用新型的目的是针对现有产品的不足，提供一种技术指标比较优良的V波段低噪声接收机，其结构紧凑，容易调试，能有效地提高V波段毫米波高速宽带无线接收系统的要求。本实用新型的技术方案如下:一种V波段低噪声接收机，包括屏蔽的盒体，盒体内设有空腔，空腔内设有微波电路；盒体上设有输入波导、输入端子和输出端子，所述微波电路的接收信号输入端连接输入波导，微波电路的本振信号输入端连接输入端子，微波电路的信号输出连接所述输出端子。所述微波电路烧结在介质板上；所述微波电路包括微带转换探针、低噪声放大器、倍频滤波器、谐波混频器和中频放大滤波器，所述接收信号由输入波导传入微带转换探针，然后经微带传到低噪声放大器后，再经微带传到谐波混频器，所述本振信号由输入端子经微带传到倍频滤波器后，再经微带传到谐波混频器，混频后信号经微带传到中频放大滤波器后，通过微带传到输出端子。两级依次连接的MMIC芯片以及两MMIC芯片相应的单层电容构成低噪声放大器；依次连接的MMIC芯片和微带滤波器，以及MMIC芯片相应的单层电容构成倍频滤波器；一级MMIC芯片及相应的单层电容构成谐波混频器；两级MMIC芯片和两级MMIC芯片之间的微带滤波器，以及两MMIC芯片相应的单层电容构成中频放大滤波器；各个MMIC芯片及相应的单层电容均铺设在微带上；各个MMIC芯片的电源输入端经穿心电容耦合外部电源。所述MMIC芯片是GaAs材料毫米波芯片。所述输入、输出端子是2.92mm K接头。所述介质板的材质是热膨胀系数与GaAs材料热膨胀相近的可伐合金材料；可以是ROGERS公司的RT5880型微波板。所述输入波导是B1-620波导接口。所述波导口的宽边与微带转换探针插入的方向垂直。本实用新型MMIC芯片优选GaAs材料毫米波芯片，其工艺水平很高，性能优良，设计的电路比较简单，不需要过多考虑MMIC和微带线匹配方面的问题，易于调试。[0009]本实用新型具有优良的技术指标，调试方便，成本低。是一种工作频率高、波长短、功耗小、噪声低、通信容量大、集成一体化等优秀特点的新型通信部件，该部件可极大降低通信系统整体噪声系数、整体体积，改善通信系统的作用距离和整体质量。
图1是实施例中本实用新型的电路结构示意图；图2是实施例中本实用新型的主视图；图3是实施例中本实用新型的后视图；图4是实施例中本实用新型的原理框图。
具体实施方式
以下结合附图与具体实施方式
对本技术方案进一步说明如下:一种V波段低噪声接收机，包括屏蔽的盒体1，盒体I内设有空腔，空腔内设有微波电路；盒体I上设有输入波导、输入端子和输出端子，所述微波电路的接收信号输入端连接输入波导6,微波电路的本振信号输入端连接输入端子7.1,微波电路的信号输出连接所述输出端子7.2。所述微波电路烧结在介质板上；所述微波电路包括微带转换探针2、低噪声放大器、倍频滤波器、谐波混频器和中频放大滤波器，所述接收信号由输入波导传入微带转换探针，然后经微带传到低噪声放大器后，再经微带传到谐波混频器，所述本振信号由输入端子经微带传到倍频滤波器后，再经微带传到谐波混频器，混频后信号经微带传到中频放大滤波器后，通过微带传到输出端子。如图1，所述低噪声放大器包括两级MMIC芯片4.2和4.3及相应的单层电容；所述倍频滤波器包括一级MMIC芯片4.4、微带滤波器5.2及相应的单层电容；所述谐波混频器包括一级丽IC芯片4.1及相应的单层电容；所述中频放大滤波器包括两级丽IC芯片4.5和4.6、微带滤波器5.1及相应的微波电容，各级MMIC芯片及相应的单层电容、微波电容均铺设在微带上；所述MMIC芯片4.1、4.2、4.3、4.4的电源输入端3.1、3.2和3.5经穿心电容
8.1耦合外部电源，所述丽IC芯片4.5、4.6的电源输入端3.3、3.4经穿心电容8.2耦合外部电源。本例的丽IC芯片是GaAs材料毫米波芯片；输入端子、输出端子是2.92mm K接头；介质板的材质是热膨胀系数与GaAs材料热膨胀相近的可伐合金材料，具体是ROGERS公司的RT5880型微波板；输入波导是BJ-620波导接口，所述波导接口的宽边与微带转换探针2插入的方向垂直。本例的微波板具有很高的强度和环境温度性能。本例的所有MMIC芯片均采用烧结工艺将其装配在可伐合金材料(其热膨胀系数与GaAs材料热膨胀系数相近)的介质上，再与屏蔽盒体装配。使得整个结构比较紧凑，具有体积小重量轻的特点。本节接收机通过合理设计，可以使V波段低噪声接收机一体化设计，从而减小系统体积、质量，并提高接收机整机技术参数、使用性能和可靠性通过实验证明，本实用新型能够达到以下技术指标:输入射频频率:60 62GHz[0023]输入射频端口:BJ_620线性增益:彡50dB噪声系数:彡5dB输入本振频率:X波段输入本振功率:5 IOdBm本振信号端口:SMA_K输出中频频率:S波段输出中频P_ldB: ^ 8dBm ；输出中频端口:SMA-K输入/输 出驻波:< 2.0:功耗:S0.5W
权利要求1.一种V波段低噪声接收机，包括屏蔽的盒体，盒体内设有空腔，空腔内设有微波电路；盒体上设有输入波导、输入端子和输出端子；所述微波电路的接收信号输入端连接输入波导，微波电路的本振信号输入端连接输入端子，微波电路的信号输出连接所述输出端子; 其特征是所述微波电路烧结在介质板上；所述微波电路包括微带转换探针、低噪声放大器、倍频滤波器、谐波混频器和中频放大滤波器；所述接收信号由输入波导传入微带转换探针，然后经微带传到低噪声放大器后，再经微带传到谐波混频器；所述本振信号由输入端子经微带传到倍频滤波器后，再经微带传到谐波混频器，混频后信号经微带传到中频放大滤波器后，最后通过微带传到输出端子。
2.根据权利要求1所述的V波段低噪声接收机，其特征是 两级依次连接的MMIC芯片以及两MMIC芯片相应的单层电容构成低噪声放大器； 依次连接的丽IC芯片和微带滤波器，以及丽IC芯片相应的单层电容构成倍频滤波器； 一级MMIC芯片及相应的单层电容构成谐波混频器； 两级MMIC芯片和两级MMIC芯片之间的微带滤波器，以及两MMIC芯片相应的单层电容构成中频放大滤波器； 各个MMIC芯片及相应的单层电容均铺设在微带上；各个MMIC芯片的电源输入端经穿心电容稱合外部电源。
3.根据权利要求2所述的V波段低噪声接收机，其特征是所述MMIC芯片是GaAs材料晕米波、微波芯片。
4.根据权利要求1或2或3所述的V波段低噪声接收机，其特征是所述输入端子和输出端子是2.92mm K接头。
5.根据权利要求3所述的V波段低噪声接收机，其特征是所述介质板的材质是热膨胀系数与GaAs材料热膨胀相近的可伐合金材料。
6.根据权利要求5所述的V波段低噪声接收机，其特征是所述介质板是ROGERS公司的RT5880型微波板。
7.根据权利要求1或2或3所述的V波段低噪声接收机，其特征是所述输入波导是BJ-620波导接口。
8.根据权利要求7所述的V波段低噪声接收机，其特征是所述波导口的宽边与微带转换探针插入的方向垂直。
专利摘要一种V波段低噪声接收机，包括屏蔽的盒体，盒体内设有空腔，空腔内设有微波电路；盒体上设有输入波导、输入端子和输出端子；所述微波电路的接收信号输入端连接输入波导，微波电路的本振信号输入端连接输入端子，微波电路的信号输出连接所述输出端子；其特征是所述微波电路烧结在介质板上；所述微波电路包括微带转换探针、低噪声放大器、倍频滤波器、谐波混频器和中频放大滤波器；所述接收信号由输入波导传入微带转换探针，然后经微带传到低噪声放大器后，再经微带传到谐波混频器；所述本振信号由输入端子经微带传到倍频滤波器后，再经微带传到谐波混频器，混频后信号经微带传到中频放大滤波器后，最后通过微带传到输出端子。
文档编号H04B1/16GK203057122SQ20122074475
公开日2013年7月10日 申请日期2012年12月31日 优先权日2012年12月31日
发明者张君, 欧阳建伟, 韩琳, 武永 申请人:南京才华科技集团有限公司