被动辐射式音箱改良结构的制作方法

文档序号:7998344阅读:488来源:国知局
被动辐射式音箱改良结构的制作方法
【专利摘要】一种被动辐射式音箱改良结构,包含有一箱体、一被动辐射部件、至少一个扬声器单体,其中该箱体透过隔板形成一内腔室及一导音通道,而该箱体表面设有一与该导音通道相连接的出风口,而该被动辐射部件设于隔板与隔板之间,同时藉由该隔板及该被动辐射部件将该扬声器单体包围于该内腔室内,因此当该扬声器单体震动发声时,其内腔室内部分声压会透过该被动辐射部件穿出该内腔室,并延着该导音通道,将声压由该出风口释出。
【专利说明】被动辐射式音箱改良结构

【技术领域】
[0001] 本发明关于一种被动辐射式音箱改良结构,特别是指一种能够改善反射式音箱与 被动幅射式音箱所发生的风切声与低频控制问题。

【背景技术】
[0002] -般喇叭单体或扬声器单体为一质量、弹性作用及阻尼的复合体,当喇叭单体振 动时,产生音波,其原理是以其悬吊系统的弹性作用产生振动。若将喇叭单体装设于音箱 内,因为音箱内就具有空气,而空气本身就具有质量,当喇叭单体产生声压,压缩音箱内的 空气时,就如同空气呈压力波的状态于音箱中行进。
[0003] 而现今为了使音箱能达到更好的效果,故设计了被动式音箱与反射式音箱,其中 被动式音箱1如图1A及图1B所示,于封闭式的音箱环境中设置有至少一个的被动元件12, 而该被动元件12设置于扬声器单体11背后或是扬声器单体同一平面上,如此将能够增加 被动式音箱1内的阻尼效应,并缓冲被动式音箱1内的声压,以减少扬声器单体11发声时 所造成的被动式音箱音箱振动,并有效提高其低频效果。
[0004] 而另一种的反射式音箱2则是于音箱上开设一具有开孔221的回音管22,如图2A 及图2B所示,则分别设置于扬声器单体21同一侧或是不同一侧上,因此当该扬声器单体21 震动时,该回音管22能够因音箱内部空气挤压所产生的声压来提升低音的低量感,以使反 射式音箱2能够具有良好共振效果表现。
[0005] 但上述两种音箱(被动式音箱、反射式音箱),则必须对被动元件或是回音管进行 良好的规划与设计,以反射式音箱来说,音箱尺寸和回音的开孔管的大小、位置及形状都会 影响到低频的变化,因此当设计被动式音箱或反射式音箱时,若有设计不良情况发生时,容 易对音箱的整体效率及的音色取向皆具有重大的影响,故被动式音箱与反射式音箱的设计 尤其复杂,故非常难拿捏,因此很难进行有效的控制,故能够达到的低频控制有限;而除了 上述缺点之外,由于控制不易,因此容易导致成品有风切声的问题产生,因此急需有良善的 解决方法来改善目前被动式音箱与反射式音箱所造成的问题。
[0006] 因此,若能够建立一套一种被动福射式音箱改良结构,能够结合被动式音箱与反 射式音箱的结构特征,并藉此改善被动式音箱与反射式音箱所造成的风切声与低频控制不 良的问题,如此应为一最佳解决方案。


【发明内容】

[0007] 本发明的目的在于提供一种被动辐射式音箱改良结构,其结构简单,操作方便,结 合了被动式音箱与反射式音箱的结构特征,以藉此改善被动式音箱与反射式音箱所造成的 风切声与低频控制不良的问题。
[0008] 为实现上述目的,本发明公开了一种被动辐射式音箱改良结构,其中该音箱装置 包含一箱体,透过隔板形成一内腔室及一导音通道,而该箱体表面设有一与该导音通道相 连接的出风口;一被动福射部件,为一振动膜左右两端各设置有一悬边,而该被动福射部件 设于隔板与隔板之间,因此该振动膜左右两端的悬边皆与该隔板相连接;至少一个扬声器 单体,藉由该隔板及该被动辐射部件将该扬声器单体包围于该内腔室内,而该扬声器单体 的振膜结合于该箱体的内腔室的一侧面上,且该被动辐射部件设置于该扬声器单体下方; 于该扬声器单体震动发声时,其内腔室内部分声压会透过该被动辐射部件穿出该内腔室, 并延着该导音通道,将声压由该出风口释出。
[0009] 更具体的说,所述导音通道上能够设置至少一个反射板,其中该反射板的两端与 该箱体内侧面相连接。
[0010] 更具体的说,所述扬声器单体的振膜所设置的位置与该被动辐射部件的位置呈90 度角设直。
[0011] 更具体的说,所述出风口设置于该扬声器单体的振膜位置不同一侧的箱体表面 上。
[0012] 而除了上述实施结构之外,本发明更具有另一实施结构,该被动辐射式音箱改良 结构,包含有一箱体,透过隔板形成一内腔室及一导音通道,而该箱体表面设有一与该导音 通道相连接的出风口; 一被动辐射部件,为一振动膜左右两端各设置有一悬边,而该被动辐 射部件设于隔板与隔板之间,因此该振动膜左右两端的悬边皆与该隔板相连接;至少一个 扬声器单体,藉由该隔板及该被动辐射部件将该扬声器单体包围于该内腔室内,而该扬声 器单体的振膜结合于该箱体的内腔室的一侧面上,且该被动辐射部件设置于该扬声器单体 后方;于该扬声器单体震动发声时,其内腔室内部分声压会透过该被动辐射部件穿出该内 腔室,并延着该导音通道,将声压由该出风口释出。
[0013] 更具体的说,所述导音通道上能够设置至少一个反射板,其中该反射板的两端与 该箱体内侧面相连接。
[0014] 更具体的说,所述扬声器单体的振膜所设置的位置与该被动辐射部件的位置为平 行设置。
[0015] 更具体的说,所述出风口设置于该扬声器单体的振膜位置同一侧的箱体表面上。
[0016] 通过上述结构,本发明实现了如下技术效果:
[0017] 1.不仅结合了被动式音箱与反射式音箱的结构特征,并能够改善因被动式音箱与 反射式音箱设计不良所导致的风切声与低频控制的问题。
[0018] 2.将内腔室内的部分声压透过该被动辐射部件传出,并再经由导音通道与反射板 的配合,将能够使传出的部分声压顺利通过该导音通道,且由出风口传出,故能够有效的解 决低频控制效果不佳的问题。

【专利附图】

【附图说明】
[0019] 图1A :习用被动式音箱的内部结构示意图。
[0020] 图1B :习用被动式音箱的内部结构示意图。
[0021] 图2A :习用反射式音箱的内部结构示意图。
[0022] 图2B :习用反射式音箱的内部结构示意图。
[0023] 图3A :本发明被动辐射式音箱改良结构的第一实施内部结构示意图。
[0024] 图3B :本发明被动福射式音箱改良结构的第一实施震动发声不意图。
[0025] 图4A :本发明被动辐射式音箱改良结构的第二实施内部结构示意图。
[0026] 图4B :本发明被动福射式音箱改良结构的第二实施震动发声不意图。
[0027] 图5A :本发明被动辐射式音箱改良结构的声压位准的正面量测波形图。
[0028] 图5B :习用传统反射式音箱结构的声压位准的正面量测波形图。
[0029] 图6A :本发明被动辐射式音箱改良结构的声压位准的出风口量测波形图。
[0030] 图6B :习用传统反射式音箱结构的声压位准的回音管量测波形图。

【具体实施方式】
[0031] 有关于本发明的前述及其他技术内容、特点与功效,在以下配合参考图式的较佳 实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。
[0032] 请参阅图3A,为本发明被动辐射式音箱改良结构的第一实施内部结构示意图,该 音箱装置3包含有一箱体31,该箱体31内透过可为L型的隔板33形成一内腔室34及一可 为L型的导音通道35,而该箱体31表面更设有一与该导音通道35相连接的出风口 311,该 出风口 311设置于该扬声器单体32的振膜321位置不同一侧的箱体31表面上;另外该箱 体31内的隔板33具有一被动福射部件36,该被动福射部件36为一振动膜362左右两端各 设置有一悬边361,而该振动膜362左右两端的悬边361皆与该隔板33相连接。
[0033] 该隔板33及该被动辐射部件36能够将至少一个扬声器单体32包围于该内腔室 34内,由于该内腔室34的一侧面上(在箱体31表面上)具有一开孔,而该扬声器单体32的 振膜321定位于该开孔处,因此该扬声器单体32的振膜321结合于该箱体31的内腔室34 的一侧面上,而该被动辐射部件36设置于该扬声器单体32下方,并使该扬声器单体32的 振膜321所设置的位置与该被动辐射部件36的位置呈90度角设置;如图3B所示,当该扬 声器单体32震动发声时,该内腔室34内的部分声压会先向下接触该被动辐射部件36,由于 该被动辐射部件36受到声压的震动,能够再将声压透过振动穿出该内腔室34,并延着该导 音通道35,即可将声压由该出风口 311释出。
[0034] 另外,由图3A及图3B中可知,靠近该被动辐射部件的导音通道35处能够设置至 少一个反射板37,该反射板37位于该被动辐射部件36的下方,该反射板37的两端与该箱 体31内侧面相连接,因此当声压由该被动辐射部件36的振动模362传出后,能够藉由该反 射板37将声压反弹至该导音通道35,以避免穿出声压被消耗。
[0035] 而除了第一实施例之外,更有第二种实施方式,如图4A及图4B所示,其中该音箱 装置4亦有箱体41,该箱体41内透过可为L型的隔板43形成一内腔室44及一可为L型 的导音通道45,该箱体41表面亦设有一与该导音通道45相连接的出风口 411,且设置于该 隔板43的被动福射部件46,该被动福射部件46为一振动膜462左右两端各设置有一悬边 461,而该振动膜462左右两端的悬边461皆与该隔板43相连接。
[0036] 与第一实施例不同之处在于,该第二实施例的扬声器单体42的振膜421所设置的 位置与该被动辐射部件46的位置为平行设置,而该出风口 411设置于该扬声器单体42的 振膜421位置同一侧的箱体41表面上,由图4B中可知,当该扬声器单体42震动发声时,该 内腔室44内的部分声压会向后接触该被动辐射部件46,由于该被动辐射部件46受到声压 的震动,能够再将声压透过振动穿出该内腔室44,并延着该导音通道45,即可将声压由该 出风口 411释出。
[0037] 另外,亦能够于该靠近该被动辐射部件46的导音通道45处设置至少一个反射板 47,该反射板47位于该被动辐射部件46的侧方,该反射板47的两端与该箱体41内侧面相 连接,因此当声压由该被动辐射部件46的振动膜462传出后,能够藉由该反射板47将声压 反弹至该导音通道45,以避免穿出声压被消耗。
[0038] 而以本发明的被动福射式音箱改良结构与传统式反射式音箱结构进行SPL声压 位准的测量,由图5A及图5B中可知,于正面进行声压位准的测量,其中本发明的被动辐射 式音箱改良结构的测试结果如图5A所示,低频能够维持到65Hz才向下滑,但由图5B中可 知,为传统式反射式音箱结构,亦是于正面进行声压位准的测量,但由图中明显可知,低频 95Hz则开始往下掉,由此可知,一般传统式反射式音箱结构对于低频时的控制稳定度及低 频延伸较本发明的被动辐射式音箱改良结构差。
[0039] 而除了于正面量测SPL声压位准之外,更能够于本发明的被动辐射式音箱改良结 构的出风口处进行近音场测试,由图6A中可知,于低频53Hz?310Hz之间,有较宽的频带, 但由图6B的传统式反射式音箱结构的回音管处进行近音场测试可知,于120Hz左右才有些 微凸起的频带,由此可知,相较于一般传统式反射式音箱结构,本发明的被动辐射式音箱改 良结构的低频回应较好,故低频表现优于一般传统式反射式音箱结构。
[0040] 本发明所提供的被动辐射式音箱改良结构,与其他习用技术相互比较时,优点如 下:
[0041] 1.本发明的一种被动福射式音箱改良结构,结合被动式音箱与反射式音箱的结 构特征,并能够改善因被动式音箱与反射式音箱设计不良所导致的风切声与低频控制的问 题。
[0042] 2.本发明将内腔室内的部分声压透过该被动辐射部件传出,并再经由导音通道与 反射板的配合,将能够使传出的部分声压顺利通过该导音通道,且由出风口传出,故能够有 效的解决低频控制效果不佳的问题。
[〇〇43] 藉由以上较佳具体实施例的详述,希望能更加清楚描述本发明的特征与精神,而 并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地,其目的是希望 能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的专利范围的范畴内。
【权利要求】
1. 一种被动福射式音箱改良结构,其特征在于包含有: 一箱体,透过隔板形成一内腔室及一导音通道,而该箱体表面设有一与该导音通道相 连接的出风口; 一被动福射部件,为一振动膜左右两端各设置有一悬边,而该被动福射部件设于隔板 与隔板之间,因此该振动膜左右两端的悬边皆与该隔板相连接; 至少一个扬声器单体,藉由该隔板及该被动辐射部件将该扬声器单体包围于该内腔室 内,而该扬声器单体的振膜结合于该箱体的内腔室的一侧面上,且该被动辐射部件设置于 该扬声器单体下方; 于该扬声器单体震动发声时,其内腔室内部分声压会透过该被动辐射部件穿出该内腔 室,并延着该导音通道,将声压由该出风口释出。
2. 如权利要求1所述的被动辐射式音箱改良结构,其特征在于,该导音通道上能够设 置至少一个反射板,其中该反射板的两端与该箱体内侧面相连接。
3. 如权利要求1所述的被动福射式音箱改良结构,其特征在于,该扬声器单体的振膜 所设置的位置与该被动辐射部件的位置呈90度角设置。
4. 如权利要求1所述的被动辐射式音箱改良结构,其特征在于,该出风口设置于该扬 声器单体的振膜位置同一侧的箱体表面上。
5. -种被动福射式音箱改良结构,其特征在于包含有: 一箱体,透过隔板形成一内腔室及一导音通道,而该箱体表面设有一与该导音通道相 连接的出风口; 一被动福射部件,为一振动膜左右两端各设置有一悬边,而该被动福射部件设于隔板 与隔板之间,因此该振动膜左右两端的悬边皆与该隔板相连接; 至少一个扬声器单体,藉由该隔板及该被动辐射部件将该扬声器单体包围于该内腔室 内,而该扬声器单体的振膜结合于该箱体的内腔室的一侧面上,且该被动辐射部件设置于 该扬声器单体后方; 于该扬声器单体震动发声时,其内腔室内部分声压会透过该被动辐射部件穿出该内腔 室,并延着该导音通道,将声压由该出风口释出。
6. 如权利要求5所述的被动辐射式音箱改良结构,其特征在于,该导音通道上能够设 置至少一个反射板,其中该反射板的两端与该箱体内侧面相连接。
7. 如权利要求5所述的被动福射式音箱改良结构,其特征在于,该扬声器单体的振膜 所设置的位置与该被动辐射部件的位置为平行设置。
8. 如权利要求5所述的被动辐射式音箱改良结构,其特征在于,该出风口设置于该扬 声器单体的振膜位置不同一侧的箱体表面上。
【文档编号】H04R1/20GK104113796SQ201310130490
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年4月16日 优先权日:2013年4月16日
【发明者】许黄月华, 杨连煌 申请人:淇誉电子科技股份有限公司
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