一种增强型手机信号放大装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种增强型手机信号放大装置，属于移动通信【技术领域】。本实用新型包括室外部分、室内部分、射频同轴电缆；室外部分包括高增益八木天线Ⅰ、高增益八木天线Ⅱ、室外信号收发装置；室内部分包括胶棒天线Ⅰ、胶棒天线Ⅱ、室内信号收发装置；室外信号收发装置包括下行信号滤波器Ⅰ、上行信号放大器Ⅰ、下行信号放大器Ⅰ、上行信号滤波器Ⅰ、双工器Ⅰ；室内信号收发装置包括双工器Ⅱ、下行信号滤波器Ⅱ、上行信号放大器Ⅱ、下行信号放大器Ⅱ、上行信号滤波器Ⅱ。本实用新型结构简单，安装便捷，成本低廉，能够明显提高手机信号强度，保证手机的通话质量，尤其适用于地下室、郊区、厂房等信号较差的地方，并且安全稳定，无额外辐射。
【专利说明】一种增强型手机信号放大装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种增强型手机信号放大装置，属于移动通信【技术领域】。
【背景技术】
[0002]由于我国幅员辽阔，人口分散，通讯资源相对匮乏。因此要从根本上解决这类问题非常困难，毕竟中国移动官方可设立的基站资源有限。但随着科学技术的不断发展，通过结合运用电子技术、通讯技术，设计一种增强型手机信号放大装置成为行之有效的解决方案。目前市面上出现的简易型手机信号放大器的能力有限，在很多场合不能满足使用者的要求，一是电缆长度不够(一般不超过10米)，二是主机辐射范围很小，不能有效覆盖较大的房间，三是室内天线与室外天线信号互扰，容易自激。本实用新型的电缆长度可延长至20-30米，下行信号放大器总增益50分贝以上，当室外天线所安装的位置具有中等以上信号强度时，主机有效辐射半径5米以上，很容易满足较大房间或者较大范围的信号覆盖要求，并且成功避免信号互扰、自激现象。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是:本实用新型提供一种增强型手机信号放大装置，以用于解决手机信号微弱或者不稳定以及普通手机信号放大装置覆盖范围小、自激现象等问题。
[0004]本实用新型技术方案是:一种增强型手机信号放大装置，包括室外部分、室内部分、射频同轴电缆8 ;室外部分包括高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2、室外信号收发装置16 ;室内部分包括胶棒天线I 14、胶棒天线II 15、室内信号收发装置18 ;室外信号收发装置16包括下行信号滤波器I 3、上行信号放大器I 4、下行信号放大器I 5、上行信号滤波器I 6、双工器I 7;室内信号收发装置18包括双工器II 9、下行信号滤波器II 10、上行信号放大器II 11、下行信号放大器II 12、上行信号滤波器II 13;所述室外部分与室内部分通过射频同轴电缆8连接；
[0005]所述高增益八木天线I I通过下行信号滤波器I 3与下行信号放大器I 5连接，下行信号放大器I 5与双工器I 7连接，双工器I 7通过射频同轴电缆8与双工器II 9连接，双工器II 9与下行信号滤波器II 10连接，下行信号滤波器II 10通过下行信号放大器II 12与胶棒天线I 14连接；
[0006]所述胶棒天线II 15通过上行信号滤波器II 13与上行信号放大器II 11连接，上行信号放大器II 11与双工器II 9连接，双工器II 9通过射频同轴电缆8与双工器I 7连接，双工器I 7与上行信号滤波器I 6连接，上行信号滤波器I 6通过上行信号放大器I 4与高增益八木天线II 2连接。
[0007]所述下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中下行信号放大器I 5中的下行信号放大器电路模块包括定值电阻R1、定值电阻R2、定值电阻R3、定值电阻R4、定值电阻R5、定值电阻R6、定值电阻R7、定值电阻R8、耦合电容Cl、耦合电容C2、耦合电容C3、耦合电容C4、耦合电容C5、耦合电容C6、耦合电容C7、耦合电容C8、耦合电容C9、耦合电容C1、耦合电容Cl 1、晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、电抗器L1、电抗器L2、电抗器L5、电抗器L6、电抗器L7 ；
[0008]所述下行信号滤波器I 3与耦合电容C1的一端连接，耦合电容C1的另一端与晶体管T1基极相连，晶体管T1基极还与定值电阻R1的一端、定值电阻R2的一端相连，定值电阻R1的另一端接低，定值电阻R2的另一端通过耦合电容C2接地，晶体管T1集电极分别与电抗器L6的一端、稱合电容C3的一端相连，电抗器L6的另一端与定值电阻R4的一端相连，电抗器L6的另一端还与定值电阻R3的一端、耦合电容C4的一端连接，定值电阻R3的另一端与耦合电容C2的不接地端相连，耦合电容C4的另一端接地，耦合电容C3的另一端与晶体管T2基极相连,定值电阻R4的另一端分别与稱合电容C5的一端、电抗器L1的一端相连，稱合电容C5的另一端接地，电抗器L1的另一端分别与稱合电容C11的一端、电抗器L2的一端、上行信号放大器I 4中的耦合电容C23的一端相连，耦合电容C11的另一端接地，电抗器L2的另一端分别与定值电阻R7的一端、定值电阻R8的一端、稱合电容C10的一端相连，定值电阻R7的另一端分别与晶体管T3基极、定值电阻R6的一端、耦合电容C7的一端相连，定值电阻R6的另一端、耦合电容C7的另一端均接地，定值电阻R8的另一端分别与晶体管T3发射极、稱合电容C9的一端、电抗器L7的一端相连，稱合电容C10的另一端接地，晶体管T3的集电极与定值电阻R5的一端、耦合电容C6的一端相连，定值电阻R5的另一端与晶体管T2基极相连，耦合电容C6的另一端接地，晶体管T3发射极还与耦合电容C9的一端相连，耦合电容C9的另一端接地，电抗器L7的另一端分别与晶体管T2集电极、耦合电容C8的一端相连，稱合电容C8的另一端与电抗器L5相连,晶体管T1发射极、晶体管T2发射极均接地。
[0009]所述上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构和下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中上行信号放大器I 4中的耦合电容C15与高增益八木天线II 2相连，上行信号放大器I 4中的耦合电容C22与上行信号滤波器I 6相连，上行信号滤波器
I6还与电抗器L5相连。
[0010]所述射频同轴电缆8可为一根SYWV75欧姆物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆。
[0011]所述高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2均可为供应800MHz-960MHz、l.2db高增益定向八木天线。
[0012]所述胶棒天线I 14、胶棒天线II 15均可为供应800MHz-960MHz、3.0db小全向室内天线。
[0013]更具体的，所述室外信号收发装置16为长为20 cm、宽为10 cm、高为5cm的长方体结构，其高增益八木天线插孔17的直径为15mm，重量约为0.5kg。装置外壳为防雨型且采用碳纤维材料制作而成。
[0014]更具体的，所述室内信号收发装置18为长为20 cm、宽为10 cm、高为5cm的长方体结构，其射频同轴电缆插孔19的直径为12mm，其电源插孔20的直径为10mm，胶棒天线14、15为2.4GHz、可折叠型天线，重量约为0.5kg。装置外壳采用碳纤维材料制作而成。
[0015]如图4所示，高增益八木天线I 1接收到来自基站的信号，通过下行信号滤波器I3(此处的信号滤波技术属常规技术)，进行选频滤波后，信号被送入下行信号放大器I 5，即下行信号放大器电路模块中进行处理。信号首先通过大小为20 μ F耦合电容Cl，隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出，接着通过偏置电阻大小为IK的Rl、R2，使发射结正偏，之后信号进入型号为415的晶体管Tl，对输入的电信号进行放大，通过串联的电抗器L6、L1、L2，在当放大器电路发生短路时，电抗器上的电压降较大，起到维持母线电压水平的作用，使母线上的电压波动较小，保证了非故障线路上的元件设备运行的稳定性，而后经过处理再次通过大小为20 μ F耦合电容C3，再次隔断直流电，让交流电以及脉冲信号通过，使相近的晶体管Tl、Τ2互不影响，耦合电容C3 —端与型号为9015晶体管Τ3相连，其实现开关的作用，当电路电压超过一定值，电路断开；反之电路闭合；稱合电容C3另一端与型号为591的晶体管Τ2相连，对信号做二次放大，最后信号通过射频同轴电缆8传送至室内信号收发装置；信号通过射频同轴电缆8传送至上行信号滤波器I 6，通过上行信号滤波器I 6 (此处的信号滤波技术属常规技术)，进行选频滤波后，信号被送入上行信号放大器I 4，即上行信号放大器电路模块中进行处理。信号首先通过大小为20 μ F耦合电容C22，隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出，接着通过偏置电阻大小为IK的R15、R16，使发射结正偏，之后信号进入型号为3355的晶体管Τ5，对输入的电信号进行放大，通过串联的电抗器L9、L4、L3，在当放大器电路发生短路时，电抗器上的电压降较大，起到维持母线电压水平的作用，使母线上的电压波动较小，保证了非故障线路上的元件设备运行的稳定性，而后经过处理再次通过大小为20 μ F耦合电容C17，再次隔断直流电，让交流电以及脉冲信号通过，使相近的晶体管Τ4、Τ5互不影响，耦合电容C17 —端与型号为9015晶体管Τ6相连，其实现开关的作用，当电路电压超过一定值，电路断开；反之电路闭合；耦合电容C17另一端与型号为3355的晶体管Τ4相连，对信号做二次放大，最后信号经由高增益八木天线II 2发送给基站。图5所示电路工作原理与图4类似，此处不再赘述。
[0016]本实用新型的工作原理是:首先，室外高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2应尽量架设在信号较强、空间开阔的位置，手机一般距离室内胶棒天线I 14、胶棒天线
II15有5-6米即可获得较强信号。当装置安装好之后，即可接通电源正常工作。手机通信一般需要两个传输通道，一个是上行通道，用来发话和应答基站指令，另外一个则是下行通道，用来接受基站指令和接听电话。当使用手机对外发送信息或者拨打电话时，手机发送的信号首先被室内部分的胶棒天线II 15接收，然后通过上行信号滤波器II 13滤出有用信号，选择需要的放大器频率，如900MHz，同时滤除无用信号和噪声干扰，再经过信号不低于增益20分贝的上行信号放大器II 11进行信号频率放大后，通过双工器II 9将信号合路后，经射频同轴电缆8把放大后的信号传送到室外部分的双工器I 7，之后信号再次经过上行信号滤波器I 6进行二次滤波选频、经过上行信号放大器I 4进行二次信号放大，最后被高增益八木天线II发送到基站；当手机接收外界的信息或者电话时，基站发出的信号首先被高增益八木天线I I接收，然后通过下行信号滤波器I 3进行滤波选频，选择需要的放大器频率，如800MHz，之后再通过下行信号放大器I 5进行信号放大，经由双工器I 7将信号合路之后，由射频同轴电缆8将信号传送至室内信号收发装置，首先被下行信号滤波器II 10滤出有用信号，同时滤除无用信号和噪声干扰，再经增益大于25分贝的下行信号放大器II 12将信号放大之后，经由胶棒天线I 14将信号发出，最终手机收到处理后的信号。
[0017]本实用新型的有益效果是:此装置结构简单，安装便捷，成本低廉，能够明显提高手机信号强度，保证手机的通话质量，尤其适用于地下室、郊区、厂房等信号较差的地区，并且安全稳定，无额外福射。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1为本实用新型的结构连接框图；
[0019]图2为本实用新型的室外信号收发装置结构示意图；
[0020]图3为本实用新型的室内信号收发装置结构示意图；
[0021]图4为本实用新型室外电路原理图；
[0022]图5为本实用新型室内电路原理图。
[0023]图1-5中各标号:1-高增益八木天线I，2-高增益八木天线II，3-下行信号滤波器I，4-上行信号放大器I，5-下行信号放大器I，6-上行信号滤波器I，7_双工器I，8-射频同轴电缆，9-双工器II，10-下行信号滤波器II，11-上行信号放大器II，12-下行信号放大器II，13-上行信号滤波器II，14-胶棒天线I，15-胶棒天线II，16-室外信号收发装置，17-高增益八木天线插孔I，18-室内信号收发装置，19-射频同轴电缆插孔，20-电源插孔，21-高增益八木天线插孔II。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图和具体实施例，对本实用新型作进一步说明。
[0025]实施例1:如图1-5所示，一种增强型手机信号放大装置，包括室外部分、室内部分、射频同轴电缆8 ;室外部分包括高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2、室外信号收发装置16 ;室内部分包括胶棒天线I 14、胶棒天线II 15、室内信号收发装置18 ;室外信号收发装置16包括下行信号滤波器I 3、上行信号放大器I 4、下行信号放大器I 5、上行信号滤波器I 6、双工器I 7 ;室内信号收发装置18包括双工器II 9、下行信号滤波器II 10、上行信号放大器II 11、下行信号放大器II 12、上行信号滤波器II 13;所述室外部分与室内部分通过射频同轴电缆8连接；
[0026]所述高增益八木天线I 1通过下行信号滤波器I 3与下行信号放大器I 5连接，下行信号放大器I 5与双工器I 7连接，双工器I 7通过射频同轴电缆8与双工器II 9连接，双工器II 9与下行信号滤波器II 10连接，下行信号滤波器II 10通过下行信号放大器II 12与胶棒天线I 14连接；
[0027]所述胶棒天线II 15通过上行信号滤波器II 13与上行信号放大器II 11连接，上行信号放大器II 11与双工器II 9连接，双工器II 9通过射频同轴电缆8与双工器I 7连接，双工器I 7与上行信号滤波器I 6连接，上行信号滤波器I 6通过上行信号放大器I 4与高增益八木天线II 2连接。
[0028]实施例2:如图1-5所示，一种增强型手机信号放大装置，包括室外部分、室内部分、射频同轴电缆8 ;室外部分包括高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2、室外信号收发装置16 ;室内部分包括胶棒天线I 14、胶棒天线II 15、室内信号收发装置18 ;室外信号收发装置16包括下行信号滤波器I 3、上行信号放大器I 4、下行信号放大器I 5、上行信号滤波器I 6、双工器I 7;室内信号收发装置18包括双工器II 9、下行信号滤波器II 10、上行信号放大器II 11、下行信号放大器II 12、上行信号滤波器II 13;所述室外部分与室内部分通过射频同轴电缆8连接；
[0029]所述高增益八木天线I 1通过下行信号滤波器I 3与下行信号放大器I 5连接，下行信号放大器I 5与双工器I 7连接，双工器I 7通过射频同轴电缆8与双工器II 9连接，双工器II 9与下行信号滤波器II 10连接，下行信号滤波器II 10通过下行信号放大器II 12与胶棒天线I 14连接；
[0030]所述胶棒天线II 15通过上行信号滤波器II 13与上行信号放大器II 11连接，上行信号放大器II 11与双工器II 9连接，双工器II 9通过射频同轴电缆8与双工器I 7连接，双工器I 7与上行信号滤波器I 6连接，上行信号滤波器I 6通过上行信号放大器I 4与高增益八木天线II 2连接。
[0031]所述下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中下行信号放大器I 5中的下行信号放大器电路模块包括定值电阻R1、定值电阻R2、定值电阻R3、定值电阻R4、定值电阻R5、定值电阻R6、定值电阻R7、定值电阻R8、耦合电容C1、耦合电容C2、耦合电容C3、耦合电容C4、耦合电容C5、耦合电容C6、耦合电容C7、耦合电容C8、耦合电容C9、耦合电容C10、耦合电容Cl 1、晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、电抗器L1、电抗器L2、电抗器L5、电抗器L6、电抗器L7 ；
[0032]所述下行信号滤波器I 3与稱合电容C1的一端连接，稱合电容C1的另一端与晶体管T1基极相连，晶体管T1基极还与定值电阻R1的一端、定值电阻R2的一端相连，定值电阻R1的另一端接低，定值电阻R2的另一端通过耦合电容C2接地，晶体管T1集电极分别与电抗器L6的一端、稱合电容C3的一端相连，电抗器L6的另一端与定值电阻R4的一端相连，电抗器L6的另一端还与定值电阻R3的一端、耦合电容C4的一端连接，定值电阻R3的另一端与耦合电容C2的不接地端相连，耦合电容C4的另一端接地，耦合电容C3的另一端与晶体管T2基极相连，定值电阻R4的另一端分别与稱合电容C5的一端、电抗器L1的一端相连，稱合电容C5的另一端接地，电抗器L1的另一端分别与稱合电容C11的一端、电抗器L2的一端、上行信号放大器I 4中的耦合电容C23的一端相连，耦合电容C11的另一端接地，电抗器L2的另一端分别与定值电阻R7的一端、定值电阻R8的一端、稱合电容C10的一端相连，定值电阻R7的另一端分别与晶体管T3基极、定值电阻R6的一端、耦合电容C7的一端相连，定值电阻R6的另一端、耦合电容C7的另一端均接地，定值电阻R8的另一端分别与晶体管T3发射极、稱合电容C9的一端、电抗器L7的一端相连，稱合电容C10的另一端接地，晶体管T3的集电极与定值电阻R5的一端、耦合电容C6的一端相连，定值电阻R5的另一端与晶体管T2基极相连，耦合电容C6的另一端接地，晶体管T3发射极还与耦合电容C9的一端相连，耦合电容C9的另一端接地，电抗器L7的另一端分别与晶体管T2集电极、耦合电容C8的一端相连，稱合电容C8的另一端与电抗器L5相连,晶体管T1发射极、晶体管T2发射极均接地。
[0033]实施例3:如图1-5所示，一种增强型手机信号放大装置，包括室外部分、室内部分、射频同轴电缆8 ;室外部分包括高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2、室外信号收发装置16 ;室内部分包括胶棒天线I 14、胶棒天线II 15、室内信号收发装置18 ;室外信号收发装置16包括下行信号滤波器I 3、上行信号放大器I 4、下行信号放大器I 5、上行信号滤波器I 6、双工器I 7 ;室内信号收发装置18包括双工器II 9、下行信号滤波器II 10、上行信号放大器II 11、下行信号放大器II 12、上行信号滤波器II 13;所述室外部分与室内部分通过射频同轴电缆8连接；
[0034]所述高增益八木天线I I通过下行信号滤波器I 3与下行信号放大器I 5连接，下行信号放大器I 5与双工器I 7连接，双工器I 7通过射频同轴电缆8与双工器II 9连接，双工器II 9与下行信号滤波器II 10连接，下行信号滤波器II 10通过下行信号放大器
II12与胶棒天线I 14连接；
[0035]所述胶棒天线II 15通过上行信号滤波器II 13与上行信号放大器II 11连接，上行信号放大器II 11与双工器II 9连接，双工器II 9通过射频同轴电缆8与双工器I 7连接，双工器I 7与上行信号滤波器I 6连接，上行信号滤波器I 6通过上行信号放大器I 4与高增益八木天线II 2连接。
[0036]所述下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中下行信号放大器I 5中的下行信号放大器电路模块包括定值电阻R1、定值电阻R2、定值电阻R3、定值电阻R4、定值电阻R5、定值电阻R6、定值电阻R7、定值电阻R8、耦合电容Cl、耦合电容C2、耦合电容C3、耦合电容C4、耦合电容C5、耦合电容C6、耦合电容C7、耦合电容C8、耦合电容C9、耦合电容C10、耦合电容Cl 1、晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、电抗器L1、电抗器L2、电抗器L5、电抗器L6、电抗器L7 ；
[0037]所述下行信号滤波器I 3与稱合电容Cl的一端连接,稱合电容Cl的另一端与晶体管Tl基极相连，晶体管Tl基极还与定值电阻Rl的一端、定值电阻R2的一端相连,定值电阻Rl的另一端接低，定值电阻R2的另一端通过耦合电容C2接地，晶体管Tl集电极分别与电抗器L6的一端、稱合电容C3的一端相连，电抗器L6的另一端与定值电阻R4的一端相连，电抗器L6的另一端还与定值电阻R3的一端、耦合电容C4的一端连接，定值电阻R3的另一端与耦合电容C2的不接地端相连，耦合电容C4的另一端接地，耦合电容C3的另一端与晶体管T2基极相连,定值电阻R4的另一端分别与稱合电容C5的一端、电抗器LI的一端相连，稱合电容C5的另一端接地，电抗器LI的另一端分别与稱合电容Cll的一端、电抗器L2的一端、上行信号放大器I 4中的耦合电容C23的一端相连，耦合电容Cll的另一端接地，电抗器L2的另一端分别与定值电阻R7的一端、定值电阻R8的一端、稱合电容ClO的一端相连，定值电阻R7的另一端分别与晶体管T3基极、定值电阻R6的一端、耦合电容C7的一端相连，定值电阻R6的另一端、耦合电容C7的另一端均接地，定值电阻R8的另一端分别与晶体管T3发射极、稱合电容C9的一端、电抗器L7的一端相连,稱合电容ClO的另一端接地，晶体管T3的集电极与定值电阻R5的一端、耦合电容C6的一端相连，定值电阻R5的另一端与晶体管T2基极相连，耦合电容C6的另一端接地，晶体管T3发射极还与耦合电容C9的一端相连，耦合电容C9的另一端接地，电抗器L7的另一端分别与晶体管T2集电极、耦合电容C8的一端相连,稱合电容C8的另一端与电抗器L5相连,晶体管Tl发射极、晶体管T2发射极均接地。
[0038]所述上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构和下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中上行信号放大器I 4中的耦合电容C15与高增益八木天线II 2相连，上行信号放大器I 4中的耦合电容C22与上行信号滤波器I 6相连，上行信号滤波器
I6还与电抗器L5相连。
[0039]实施例4:如图1-5所示，一种增强型手机信号放大装置，包括室外部分、室内部分、射频同轴电缆8 ;室外部分包括高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2、室外信号收发装置16 ;室内部分包括胶棒天线I 14、胶棒天线II 15、室内信号收发装置18 ;室外信号收发装置16包括下行信号滤波器I 3、上行信号放大器I 4、下行信号放大器I 5、上行信号滤波器I 6、双工器I 7 ;室内信号收发装置18包括双工器II 9、下行信号滤波器II 10、上行信号放大器II 11、下行信号放大器II 12、上行信号滤波器II 13;所述室外部分与室内部分通过射频同轴电缆8连接；
[0040]所述高增益八木天线I 1通过下行信号滤波器I 3与下行信号放大器I 5连接，下行信号放大器I 5与双工器I 7连接，双工器I 7通过射频同轴电缆8与双工器II 9连接，双工器II 9与下行信号滤波器II 10连接，下行信号滤波器II 10通过下行信号放大器II 12与胶棒天线I 14连接；
[0041]所述胶棒天线II 15通过上行信号滤波器II 13与上行信号放大器II 11连接，上行信号放大器II 11与双工器II 9连接，双工器II 9通过射频同轴电缆8与双工器I 7连接，双工器I 7与上行信号滤波器I 6连接，上行信号滤波器I 6通过上行信号放大器I 4与高增益八木天线II 2连接。
[0042]所述下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中下行信号放大器I 5中的下行信号放大器电路模块包括定值电阻R1、定值电阻R2、定值电阻R3、定值电阻R4、定值电阻R5、定值电阻R6、定值电阻R7、定值电阻R8、耦合电容C1、耦合电容C2、耦合电容C3、耦合电容C4、耦合电容C5、耦合电容C6、耦合电容C7、耦合电容C8、耦合电容C9、耦合电容C10、耦合电容Cl 1、晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、电抗器L1、电抗器L2、电抗器L5、电抗器L6、电抗器L7 ；
[0043]所述下行信号滤波器I 3与稱合电容C1的一端连接，稱合电容C1的另一端与晶体管T1基极相连，晶体管T1基极还与定值电阻R1的一端、定值电阻R2的一端相连，定值电阻R1的另一端接低，定值电阻R2的另一端通过耦合电容C2接地，晶体管T1集电极分别与电抗器L6的一端、稱合电容C3的一端相连，电抗器L6的另一端与定值电阻R4的一端相连，电抗器L6的另一端还与定值电阻R3的一端、耦合电容C4的一端连接，定值电阻R3的另一端与耦合电容C2的不接地端相连，耦合电容C4的另一端接地，耦合电容C3的另一端与晶体管T2基极相连,定值电阻R4的另一端分别与稱合电容C5的一端、电抗器L1的一端相连，稱合电容C5的另一端接地，电抗器L1的另一端分别与稱合电容C11的一端、电抗器L2的一端、上行信号放大器I 4中的耦合电容C23的一端相连，耦合电容C11的另一端接地，电抗器L2的另一端分别与定值电阻R7的一端、定值电阻R8的一端、稱合电容C10的一端相连，定值电阻R7的另一端分别与晶体管T3基极、定值电阻R6的一端、耦合电容C7的一端相连，定值电阻R6的另一端、耦合电容C7的另一端均接地，定值电阻R8的另一端分别与晶体管T3发射极、稱合电容C9的一端、电抗器L7的一端相连，稱合电容C10的另一端接地，晶体管T3的集电极与定值电阻R5的一端、耦合电容C6的一端相连，定值电阻R5的另一端与晶体管T2基极相连，耦合电容C6的另一端接地，晶体管T3发射极还与耦合电容C9的一端相连，耦合电容C9的另一端接地，电抗器L7的另一端分别与晶体管T2集电极、耦合电容C8的一端相连，稱合电容C8的另一端与电抗器L5相连,晶体管T1发射极、晶体管T2发射极均接地。
[0044]所述上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构和下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中上行信号放大器I 4中的耦合电容C15与高增益八木天线II 2相连，上行信号放大器I 4中的耦合电容C22与上行信号滤波器I 6相连，上行信号滤波器
I6还与电抗器L5相连。
[0045]所述射频同轴电缆8为一根SYWV75欧姆物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆。
[0046]实施例5:如图1-5所示，一种增强型手机信号放大装置，包括室外部分、室内部分、射频同轴电缆8 ;室外部分包括高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2、室外信号收发装置16 ;室内部分包括胶棒天线I 14、胶棒天线II 15、室内信号收发装置18 ;室外信号收发装置16包括下行信号滤波器I 3、上行信号放大器I 4、下行信号放大器I 5、上行信号滤波器I 6、双工器I 7;室内信号收发装置18包括双工器II 9、下行信号滤波器II 10、上行信号放大器II 11、下行信号放大器II 12、上行信号滤波器II 13;所述室外部分与室内部分通过射频同轴电缆8连接；
[0047]所述高增益八木天线I I通过下行信号滤波器I 3与下行信号放大器I 5连接，下行信号放大器I 5与双工器I 7连接，双工器I 7通过射频同轴电缆8与双工器II 9连接，双工器II 9与下行信号滤波器II 10连接，下行信号滤波器II 10通过下行信号放大器
II12与胶棒天线I 14连接；
[0048]所述胶棒天线II 15通过上行信号滤波器II 13与上行信号放大器II 11连接，上行信号放大器II 11与双工器II 9连接，双工器II 9通过射频同轴电缆8与双工器I 7连接，双工器I 7与上行信号滤波器I 6连接，上行信号滤波器I 6通过上行信号放大器I 4与高增益八木天线II 2连接。
[0049]所述下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中下行信号放大器I 5中的下行信号放大器电路模块包括定值电阻R1、定值电阻R2、定值电阻R3、定值电阻R4、定值电阻R5、定值电阻R6、定值电阻R7、定值电阻R8、耦合电容Cl、耦合电容C2、耦合电容C3、耦合电容C4、耦合电容C5、耦合电容C6、耦合电容C7、耦合电容C8、耦合电容C9、耦合电容ClO、耦合电容Cl 1、晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、电抗器L1、电抗器L2、电抗器L5、电抗器L6、电抗器L7 ；
[0050]所述下行信号滤波器I 3与稱合电容Cl的一端连接,稱合电容Cl的另一端与晶体管Tl基极相连，晶体管Tl基极还与定值电阻Rl的一端、定值电阻R2的一端相连,定值电阻Rl的另一端接低，定值电阻R2的另一端通过耦合电容C2接地，晶体管Tl集电极分别与电抗器L6的一端、稱合电容C3的一端相连，电抗器L6的另一端与定值电阻R4的一端相连，电抗器L6的另一端还与定值电阻R3的一端、耦合电容C4的一端连接，定值电阻R3的另一端与耦合电容C2的不接地端相连，耦合电容C4的另一端接地，耦合电容C3的另一端与晶体管T2基极相连,定值电阻R4的另一端分别与稱合电容C5的一端、电抗器LI的一端相连，稱合电容C5的另一端接地，电抗器LI的另一端分别与稱合电容Cll的一端、电抗器L2的一端、上行信号放大器I 4中的耦合电容C23的一端相连，耦合电容Cll的另一端接地，电抗器L2的另一端分别与定值电阻R7的一端、定值电阻R8的一端、稱合电容ClO的一端相连，定值电阻R7的另一端分别与晶体管T3基极、定值电阻R6的一端、耦合电容C7的一端相连，定值电阻R6的另一端、耦合电容C7的另一端均接地，定值电阻R8的另一端分别与晶体管T3发射极、稱合电容C9的一端、电抗器L7的一端相连，稱合电容C1的另一端接地，晶体管T3的集电极与定值电阻R5的一端、耦合电容C6的一端相连，定值电阻R5的另一端与晶体管T2基极相连，耦合电容C6的另一端接地，晶体管T3发射极还与耦合电容C9的一端相连，耦合电容C9的另一端接地，电抗器L7的另一端分别与晶体管T2集电极、耦合电容C8的一端相连，稱合电容C8的另一端与电抗器L5相连,晶体管T1发射极、晶体管T2发射极均接地。
[0051]所述上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构和下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中上行信号放大器I 4中的耦合电容C15与高增益八木天线II 2相连，上行信号放大器I 4中的耦合电容C22与上行信号滤波器I 6相连，上行信号滤波器
I6还与电抗器L5相连。
[0052]所述射频同轴电缆8为一根SYWV75欧姆物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆。
[0053]所述高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2均为供应800ΜΗζ-960ΜΗζ、1.2db高增益定向八木天线。
[0054]实施例6:如图1-5所示，一种增强型手机信号放大装置，包括室外部分、室内部分、射频同轴电缆8 ;室外部分包括高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2、室外信号收发装置16 ;室内部分包括胶棒天线I 14、胶棒天线II 15、室内信号收发装置18 ;室外信号收发装置16包括下行信号滤波器I 3、上行信号放大器I 4、下行信号放大器I 5、上行信号滤波器I 6、双工器I 7 ;室内信号收发装置18包括双工器II 9、下行信号滤波器II 10、上行信号放大器II 11、下行信号放大器II 12、上行信号滤波器II 13;所述室外部分与室内部分通过射频同轴电缆8连接；
[0055]所述高增益八木天线I 1通过下行信号滤波器I 3与下行信号放大器I 5连接，下行信号放大器I 5与双工器I 7连接，双工器I 7通过射频同轴电缆8与双工器II 9连接，双工器II 9与下行信号滤波器II 10连接，下行信号滤波器II 10通过下行信号放大器
II12与胶棒天线I 14连接；
[0056]所述胶棒天线II 15通过上行信号滤波器II 13与上行信号放大器II 11连接，上行信号放大器II 11与双工器II 9连接，双工器II 9通过射频同轴电缆8与双工器I 7连接，双工器I 7与上行信号滤波器I 6连接，上行信号滤波器I 6通过上行信号放大器I 4与高增益八木天线II 2连接。
[0057]所述下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中下行信号放大器I 5中的下行信号放大器电路模块包括定值电阻R1、定值电阻R2、定值电阻R3、定值电阻R4、定值电阻R5、定值电阻R6、定值电阻R7、定值电阻R8、耦合电容C1、耦合电容C2、耦合电容C3、耦合电容C4、耦合电容C5、耦合电容C6、耦合电容C7、耦合电容C8、耦合电容C9、耦合电容C10、耦合电容Cl 1、晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、电抗器L1、电抗器L2、电抗器L5、电抗器L6、电抗器L7 ；
[0058]所述下行信号滤波器I 3与稱合电容C1的一端连接，稱合电容C1的另一端与晶体管T1基极相连，晶体管T1基极还与定值电阻R1的一端、定值电阻R2的一端相连，定值电阻Rl的另一端接低，定值电阻R2的另一端通过耦合电容C2接地，晶体管Tl集电极分别与电抗器L6的一端、稱合电容C3的一端相连，电抗器L6的另一端与定值电阻R4的一端相连，电抗器L6的另一端还与定值电阻R3的一端、耦合电容C4的一端连接，定值电阻R3的另一端与耦合电容C2的不接地端相连，耦合电容C4的另一端接地，耦合电容C3的另一端与晶体管T2基极相连,定值电阻R4的另一端分别与稱合电容C5的一端、电抗器LI的一端相连，稱合电容C5的另一端接地，电抗器LI的另一端分别与稱合电容Cll的一端、电抗器L2的一端、上行信号放大器I 4中的耦合电容C23的一端相连，耦合电容Cll的另一端接地，电抗器L2的另一端分别与定值电阻R7的一端、定值电阻R8的一端、稱合电容ClO的一端相连，定值电阻R7的另一端分别与晶体管T3基极、定值电阻R6的一端、耦合电容C7的一端相连，定值电阻R6的另一端、耦合电容C7的另一端均接地，定值电阻R8的另一端分别与晶体管T3发射极、稱合电容C9的一端、电抗器L7的一端相连,稱合电容ClO的另一端接地，晶体管T3的集电极与定值电阻R5的一端、耦合电容C6的一端相连，定值电阻R5的另一端与晶体管T2基极相连，耦合电容C6的另一端接地，晶体管T3发射极还与耦合电容C9的一端相连，耦合电容C9的另一端接地，电抗器L7的另一端分别与晶体管T2集电极、耦合电容C8的一端相连,稱合电容C8的另一端与电抗器L5相连,晶体管Tl发射极、晶体管T2发射极均接地。
[0059]所述上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，上行信号放大器I 4、上行信号放大器II 11中的上行信号放大器电路模块的组成结构和下行信号放大器I 5、下行信号放大器II 12中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中上行信号放大器I 4中的耦合电容C15与高增益八木天线II 2相连，上行信号放大器I 4中的耦合电容C22与上行信号滤波器I 6相连，上行信号滤波器I 6还与电抗器L5相连。
[0060]所述射频同轴电缆8为一根SYWV75欧姆物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆。
[0061]所述高增益八木天线I 1、高增益八木天线II 2均为供应800MHZ-960MHZ、1.2db高增益定向八木天线。
[0062]所述胶棒天线I 14、胶棒天线II 15均为供应800MHz-960MHz、3.0db小全向室内天线。
[0063]上面结合附图对本实用新型的具体实施例作了详细说明，但是本实用新型并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。
【权利要求】
1.一种增强型手机信号放大装置，其特征在于:包括室外部分、室内部分、射频同轴电缆(8);室外部分包括高增益八木天线I (I)、高增益八木天线II (2)、室外信号收发装置(16);室内部分包括胶棒天线I (14)、胶棒天线II (15)、室内信号收发装置(18);室外信号收发装置(16)包括下行信号滤波器I (3)、上行信号放大器I (4)、下行信号放大器I (5)、上行信号滤波器I (6)、双工器I (7);室内信号收发装置(18)包括双工器II (9)、下行信号滤波器II (10)、上行信号放大器II (11)、下行信号放大器II (12)、上行信号滤波器II (13)；所述室外部分与室内部分通过射频同轴电缆(8)连接； 所述高增益八木天线I (I)通过下行信号滤波器I (3)与下行信号放大器I (5)连接，下行信号放大器I (5)与双工器I (7)连接，双工器I (7)通过射频同轴电缆(8)与双工器II (9)连接，双工器II (9)与下行信号滤波器II (10)连接，下行信号滤波器II (10)通过下行信号放大器II (12)与胶棒天线I (14)连接； 所述胶棒天线II (15)通过上行信号滤波器II (13)与上行信号放大器II (11)连接，上行信号放大器II (11)与双工器II (9)连接，双工器II (9)通过射频同轴电缆(8)与双工器I (7)连接，双工器I (7)与上行信号滤波器I (6)连接，上行信号滤波器I (6)通过上行信号放大器I (4)与高增益八木天线II (2)连接。
2.根据权利要求1所述的增强型手机信号放大装置，其特征在于:所述下行信号放大器I (5)、下行信号放大器II (12)中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中下行信号放大器I (5)中的下行信号放大器电路模块包括定值电阻R1、定值电阻R2、定值电阻R3、定值电阻R4、定值电阻R5、定值电阻R6、定值电阻R7、定值电阻R8、耦合电容Cl、耦合电容C2、耦合电容C3、耦合电容C4、耦合电容C5、耦合电容C6、耦合电容C7、耦合电容C8、耦合电容C9、耦合电容C10、耦合电容CU、晶体管Tl、晶体管T2、晶体管T3、电抗器L1、电抗器L2、电抗器L5、电抗器L6、电抗器L7 ； 所述下行信号滤波器I (3)与耦合电容Cl的一端连接，耦合电容Cl的另一端与晶体管Tl基极相连，晶体管Tl基极还与定值电阻Rl的一端、定值电阻R2的一端相连,定值电阻Rl的另一端接低，定值电阻R2的另一端通过耦合电容C2接地，晶体管Tl集电极分别与电抗器L6的一端、稱合电容C3的一端相连，电抗器L6的另一端与定值电阻R4的一端相连，电抗器L6的另一端还与定值电阻R3的一端、耦合电容C4的一端连接，定值电阻R3的另一端与耦合电容C2的不接地端相连，耦合电容C4的另一端接地，耦合电容C3的另一端与晶体管T2基极相连,定值电阻R4的另一端分别与稱合电容C5的一端、电抗器LI的一端相连，稱合电容C5的另一端接地，电抗器LI的另一端分别与稱合电容Cll的一端、电抗器L2的一端、上行信号放大器I (4)中的稱合电容C23的一端相连,稱合电容Cll的另一端接地，电抗器L2的另一端分别与定值电阻R7的一端、定值电阻R8的一端、稱合电容ClO的一端相连，定值电阻R7的另一端分别与晶体管T3基极、定值电阻R6的一端、耦合电容C7的一端相连，定值电阻R6的另一端、耦合电容C7的另一端均接地，定值电阻R8的另一端分别与晶体管T3发射极、稱合电容C9的一端、电抗器L7的一端相连,稱合电容ClO的另一端接地，晶体管T3的集电极与定值电阻R5的一端、耦合电容C6的一端相连，定值电阻R5的另一端与晶体管T2基极相连，耦合电容C6的另一端接地，晶体管T3发射极还与耦合电容C9的一端相连，耦合电容C9的另一端接地，电抗器L7的另一端分别与晶体管T2集电极、耦合电容C8的一端相连,稱合电容C8的另一端与电抗器L5相连,晶体管Tl发射极、晶体管T2发射极均接地。
3.根据权利要求1所述的增强型手机信号放大装置，其特征在于:所述上行信号放大器I (4)、上行信号放大器II (11)中的上行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，上行信号放大器I (4)、上行信号放大器II (11)中的上行信号放大器电路模块的组成结构和下行信号放大器I (5)、下行信号放大器II (12)中的下行信号放大器电路模块的组成结构完全一样，其中上行信号放大器I (4)中的耦合电容C15与高增益八木天线II (2)相连，上行信号放大器I (4)中的耦合电容C22与上行信号滤波器I (6)相连，上行信号滤波器I(6)还与电抗器L5相连。
4.根据权利要求1所述的增强型手机信号放大装置，其特征在于:所述射频同轴电缆(8)为一根SYWV75欧姆物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆。
5.根据权利要求1所述的增强型手机信号放大装置，其特征在于:所述高增益八木天线I (I)、高增益八木天线II (2)均为供应800MHZ-960MHZ、1.2db高增益定向八木天线。
6.根据权利要求1所述的增强型手机信号放大装置，其特征在于:所述胶棒天线I(14),胶棒天线II (15)均为供应800MHz-960MHz、3.0db小全向室内天线。
【文档编号】H04B7/15GK204068958SQ201420428142
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年7月31日 优先权日:2014年7月31日
【发明者】张晶, 薛冷, 肖智斌, 石少玲, 陈沫良, 张果, 吴晟 申请人:昆明理工大学