OTDR内部光路检测方法及系统与流程

文档序号:17503533发布日期:2019-04-23 23:53阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种OTDR内部光路检测方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:将光路所需的各模块的光纤熔接起来,形成一散状光路,所述散状光路上具有若干熔接点,且所述散状光路上熔接有用以接收光路反射光信号的雪崩光电二极管;

S2:连接所述散状光路到光路检测模块中,配置所述雪崩光电二极管的工作电压;

S3:控制所述散状光路进入发光工作状态,采集所述雪崩光电二极管产生的电信号,根据采集的电信号获得相应损耗值;比较设定在光路熔接比较理想情况下AD采集单元得到的值与实际散状光路检测中AD采集单元得到的值,当两者之差小于或等于第一可接受误差范围,则该散状光路合格,进入步骤S4;否则该散状光路不合格;

S4:将所述散状光路盘至光路夹具中,盘成圆形或椭圆形,形成一盘状光路;

S5:连接所述盘状光路到所述光路检测模块中,控制所述盘状光路进入发光工作状态,采集所述雪崩光电二极管产生的电信号,根据电信号获得相应损耗值;比较设定在光路熔接比较理想情况下AD采集单元得到的值与实测AD采集单元得到的值,当两者之差小于或等于第二可接受误差范围,则该盘状光路合格,否则该盘状光路不合格;

所述散状光路包括:LD激光器,雪崩光电二极管,耦合器,延长光纤,接口模块,及辅助光纤模块;

所述LD激光器与所述耦合器进行光纤熔接,形成第一熔接点;所述雪崩光电二极管与所述耦合器进行光纤熔接,形成第二熔接点;所述耦合器与所述延长光纤的一端进行光纤熔接,形成第三熔接点;所述延长光纤的另一端与所述接口模块进行光纤熔接,形成第四熔接点;所述接口模块还与所述辅助光纤模块连接;

光信号由所述LD激光器发出后传输给所述耦合器,经耦合器进行光耦合后传输到延长光纤中,光信号经过延长光纤到接口模块中,然后传输到辅助光纤模块中;在辅助光纤模块末端发生菲涅尔反射,将大部分光反射回来,反射的光信号按原路径反向传输回来;

所述雪崩光电二极管在光传输的过程中一直处于工作状态,采集光路中的光信号。

2.如权利要求1所述的OTDR内部光路检测方法,其特征在于,所述光路检测模块包括信号链单元和AD采集单元;所述信号链单元连接所述雪崩光电二极管,用以接收雪崩光电二极管产生的电信号,并对电信号进行放大,输出信号链电压;所述AD采集单元连接所述信号链单元,用以采集所述信号链电压,分析生成相应损耗值。

3.如权利要求2所述的OTDR内部光路检测方法,其特征在于,所述信号链单元对电信号进行可选择地放大。

4.如权利要求3所述的OTDR内部光路检测方法,其特征在于,所述信号链单元具有至少两个不同放大倍数的信号放大通道,所述AD采集单元采集信号链电压判断电信号大小,若过小则选择较大放大倍数的信号放大通道,若过大则选择较小放大倍数的信号放大通道;信号链单元通过所选的信号放大通道对电信号进行放大并传输信号链电压给AD采集单元。

5.如权利要求2所述的OTDR内部光路检测方法,其特征在于,还包括信号链电压输出调节步骤:在雪崩光电二极管的电压为0V时,AD采集单元采集信号链电压,如果采集到的信号链电压没有达到0V,则调节信号链单元上的输出,使AD采集单元采集到的电压为0V。

6.如权利要求2所述的OTDR内部光路检测方法,其特征在于,所述步骤S2中,配置所述雪崩光电二极管的工作电压进一步包括步骤S22:提供雪崩光电二极管的击穿电压值V,得到或更新对应的击穿电压寄存器的值J1,根据击穿电压值V与正常工作电压的之间安全范围设置定值系数K1,得到雪崩光电二极管负极电压寄存器的值J2=J1-K1,根据负极电压寄存器的值J2确定雪崩光电二极管工作电压。

7.如权利要求6所述的OTDR内部光路检测方法,其特征在于,所述步骤S2中,在所述步骤S22之前还包括步骤S21:

在光路中没有发出光信号时,初设雪崩光电二极管的击穿电压寄存器的值,对应雪崩光电二极管的电压是第一电压V1,AD采集单元采集信号链电压,采集到的值是第二电压V2,设定当雪崩光电二极管极限击穿时,AD采集单元采集到的值是第三电压V3;

若V3–V2>0V,则第一电压V1没有达到雪崩光电二极管的极限电压,增大雪崩光电二极管的击穿电压寄存器的值,使得雪崩光电二极管的电压增大;

若V3–V2=0V,则第一电压V1就是雪崩光电二极管的极限电压,作为步骤S22中的所述击穿电压值V,对应的雪崩光电二极管的击穿电压寄存器的值是J1;

若V3–V2<0V,则第一电压V1超过雪崩光电二极管的极限电压,减小雪崩光电二极管的击穿电压寄存器的值,使得雪崩光电二极管的电压减小。

8.如权利要求1-7中任意一项所述的OTDR内部光路检测方法,其特征在于,在所述步骤S5之后还包括S6:将盘好的合格的所述盘状光路直接作为OTDR的内部光路进行制作。

9.如权利要求8所述的OTDR内部光路检测方法,其特征在于,所述步骤S6包括以下步骤:

S61:将盘好的检测合格后的所述盘状光路,直接作为内部光路制作OTDR的半成品;

S62:制作半成品之后不进行光路检测,直接将所述半成品组装成为成品。

10.一种如权利要求1-9所述的OTDR内部光路检测方法的OTDR内部光路检测系统,其特征在于,包括:

光纤熔接机,将光路所需的各模块的光纤熔接起来,形成具有若干熔接点的光路,且所述光路上熔接有用以接收光路反射光信号的雪崩光电二极管;

信号链单元连接所述雪崩光电二极管,用以接收雪崩光电二极管在光路传输光信号过程中产生的电信号,并对电信号进行放大,输出信号链电压;

AD采集单元连接所述信号链单元,用以采集所述信号链电压,分析生成相应损耗值,根据熔接后散状光路的损耗值及盘成盘状光路后的损耗值,确定散状光路是否合格或盘状光路是否合格。

11.如权利要求10所述的OTDR内部光路检测系统,其特征在于,所述信号链单元对电信号进行可选择地放大。

12.如权利要求10所述的OTDR内部光路检测系统,其特征在于,所述信号链单元具有至少两个不同放大倍数的信号放大通道,所述AD采集单元采集信号链电压判断电信号大小,若过小则选择较大放大倍数的信号放大通道,若过大则选择较小放大倍数的信号放大通道;信号链单元通过所选的信号放大通道对电信号进行放大并传输信号链电压给AD采集单元。

13.如权利要求10所述的OTDR内部光路检测系统,其特征在于,所述散状光路包括:LD激光器,雪崩光电二极管,耦合器,延长光纤,接口模块,及辅助光纤模块;

所述LD激光器与所述耦合器进行光纤熔接,形成第一熔接点;所述雪崩光电二极管与所述耦合器进行光纤熔接,形成第二熔接点;所述耦合器与所述延长光纤的一端进行光纤熔接,形成第三熔接点;所述延长光纤的另一端与所述接口模块进行光纤熔接,形成第四熔接点;所述接口模块还与所述辅助光纤模块连接;

光信号由所述LD激光器发出后传输给所述耦合器,经耦合器进行光耦合后传输到延长光纤中,光信号经过延长光纤到接口模块中,然后传输到辅助光纤模块中;在辅助光纤模块末端发生菲涅尔反射,将大部分光反射回来,反射的光信号按原路径反向传输回来;

所述雪崩光电二极管在光传输的过程中一直处于工作状态,采集光路中的光信号。

14.如权利要求10所述的OTDR内部光路检测系统,其特征在于,所述盘状光路将所述散状光路盘成圆形或椭圆形后的光路。

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