一种基站发射系统的制作方法

本发明实施例涉及通信技术领域，尤其涉及一种基站发射系统。

背景技术：

随着大数据时代的到来，基站作为中转站，承载着信息传递的使命。

基于基站通信链路进行的功耗统计，80％的功耗来源于发射链路，而发射链路中，射频功率放大器又占了其中70％的功耗来源。同时，现代终端无线通信中普遍采用高阶调制信号，例如HSPA+、LTE，其都有一个特点：都是高峰均比信号。基站功放正常需要很大的回退，才能保证通信质量，而基站射频功率放大器效率随回退量增大而降低，这就导致基站发射链路效率不高，以LTE为例在7dB回退点，其功率放大器的效率只有18-26％。如此低的效率，直接导致整个组网耗电过大，如何提升射频功率放大器效率，成为世界研究方向中的核心。

随着4G时代通信的发展，发射链路将变得异常庞大，并且需要在发射链路上做多通道，以满足各地区覆盖多频段多制式的通信需求。这样系统往往需要2到4个发射通道，用以分别处理GSM、CDMA、WCDMA、LTE不通频段信号，同时，随着通道增加，还需要给每个发射通道配备滤波器、开关、双工器，这样将导致发射链路异常庞大。

并且，按照国际通信发展要求，未来需要支持100M的宽带射频通信。

因此，基站发射系统将面临着如何提高射频功率放大器效率、系统宽带化以及发射系统面积小尺寸化的难题。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供一种基站发射系统，以解决现有技术中基站发射系统中射频功率差放大器效率不高、带宽宽带化程度不够以及体积小型化难以实现的技术问题。

本发明实施例提供了一种基站发射系统，包括：电源模块、至少一个电荷泵与旁路开关模块、至少一个降压模块、至少一个氮化镓GaN射频功率放大器以及数字处理单元；

其中，所述电源模块用于向所述基站发射系统提供电压；

所述电荷泵与旁路开关模块与所述电源模块相连，用于对所述电源模块提供的电压进行倍增处理；

所述降压模块与所述电荷泵和旁路开关模块相连，用于对所述电荷泵与旁路开关模块输出的电压进行降压处理；

所述GaN射频功率放大器与所述降压模块相连，所述降压模块还用于根据所述GaN射频功率放大器的输出功率向所述GaN射频功率放大器提供动态变化的电压；

所述数字处理单元分别与所述电源模块、所述电荷泵与旁路开关模块、所述降压模块和所述GaN射频功率放大器相连，用于根据所述GaN射频功率放大器的输出功率，调节所述电源模块的输出电压、所述电荷泵与旁路开关模块的倍增系数以及所述降压模块的降压范围。

可选的，所述GaN射频功率放大器包括：

GaN线性功率放大器、GaN数字开关功率放大器以及GaN宽带功率放大器中的至少一种。

可选的，所述电荷泵与旁路开关模块包括电荷泵模块和旁路开关模块；

所述电荷泵模块用于对所述电源模块提供的电压进行倍增处理，其中，所述电荷泵模块为多相电荷泵，所述多相电荷泵的倍增系数可调；

所述旁路开关模块用于控制所述电荷泵模块形成直通状态，将所述电源模块提供的电压直接供给所述降压模块。

可选的，所述降压模块还用于将所述电荷泵与旁路开关模块输出的电压直接供给所述GaN射频功率放大器。

可选的，所述降压模块包括：

降压式变换电路和低压差线性稳压器电路中的至少一种。

可选的，所述降压模块输出的最大电压，大于或等于所述GaN射频功率放大器的最大工作电压。

可选的，所述电荷泵与旁路开关模块为GaN电荷泵与旁路开关模块，所述降压模块为GaN降压模块。

可选的，所述基站发射系统还包括：发射机和天线；

所述发射机分别与所述GaN射频功率放大器和所述数字处理单元相连，用于向所述GaN射频功率放大器提供通信信号；所述天线与所述GaN射频功率放大器相连，用于将所述GaN射频功率放大器放大输出的通信信号进行辐射传播。

可选的，所述GaN射频功率放大器的个数为多个；

其中，多个所述GaN射频功率放大器并行设置，并且每个所述GaN射频功率放大器均与所述降压模块相连，每个所述GaN射频功率放大器均与所述数字处理单元相连。

可选的，所述基站发射系统还包括：

射频开关，与多个所述GaN射频功率放大器相连，用于切换多个所述GaN射频功率放大器在所述基站发射系统中的接入状态。

可选的，所述基站发射系统还包括：

滤波器，与所述射频开关相连，用于对所述GaN射频功率放大器的输出信号进行滤波处理。

可选的，所述GaN射频功率放大器、所述射频开关和所述滤波器组成GaN集成放大器模块或者GaN单片微波集成电路。

可选的，所述电荷泵与旁路开关模块和降压模块个数为多个；

其中，多个所述电荷泵与旁路开关模块并行设置，多个所述降压模块并行设置，且每个所述电荷泵与旁路开关模块均独立连接一个对应的所述降压模块，形成并行输出；

每个所述电荷泵与旁路开关模块均与所述电源模块相连，每个所述降压模块均与所述GaN射频功率放大器相连，且每个所述电荷泵与旁路开关模块和所述降压模块均与所述数字处理单元相连。

可选的，所述降压模块个数为多个；

其中，多个所述降压模块并行设置，且每个所述降压模块均与所述电荷泵与旁路开关模块相连，形成并行输出；

每个所述降压模块均与所述GaN射频功率放大器相连，且每个所述降压模块均与所述数字处理单元相连。

本发明实施例提供的基站发射系统，包括电源模块、至少一个电荷泵与旁路开关模块、至少一个降压模块、至少一个GaN射频功率放大器以及数字处理单元，电源模块用于向基站发射系统提供电压，电荷泵与旁路开关模块与电源模块相连，用于对电源模块提供的电压进行倍增处理，降压模块与电荷泵和旁路开关模块相连，用于对电荷泵与旁路开关模块输出的电压进行降压处理，GaN射频功率放大器与降压模块相连，数字处理单元分别与电源模块、电荷泵与旁路开关模块、降压模块和GaN射频功率放大器相连，用于根据GaN射频功率放大器的工作状态，调节电源模块的输出电压、电荷泵与旁路开关模块的倍增系数以及降压模块的降压范围。采用上述技术方案，在基站发射系统中采用GaN射频功率放大器，能够提高设备的发射链路的带宽，并且由于GaN射频功率放大器具有较高的效率，因此能够提高发射链路的效率；通过调整电荷泵与旁路开关模块以及降压模块，可以为所述GaN射频功率放大器提供动态变化的电压，能够充分发挥GaN射频功率放大器高效的性能，并且电能的损耗较小，可以提高整个系统的效率；而且GaN射频功率放大器的面积较小，因此能够减小发射链路的面积。

附图说明

为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的一种基站发射系统的结构示意图；

图2是本发明实施例一提供的另一种基站发射系统的结构示意图

图3是本发明实施例二提供的一种基站发射系统的结构示意图；

图4是本发明实施例三提供的一种基站发射系统的结构示意图；

图5是本发明实施例四提供的一种基站发射系统的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。

实施例一

图1是本发明实施例一提供的一种基站发射系统的结构示意图，本发明实施例提供一种基站发射系统，本发明实施例提供的基站发射系统可以应用在任意通信系统的基站装置中。如图1所示，本发明实施例一提供的基站发射系统可以包括：

电源模块101，至少一个电荷泵与旁路开关模块102、至少一个降压模块103、至少一个GaN射频功率放大器104以及数字处理单元105；

其中，电源模块101用于向所述基站发射系统提供电压；

电荷泵与旁路开关模块102与电源模块101相连，用于对电源模块101提供的电压进行倍增处理；

降压模块103与电荷泵和旁路开关模块102相连，用于对电荷泵与旁路开关模块102输出的电压进行降压处理；

GaN射频功率放大器104与降压模块103相连，降压模块103还用于根据GaN射频功率放大器104的输出功率向GaN射频功率放大器104提供动态变化的电压；

数字处理单元105分别与电源模块101、电荷泵与旁路开关模块102、降压模块103和GaN射频功率放大器104相连，用于根据GaN射频功率放大器104的输出功率，调节电源模块101的输出电压、电荷泵与旁路开关模块102的倍增系数以及降压模块103的降压范围。

示例性的，本发明实施例一提供的基站发射系统中电荷泵与旁路开关模块102、降压模块103以及GaN射频功率放大器104的个数均为一个，电荷泵与旁路开关模块102、降压模块103以及GaN射频功率放大器104的个数可以为多个，在本发明其他实施例中进行介绍。

具体的，电源模块101用于向所述基站发射系统提供电压，电源模块101提供的电压可以为任意数值，基于GaN射频功率放大器104的工作电压，电源模块101提供的电压范围可以为18-62V，优选为48V或者28V。

电荷泵与旁路开关模块102的输入端与电源模块101的输出端相连，电荷泵与旁路开关模块102可以包括电荷泵模块和旁路开关模块，电荷泵与旁路开关模块102可以理解为电荷泵模块和旁路开关模块的集成设置。电荷泵模块用于对电源模块101提供的电压进行倍增处理，其中，所述电荷泵模块可以为多相电荷泵，所述多相电荷泵的倍增系数可调，例如，电荷泵模块可以将电源模块101输出的电压进行2倍倍增、3倍倍增等整数倍倍增，还可以将电源模块101输出的电压进行1.7倍倍增等非整数倍倍增，因此，电荷泵模块可以为多相电荷泵，可以将电源模块101输出的电压进行任意数值的倍增处理。所述旁路开关模块可以与电荷泵模块并联设置，用于在电源模块101输出的电压不需要进行倍增处理时，将电荷泵模块形成直通状态，将电源模块101提供的电压直接提供给降压模块103。

降压模块103的输入端与电荷泵和旁路开关模块102的输出端相连，用于对电荷泵与旁路开关模块102输出的电压进行降压处理，保证处理后得到的电压满足GaN射频功率放大器104的工作电压需求，通过电荷泵与旁路开关模块102以及降压模块103相连，可以为GaN射频功率放大器104提供可以动态变化的电压。可选的，降压模块103还可以用于在数字处理单元105的控制下，直接形成直通状态，将电荷泵与旁路开关模块102输出的电压不进行降压处理，直接供给GaN射频功率放大器104。进一步的，降压模块103可以包括降压式变换(Buck)电路和低压差线性稳压器(LDO)电路中的至少一种，即降压模块103可以是独立Buck电路，也可以是独立LDO电路，还可以是Buck电路和LDO电路的集成模块。

GaN射频功率放大器104的输入端与降压模块103的输出端相连，用于对功率信号进行放大处理，可选的，降压模块103输出的最大电压，大于或等于GaN射频功率放大器104的最大工作电压，保证GaN射频功率放大器104始终在最合适的电压下工作。可选的，GaN射频功率放大器104可以包括GaN线性功率放大器、GaN数字开关功率放大器以及GaN宽带功率放大器中的至少一种。

可选的，如图2所示，所述基站发射系统还可以包括发射机106和天线107，发射机107分别与GaN射频功率放大器104和数字处理单元相连105，用于向GaN射频功率放大器提供通信信号，可选的，发射机107可以为调频发射机、调幅发射机、光发射机以及哈里斯发射机中的至少一种。天线107与GaN射频功率放大器104相连，用于将GaN射频功率放大器104放大输出的通信信号进行辐射传播。

可选的，电荷泵与旁路开关模块可以是GaN电荷泵与旁路开关模块，降压模块可以是GaN降压模块。

具体的，GaN材料为第三代半导体材料，其材料本身具有较大的禁带宽度、高击穿场强、高迁移率以及高电流密度的特性，用GaN材料制作的射频功率放大器具有高功率密度、高效、高可靠性、以及宽带的特性。进一步的，GaN射频功率放大器104的输出等效电容Cds比较小，只有几pF的量级。与现有技术中使用的硅(Si)材料和砷化镓(GaAs)材料的射频功率放大器相比，GaN射频功率放大器104的输出电阻Rout随频率增长的变化量会小很多，同时GaN射频功率放大器104的开关响应时间非常短，因此应用GaN射频功率放大器104，可以大幅度的提高开关功放的效率，从而可以提高设备的效率。

现代通讯系统中，由于高峰均比的信号需求，其导致负载动态变化，GaN射频功率放大器104需要供电电压在10-120V的大动态范围下工作，才能将高效、高功率密度、宽带特性发挥出来。现有技术中，一般采用直接升压模块将电源模块输出的电压进行升压处理，例如，采用直接升压模块直接将一次电源的升压到120V，会存在两个方面的缺陷：1)增大了射频链路面积。由于升压模块中的开关管在开关转换过程中要不停进行切换，因此会出现dv/dt分量和di/dt分量，这些分量会产生大到供电电压2-3倍的瞬态电压值，开关管需要能够承受此高压，为了提高开关管的耐压能力，开关管需要很大的面积。同时，需要增加防止电磁干扰(EMI)的辅助电路，这样会增大射频链路面积；2)效率较低。升压模块中的开关管在开关过程会出现非常高的dv/dt分量和di/dt分量，这些分量会增加开关损耗，导致电源的转换效率较低，从而降低整个系统的效率。

而本发明实施例提供的基站发射系统，通过电荷泵模块对电源模块101输出的电压进行倍增处理，输出的电压可以是多种变化的，电荷泵模块可以选择整数倍提升拓扑电路，即V_out＝V_in,或者V_out＝2V_in,又或者V_out＝n*V_in.通过此方式可以实现基站发射系统的多样化，或者多相分数倍增电荷泵方式实现电压升压。由于GaN射频功率放大器104需要的电压是瞬态电压，电荷泵模块升压无法最大限度地接近GaN射频功率放大器104的需求电压，因此本发明实施例在电荷泵与旁路开关模块102后级放置降压模块103，通过电荷泵与旁路开关模块102一级降压模块103共同工作，为GaN射频功率放大器104提供适配的电压，电能的损耗较小，可以提高整个系统的效率。

例如：当GaN射频功率放大器104的输出功率变化，需要瞬态供电电压为80V，此时有几种灵活变动：

1、数字处理单元105控制电源模块101的输出电压为48V，控制电荷泵与旁路开关模块102的倍增系数为2，此时电荷泵与旁路开关模块102的输出电压为96V电压，再控制降压模块103的降压为16V，使降压模块103最终的输出电压为80V，直接给GaN射频功率放大器104供电。

2、数字处理单元105控制电源模块101的输出电压为48V，控制电荷泵与旁路开关模块102的倍增系数为1.7，此时电荷泵与旁路开关模块102的输出电压为81.6V，再通过数字处理单元105控制降压模块103处于直通状态，此时可以将81.6V电压直接给GaN射频功率放大器104供电。

作为优选方案，GaN射频功率放大器104的工作电压随其输出功率动态调节。在GaN射频功率放大器104的输出功率较大时，GaN射频功率放大器104的工作电压为较大的数值，在GaN射频功率放大器104的输出功率较小时，GaN射频功率放大器的工作电压为较小的数值。

本发明实施例一提供的基站发射系统，包括电源模块、一个电荷泵与旁路开关模块、一个降压模块、一个GaN射频功率放大器以及数字处理单元，电源模块用于向基站发射系统提供电压，电荷泵与旁路开关模块与电源模块相连，用于对电源模块提供的电压进行倍增处理，降压模块与电荷泵和旁路开关模块相连，用于对电荷泵与旁路开关模块输出的电压进行降压处理，GaN射频功率放大器与降压模块相连，用于根据降压模块输出的电压进行工作，数字处理单元分别与电源模块、电荷泵与旁路开关模块、降压模块和GaN射频功率放大器相连，用于根据GaN射频功率放大器的工作状态，调节电源模块的输出电压、电荷泵与旁路开关模块的倍增系数以及降压模块的降压范围。通过采用GaN射频功率放大器，因此能够提高基站发射系统的发射链路的带宽，并且由于GaN射频功率放大器具有较高的效率，因此能够整个基站发射系统的发射链路的效率；并且通过调整电荷泵与旁路开关模块以及降压模块，为GaN射频功率放大器提供可以动态变化的电压，能够充分发挥GaN射频功率放大器高效的性能，保证电能的损耗较小，提高整个基站发射系统的效率；同时，采用电荷泵与旁路开关模块以及降压模块组合的形式，保证基站发射系统中的开关管切换中不会产生高的dv/dt分量和di/dt分量，因此可以采用面积较小的开关管，也不需要设置防止EMI的辅助电路，而且GaN射频功率放大器的面积较小，因此能够减小发射链路的面积。

实施例二

图3为本发明实施例二提供的一种基站发射系统的结构示意图，本发明实施例二提供的基站发射系统以本发明实施例一为基础，在实施例一的基础上进行优化，具体是本发明实施例二提供的基站发射系统包括多个GaN射频功率放大器104，如图3所示，本发明实施例二提供的基站发射系统可以包括：

电源模块101，一个电荷泵与旁路开关模块102、一个降压模块103、多个GaN射频功率放大器104、数字处理单元105、发射机106以及天线107；

其中，多个GaN射频功率放大器104并行设置，并且每个GaN射频功率放大器104均与降压模块103相连，每个GaN射频功率放大器104均与数字处理单元105相连，其他器件的连接关系与实施例一相同，这里不再赘述。

示例性的，多个GaN射频功率放大器104并行设置，可以形成多个射频发射通道，由于GaN射频功率放大器104可以覆盖很宽的频带，且多个射频发射通道，可以满足基站发射系统覆盖所有频段的需求。基于供应商根据不同制式选择链路设计，因此通过增加射频发射通道，与GaN射频功率放大器104配合，能够覆盖所有需要覆盖的频段。因此实际实施中，GaN射频功率放大器104可以是一个，也可以是多个，由基站发射系统的频段需求决定。而电源供电部分，由单个电荷泵与旁路开关模块102加降压模块103供应，用单个电荷泵与旁路开关模块102加降压模块103给所有分支的GaN射频功率放大器104供电。

进一步的，当所述基站发射系统包括多个GaN射频功率放大器104时，所述基站发射系统还可以包括：

射频开关108，与多个GaN射频功率放大器104相连，用于切换多个GaN射频功率放大器104在所述基站发射系统中的接入状态。

示例性的，当基站发射系统中存在多个GaN射频功率放大器104时，射频开关108用来切换不同的射频发射通道，保证满足基站发射系统对频带的需求。可选的，所述射频开关108可以是GaN射频开关。

可选的，所述基站发射系统还可以包括：

滤波器109，与射频开关108相连，用于对GaN射频功率放大器104的输出信号进行滤波处理。

可以理解的是，当基站发射系统包括多个GaN射频功率放大器104时，GaN射频功率放大器104不再直接与天线107相连，而是GaN射频功率放大器104与射频开关108相连，射频开关108与滤波器109相连，滤波器109与天线107相连。

本发明实施例二提供的基站发射系统，包括电源模块、一个电荷泵与旁路开关模块、一个降压模块、多个GaN射频功率放大器以及数字处理单元，多个GaN射频功率放大器并行设置，并且每个GaN射频功率放大器均与降压模块相连，每个GaN射频功率放大器均与数字处理单元相连。采用上述技术方案，不仅可以提高发射链路的带宽、提升射频功率放大器的工作效率、减小发射链路的面积，还可以提供多个射频发射通道，增强射频发射通道的灵活配置，满足基站发射系统覆盖所有频段的需求。

实施例三

图4为本发明实施例三提供的一种基站发射系统的结构示意图，本发明实施例三提供的基站发射系统以上述实施例为基础，在上述实施例的基础上进行优化，具体是本发明实施例三提供的基站发射系统包括多个电荷泵与旁路开关模块102和降压模块103，如图4所示，本发明实施例三提供的基站发射系统可以包括：

电源模块101，多个电荷泵与旁路开关模块102、多个降压模块103、一个GaN射频功率放大器104、数字处理单元105、发射机106以及天线107；

其中，多个电荷泵与旁路开关模块102并行设置，多个降压模块103并行设置，且每个电荷泵与旁路开关模块102均独立连接一个对应的降压模块103，形成并行输出；

每个电荷泵与旁路开关模块102均与电源模块101相连，每个降压模块103均与GaN射频功率放大器104相连，每个电荷泵与旁路开关模块102和降压模块103均与数字处理单元105相连，其他器件的连接关系与实施例一相同，这里不再赘述。

示例性的，在本发明实施例中，多个电荷泵与旁路开关模块102以及多个降压模块103并行给单个GaN射频功率功放器104进行供电，形成多个供电通道，这样可以保证随GaN射频功率放大器104的输出功率需求，数字处理单元105灵活配置具体选择哪个供电通道。数字处理单元105通过强大的数字处理能力，对多路并行供电进行灵活控制，让其实现多相智能调制电源模块供电。

举例而言，本发明实施例三提供的基站发射系统可以包括三个电荷泵与旁路开关模块102和三个降压模块103，三个电荷泵与旁路开关模块102并行设置，三个降压模块103并行设置，且每个电荷泵与旁路开关模块102均独立连接一个对应的降压模块103，形成三个并行输出，三个供电通道。在三个供电通道中，设置每个供电通道中电荷泵与旁路开关模块102的倍增系数不同，具体可以是设置小、中、大三个倍增系数，保证三个供电通道可以向GaN射频功率放大器104提供小、中、大三个供电电压，保证根据GaN射频功率放大器104的输出功率需求，灵活选择切入的供电通道，提升基站发射系统的工作效率。

可以理解的是，本发明实施例三提供的基站发射系统，可以根据GaN射频功率放大器104的输出功率需求，配置多个电荷泵与旁路开关模块102以及多个降压模块103，形成多个供电通道，保证基站发射系统的工作效率。

本发明实施例三提供的基站发射系统，包括电源模块、多个电荷泵与旁路开关模块、多个降压模块、一个GaN射频功率放大器以及数字处理单元，多个电荷泵与旁路开关模块并行设置，多个降压模块并行设置，且每个电荷泵与旁路开关模块均独立连接一个对应的降压模块，形成并行输出，每个电荷泵与旁路开关模块均与电源模块相连，每个降压模块均与GaN射频功率放大器相连，且每个电荷泵与旁路开关模块和降压模块均与数字处理单元相连。采用上述技术方案，不仅可以提高发射链路的带宽、提升射频功率放大器的工作效率、减小发射链路的面积，还可以在不同相位时隙中选择不同供电通道，给不同的供电通道分配不同带载能力，进一步优化电源供电部分效率。

实施例四

图5为本发明实施例四提供的一种基站发射系统的结构示意图，本发明实施例四提供的基站发射系统以上述实施例为基础，在上述实施例的基础上进行优化，具体是本发明实施例四提供的基站发射系统包括多个降压模块103，如图5所示，本发明实施例四提供的基站发射系统可以包括：

电源模块101，一个电荷泵与旁路开关模块102、多个降压模块103、一个GaN射频功率放大器104、数字处理单元105、发射机106以及天线107；

其中，多个降压模块103并行设置，且每个降压模块103均与电荷泵与旁路开关模块102相连，形成并行输出；

每个降压模块103均与GaN射频功率放大器104相连，且每个降压模块103均与数字处理单元105相连，其他器件的连接关系与实施例一相同，这里不再赘述。

示例性的，在本发明实施例中，多个降压模块103并行给单个GaN射频功率功放器104进行供电，这样可以保证随GaN射频功率放大器104的输出功率需求，数字处理单元105将多路并行供电进行灵活控制。

举例而言，本发明实施例四提供的基站发射系统可以包括两个降压模块103，所述两个降压模块可以分别为Buck电路和LDO电路，由于Buck电路和LDO电路的降压范围不一样，在实现降压的过程中，两个降压模块相互配合，为GaN射频功率放大器104提供最适合的工作电压。例如，电荷泵与旁路开关模块102的输出电压为120V，GaN射频功率放大器104需要的工作电压为80V，在降压过程中，数字处理单元105控制Buck电路降压30V，控制LDO电路降压10V，保证两个降压模块共同实现降压40V，得到GaN射频功率放大器104最适合的工作电压。

可以理解的是，本发明实施例四提供的基站发射系统，可以根据GaN射频功率放大器104的输出功率需求，配置多个降压模块103，共同实现降压功能。

本发明实施例四提供的基站发射系统，包括电源模块、一个电荷泵与旁路开关模块、多个降压模块、一个GaN射频功率放大器以及数字处理单元，多个降压模块并行设置，且每个降压模块均与电荷泵与旁路开关模块相连，形成并行输出，每个降压模块均与GaN射频功率放大器相连，且每个降压模块均与数字处理单元相连。采用上述技术方案，不仅可以提高发射链路的带宽、提升射频功率放大器的工作效率、减小发射链路的面积，还可以使用多个降压模块共同实现降压功能，避免因单个降压模块降压能力有限，无法为GaN射频功率放大器提供合适的工作电压，降低GaN射频功率放大器工作效率。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

需要说明的是，本发明实施例中的射频功率放大器均是以GaN射频功率放大器为例进行说明的，可以理解的是，与GaN射频功率放大器具备相同性能的射频功率放大器也包括在本发明实施例的范围内，例如石墨烯射频功率放大器。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。