1.一种基站发射系统，其特征在于，包括：电源模块、至少一个电荷泵与旁路开关模块、至少一个降压模块、至少一个氮化镓GaN射频功率放大器以及数字处理单元；
其中，所述电源模块用于向所述基站发射系统提供电压；
所述电荷泵与旁路开关模块与所述电源模块相连，用于对所述电源模块提供的电压进行倍增处理；
所述降压模块与所述电荷泵和旁路开关模块相连，用于对所述电荷泵与旁路开关模块输出的电压进行降压处理；
所述GaN射频功率放大器与所述降压模块相连，所述降压模块还用于根据所述GaN射频功率放大器的输出功率向所述GaN射频功率放大器提供动态变化的电压；
所述数字处理单元分别与所述电源模块、所述电荷泵与旁路开关模块、所述降压模块和所述GaN射频功率放大器相连，用于根据所述GaN射频功率放大器的输出功率，调节所述电源模块的输出电压、所述电荷泵与旁路开关模块的倍增系数以及所述降压模块的降压范围。
2.根据权利要求1所述的基站发射系统，其特征在于，所述GaN射频功率放大器包括：
GaN线性功率放大器、GaN数字开关功率放大器以及GaN宽带功率放大器中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的基站发射系统，其特征在于，所述电荷泵与旁路开关模块包括电荷泵模块和旁路开关模块；
所述电荷泵模块用于对所述电源模块提供的电压进行倍增处理，其中，所述电荷泵模块为多相电荷泵，所述多相电荷泵的倍增系数可调；
所述旁路开关模块用于控制所述电荷泵模块形成直通状态，将所述电源模块提供的电压直接供给所述降压模块。
4.根据权利要求1所述的基站发射系统，其特征在于，所述降压模块还用于将所述电荷泵与旁路开关模块输出的电压直接供给所述GaN射频功率放大器。
5.根据权利要求1所述的基站发射系统，其特征在于，所述降压模块包括：
降压式变换电路和低压差线性稳压器电路中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的基站发射系统，其特征在于，所述降压模块输出的最大电压，大于或等于所述GaN射频功率放大器的最大工作电压。
7.根据权利要求1所述的基站发射系统，其特征在于，所述电荷泵与旁路开关模块为GaN电荷泵与旁路开关模块，所述降压模块为GaN降压模块。
8.根据权利要求1所述的基站发射系统，其特征在于，还包括：发射机和天线；
所述发射机分别与所述GaN射频功率放大器和所述数字处理单元相连，用于向所述GaN射频功率放大器提供通信信号；所述天线与所述GaN射频功率放大器相连，用于将所述GaN射频功率放大器放大输出的通信信号进行辐射传播。
9.根据权利要求1-8任一项所述的基站发射系统，其特征在于，所述GaN射频功率放大器的个数为多个；
其中，多个所述GaN射频功率放大器并行设置，并且每个所述GaN射频功率放大器均与所述降压模块相连，每个所述GaN射频功率放大器均与所述数字处理单元相连。
10.根据权利要求9所述的基站发射系统，其特征在于，还包括：
射频开关，与多个所述GaN射频功率放大器相连，用于切换多个所述GaN射频功率放大器在所述基站发射系统中的接入状态。
11.根据权利要求10所述的基站发射系统，其特征在于，还包括：
滤波器，与所述射频开关相连，用于对所述GaN射频功率放大器的输出信号进行滤波处理。
12.根据权利要求11所述的基站发射系统，其特征在于，所述GaN射频功率放大器、所述射频开关和所述滤波器组成GaN集成放大器模块或者GaN单片微波集成电路。
13.根据权利要求1-8任一项所述的基站发射系统，其特征在于，所述电荷泵与旁路开关模块和降压模块个数为多个；
其中，多个所述电荷泵与旁路开关模块并行设置，多个所述降压模块并行设置，且每个所述电荷泵与旁路开关模块均独立连接一个对应的所述降压模块，形成并行输出；
每个所述电荷泵与旁路开关模块均与所述电源模块相连，每个所述降压模块均与所述GaN射频功率放大器相连，且每个所述电荷泵与旁路开关模块和所述降压模块均与所述数字处理单元相连。
14.根据权利要求1-8任一项所述的基站发射系统，其特征在于，所述降压模块个数为多个；
其中，多个所述降压模块并行设置，且每个所述降压模块均与所述电荷泵与旁路开关模块相连，形成并行输出；
每个所述降压模块均与所述GaN射频功率放大器相连，且每个所述降压模块均与所述数字处理单元相连。