技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，涉及太赫兹技术领域。所述发射机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的发射机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述发射机的盒体采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了发射机的重量，且采用MEMS工艺，系统集成度更高。
技术研发人员：冯志红;王俊龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东;徐鹏
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2017.05.23
技术公布日：2017.07.28