一种本安型手机的制作方法

文档序号:16353707发布日期:2018-12-21 20:25阅读:270来源:国知局
一种本安型手机的制作方法

本实用新型属于通信设备技术领域,具体涉及一种本安型手机。



背景技术:

本安型手机主要用于易发生爆炸和火灾的危险场所,通过与无线基站之间的通讯,主要实现手机、底面调度台、固定座机和移动电话之间的语音通话,同时还可以实现文字或图像的数据传输。

本安型手机上均装有照明用的手电灯,用于在昏暗情况下的照明使用,但现有打开手电灯的方式主要为机械按键打开,或者手动点亮屏幕后按压手电灯的控制键控制手电灯的开启,此种点亮手电灯的方式麻烦,操作不够简便,同时在昏暗光线下也不易找到手机上开启手电灯的机械开关。



技术实现要素:

为克服现有技术存在的技术缺陷,本实用新型公开了一种本安型手机,只需触摸手机侧边的金属片即可点亮手电灯,无需点亮手机以及手动按压机械按键,使用方便,操作便捷。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种本安型手机,包括:安装在手机外壳侧边的金属片,还包括与金属片藕接的开关电路,所述开关电路包括:外接电源、第一电阻、第二电阻、可控硅、第三电阻、手电灯、第四电阻、第二电容、第五电阻、第四或非门、第三或非门、第三电容、第七电阻、第二二极管、第二或非门、第一或非门和第八电阻;所述外接电源与地之间串联连接有第一电阻和第二电阻,第一电阻和第二电阻的公共端连接可控硅的阳极,可控硅的阴极与地之间串联连接第三电阻和手电灯,可控硅的控制极连接第四或非门的第十一引脚,可控硅的阳极还连接第四电阻的第一端,第四电阻的第二端连接第三或非门的第十四引脚,第四电阻的第二端与地之间还分别并联连接有第二电容和第五电阻,第四或非门的第十二引脚与第十三引脚的公共端连接第三或非门的第十引脚,第三或非门的第七引脚接地,第三或非门的第八引脚与第九引脚的公共端连接第二二极管的阴极,第三或非门的第八引脚与第九引脚的公共端与地之间还分别并联连接有第三电容和第七电阻,第二二极管的阳极连接第二或非门的第四引脚,第二或非门的第五引脚与第六引脚的公共端连接第一或非门的第三引脚,第一或非门的第二引脚与第一引脚的公共端连接金属片,第一或非门的第二引脚与第一引脚的公共端还通过第八电阻接地。

优选地,硅的控制极与第四或非门的第十一引脚之间还连接有第六电阻。

优选地,所述第一电阻和第二电阻的公共端还连接有第一二极管的阳极,第一二极管的阴极连接第四电阻的第一端。

优选地,所述第一电阻和第二电阻的公共端与第一二极管阳极之间还通过第一电容接地。

优选地,所述第一或非门的第二引脚与第一引脚的公共端和金属片之间还连接有静电防护电路,所述静电防护电路包括:PMOS管和NMOS管;所述第一或非门的第二引脚与第一引脚的公共端连接PMOS管的栅极与源极,PMOS管的源极连接外接电源,PMOS管的漏极连接金属片,PMOS管的漏极还连接NMOS管的漏极,NMOS管的源极接地,NMOS管的源极和栅极还连接第一或非门的第二引脚与第一引脚的公共端。

优选地,所述PMOS管的栅极与第一或非门的第二引脚与第一引脚的公共端之间还连接有第四电容,NMOS管的栅极与第一或非门的第二引脚与第一引脚的公共端之间还连接有第五电容。

本实用新型的有益效果是:通过在手机外壳侧边设计金属片,贴近人体握手机的姿势,为手触开启设计省力省时;通过设置的开关电路,在人体触摸金属片后自动开启手电灯,无需人为使用机械按键,同时无需点亮手机屏幕,使用方便,操作便捷,开关电路中还设有延时作用,使得手电灯自动熄灭,且熄灭时间可调;该电路结构简单,电路稳定性强,实用性好。

附图说明

图1是本实用新型所述开关电路的电路原理图

附图标记:R1-第一电阻,R2-第二电阻,C1-第一电容,D1-第一二极管,DS-可控硅,R3-第三电阻,S-手电灯,R4-第四电阻,C2-第二电容,R5-第五电阻,R6-第六电阻,Y4-第四或非门,11-第十一引脚,12-第十二引脚,13-第十三引脚,10-第十引脚,Y3-第三或非门,7-第七引脚,8-第八引脚,9-第九引脚,14-第十四引脚,C3-第三电容,R7-第七电阻,D2-第二二极管,Y2-第二或非门,4-第四引脚,5-第五引脚,6-第六引脚,Y1-第一或非门,3-第三引脚,2-第二引脚,1-第一引脚,R8-第八电阻,Q1- PMOS管,Q2- NMOS管,C4-第四电容,C5-第五电容,M -金属片,VCC-外接电源。

具体实施方式

以下结合附图及附图标记对本实用新型的实施方式做更详细的说明,使熟悉本领域的技术人在研读本说明书后能据以实施。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

一种本安型手机,包括:安装在手机外壳侧边的金属片M,还包括与金属片M藕接的开关电路,所述开关电路包括:外接电源VCC、第一电阻R1、第二电阻R2、可控硅DS、第三电阻R3、手电灯S、第四电阻R4、第二电容C2、第五电阻R5、第四或非门Y4、第三或非门Y3、第三电容C3、第七电阻R7、第二二极管D2、第二或非门Y2、第一或非门Y1和第八电阻R8;所述外接电源VCC与地之间串联连接有第一电阻R1和第二电阻R2,第一电阻R1和第二电阻R2的公共端连接可控硅DS的阳极,可控硅DS的阴极与地之间串联连接第三电阻R3和手电灯S,可控硅DS的控制极连接第四或非门Y4的第十一引脚11,可控硅DS的阳极还连接第四电阻R4的第一端,第四电阻R4的第二端连接第三或非门Y3的第十四引脚14,第四电阻R4的第二端与地之间还分别并联连接有第二电容C2和第五电阻R5,第四或非门Y4的第十二引脚12与第十三引脚13的公共端连接第三或非门Y3的第十引脚10,第三或非门Y3的第七引脚7接地,第三或非门Y3的第八引脚8与第九引脚9的公共端连接第二二极管D2的阴极,第三或非门Y3的第八引脚8与第九引脚9的公共端与地之间还分别并联连接有第三电容C3和第七电阻R7,第二二极管D2的阳极连接第二或非门Y2的第四引脚4,第二或非门Y2的第五引脚5与第六引脚6的公共端连接第一或非门Y1的第三引脚3,第一或非门Y1的第二引脚2与第一引脚1的公共端连接金属片M,第一或非门Y1的第二引脚2与第一引脚1的公共端还通过第八电阻R8接地;第一或非门Y1、第二或非门Y2、第三或非门Y3和第四或非门Y4组成2输入四或非门,该2输入四或非门采用现有芯片TC4001,该芯片各个或非门的引脚由出厂商家自定义;具体地,该开关电路的工作原理为:第一电阻R1和第二电阻R2为分压电阻,降低外接电源VCC的电压,降压后的电压通过第四电阻R4加载在第二电容C2两端,第二电容C2两端的电压为2输入四或非门芯片供电,所述外接电源为手机内部的蓄电池电源;

当手触碰金属片M后,第一或非门Y1输出高电平,第二或非门反相后输出低电平,第二二极管D2处于反偏状态而截止,第三或非门Y3输出高电平,第四或非门Y4反相后输出低电平,可控硅DS截至,此时手电灯S两端没有电流经过,手电灯S不亮;其中第三电阻R3和第四电阻R4为限流电阻,第五电阻R5为分压电阻;

当手触摸金属片M时,相当于给第一或非门Y1一个触发脉冲,此时第一或非门Y1输出低电平,经过第二或非门Y2反相后,输出高电平,第二二极管D2正向导通,此时高电平信号经第三或非门Y3反相后变成低电平,低电平信号再经过第四或非门Y4反相后变成高电平,可控硅DS的控制极接收高电平信号导通,此时手电灯S两端有电流经过,手电灯S点亮;

当手放开金属片M时,经过充电后的第三电容C3两端的电压不会突变,此时仍然有电压加在第三或非门Y3的输入端,第三或非门Y3输出低电平,第四或非门Y4输出高电平,此时可控硅DS依旧处于导通状态,随着第三电容C3的放电,第三电容C3两端的电压降低,此时第三或非门Y3输出高电平,第四或非门Y4输出低电平,可控硅DS的控制极接收低电平信号截止,此时手电灯S熄灭;第三电容C和第七电阻R7用于调整电压降低的时间,即调整延时关闭的时间,调节灵活方便。

所述可控硅DS的控制极与第四或非门Y4的第十一引脚11之间还连接有第六电阻R6;所述第六电阻R6为限流电阻,保证电路工作的稳定性。

所述第一电阻R1和第二电阻R2的公共端还连接有第一二极管D1的阳极,第一二极管D1的阴极连接第四电阻R4的第一端;所述第一二极管D1用于防止电源接反,利用了二极管单向导通的特性,当电源接反时,二极管后面的电路不会有反向电压,防止事故发生。

所述第一电阻R1和第二电阻R2的公共端与第一二极管D1阳极之间还通过第一电容C1接地;所述第一电容C1提供一个较稳定的分压后的电压,供后级的可控硅DS、手电灯S和或非门使用。

所述第一或非门Y1的第二引脚2与第一引脚1的公共端和金属片M之间还连接有静电防护电路,所述静电防护电路包括:PMOS管Q1和NMOS管Q2;所述第一或非门Y1的第二引脚2与第一引脚1的公共端连接PMOS管Q1的栅极与源极,PMOS管Q1的源极连接外接电源VCC,PMOS管Q1的漏极连接金属片M,PMOS管Q1的漏极还连接NMOS管Q2的漏极,NMOS管Q2的源极接地,NMOS管Q2的源极和栅极还连接第一或非门Y1的第二引脚2与第一引脚1的公共端;静电防护电路就是为了消除静电,提高耐压值,当人体接触金属片M时,瞬态电压超过电路的正常工作电压时,PMOS管Q1和NMOS管Q2同时击穿,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压击穿或超额电流的过热烧毁,起保护作用。

所述PMOS管Q1的栅极与第一或非门Y1的第二引脚2与第一引脚1的公共端之间还连接有第四电容C4,NMOS管Q2的栅极与第一或非门Y1的第二引脚2与第一引脚1的公共端之间还连接有第五电容C5;第四电容C4和第五电容C5是为了提高耦合速度,尽快击穿MOS管。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施方式只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型的技术方案下得出的其他实施方式,均应包含在本实用新型的保护范围内。

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