发声装置和耳机的制作方法

本实用新型属于电声换能技术领域，具体地，本实用新型涉及一种发声装置。

背景技术：

近年来，消费类电子产品的得到快速发展，智能手机、VR设备等电子设备得到消费者的认可，得到了广泛的应用。本领域技术人员对相关的配套产品如耳机等也相应进行了改进，以满足电子产品的性能要求，满足消费者对产品性能的需要。

发声装置是消费类电子产品中重要的电声换能部件，其作为扬声器、听筒、耳机等得到广泛的应用。随着电子产品的性能改进，有关发声装置的声学性能的改进也是必然的趋势。为了满足更好的声学性能，发声装置往往需要配置尺寸更大的、磁场强度更强的磁路系统。在发声装置中，音圈的尺寸与磁路系统的尺寸是相互匹配的。但是，以应用在耳机等电子产品上的发声装置为例，音圈的引线以及相关电路部件设置在音圈的外侧，从而限制了音圈以及磁路系统的尺寸，造成难以优化声学性能的问题。另一方面，音圈在发声装置中振动时容易产生偏振，从而造成声学效果出现瑕疵。此外，发声装置需要在音圈的振动方向上为引线留出足够的空间，以免引线与其它部件发生擦碰，这会造成发声装置外围的支架在音圈的振动方向上的高度增加，造成发声装置的体积增大，不利于配置更大尺寸的磁路系统。

技术实现要素：

本实用新型的一个目的是提供一种改进的发声装置。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种发声装置，包括：

磁路系统，所述磁路系统的中心形成有通孔，所述磁路系统在所述通孔外围形成有环形的磁间隙；

振动组件，所述振动组件包括振膜和音圈，所述音圈连接在所述振膜的一侧表面上，所述振膜的边缘固定在所述发声装置中，所述音圈悬于所述磁间隙中；

导电柱，所述导电柱穿过所述通孔并从所述磁路系统的上端露出，所述导电柱的顶端具有两个第一电连接点，所述音圈内侧引出有两支引线，两支引线分别与两个所述第一电连接点电连接；

所述导电柱的上端面齐平于或低于所述音圈的上端面，所述导电柱的上端面与所述音圈的上端面之间的距离为第一距离L1，所述磁路系统的中心磁部的上端面与所述音圈的上端面的距离为第二距离L2，所述第一距离L1大于或等于0，所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。

可选地，所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1，所述导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2，所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。

可选地，所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1，所述发声装置的外周的直径为第三直径D3，所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。

可选地，两支引线从所述音圈上引出的位置相对于所述音圈的中心呈中心对称。

可选地，两支所述引线从所述音圈上弯折延伸至两个所述第一电连接点。

可选地，两支所述引线呈V型延伸；或者呈S型延伸。

可选地，两支所述引线相对于所述音圈的一条径向的对称轴呈轴对称。

可选地，所述导电柱的底端形成有两个第二电连接点，两个所述第二电连接点被配置为用于与外部设备形成电连接，两个所述第二电连接点分别与两个所述第一电连接点形成电连接。

可选地，所述导电柱的底端从所述磁路系统的底部露出，所述导电柱的底端形成有支撑部，所述支撑部覆于所述磁路系统的底面上。

可选地，所述导电柱包括侧面呈倒T型的塑料本体部和注塑于所述塑料本体部中的两个金属件，所述金属件包括平行的第一端部和第二端部，以及连接第一端部和第二端部的中间部，所述第一端部形成第一电连接点，所述第二端部形成第二电连接点。

可选地，所述磁路系统包括磁轭和中心磁部，所述磁轭具有底壁和侧壁，所述中心磁部设置在所述磁轭中，所述中心磁部包括堆叠设置的磁铁和导磁板，所述中心磁部和所述磁轭的底壁上形成贯通的所述通孔，所述磁间隙形成在所述中心磁部与所述磁轭的侧壁之间。

可选地，还包括塑料材料制成的承载框架，所述振膜的边缘固定连接在所述承载框架的上端面上，所述承载框架中心具有镂空，所述磁路系统固定在所述镂空处。

可选地，所述磁路系统为圆柱形结构；

所述磁轭的顶部边缘处形成有向磁轭外围延伸的若干个凸缘，所述磁轭和所述凸缘一体冲压成型；

所述承载框架的下端面上形成有定位部；

所述磁轭从所述承载框架的下端面一侧定位设置于所述镂空处，所述凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的底部与所述定位部固定连接。

可选地，所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的定位凹槽，所述定位凹槽延伸至所述镂空处，所述凸缘嵌于所述定位凹槽中。

可选地，所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的热熔结构，所述热熔结构与所述凸缘热熔固定连接；

所述定位部还包括形成于所述承载框架的下端面上的定位凹槽，所述定位凹槽延伸至所述镂空处，所述热熔结构位于所述定位凹槽中，所述凸缘嵌于所述定位凹槽中；

所述镂空的形状与所述磁轭的外形相匹配，所述磁轭的上端嵌于所述镂空中，所述磁轭嵌入所述镂空的深度相当于所述定位凹槽的深度。

本实用新型还提供了一种耳机，所述耳机中设置上述发声装置。

本实用新型的一个技术效果在于，有效节省空间，有利于设置体积更大的音圈和/或磁路系统。

通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1是本实用新型提供的发声装置的爆炸图；

图2是本实用新型提供的发声装置的俯视示意图；

图3是本实用新型提供的发声装置的侧面剖视图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

本实用新型提供了一种发声装置，该发声装置包括磁路系统、振动组件和导电柱。该技术方案将用于导通信号的导电柱设置在振动组件的音圈内侧，从而改变了音圈上引出的引线的连接方式。通过这种设计方式，能够改善音圈的偏振问题。

如图1、3所示，所述磁路系统中心形成有通孔10，所述通孔10从磁路系统的底部贯通至所述磁路系统的顶部。所述磁路系统中形成有磁间隙13，所述磁间隙13中形成有磁场，其用于驱动振动组件振动。所述磁间隙13呈环形，其环绕在所述通孔10的外围。

如图1所示，所述振动组件则包括振膜21和音圈22。所述音圈22中可以通入声音信号，所述音圈22在磁路系统的磁场作用下能够产生振动。所述振膜21的边缘固定连接在所述发声装置中，所述音圈22连接在所述振膜21的一侧表面上，音圈22悬于所述磁路系统形成的磁间隙13中。音圈22在产生振动时能够带动所述振膜一同振动，使振膜振动产生声音。所述音圈22上引出有两支引线221，所述引线221用于将声音信号导入所述音圈22内。

如图1-3所示，所述导电柱3插在所述磁路系统的通孔10中，导电柱3的顶端从所述磁路系统的顶部露出。所述导电柱3用于将声音信号引入至所述音圈22上。所述导电柱3的顶端形成有两个第一电连接点31。音圈22的内侧引出的两支所述引线221向所述音圈22的内侧延伸，两支所述引线221分别与两个所述第一电连接点31一一对应的形成电连接。所述导电柱3中可以具有电路部件，用于将声音信号传输至所述第一电连接点31。所述音圈22通过两支所述引线221以及对应连接的第一电连接点31导通形成信号回路。

在本实用新型设计的技术方案中，不同于现有技术，音圈上引出的所述引线不是向音圈的外围延伸，而是向音圈的中心区域延伸。引线连接在位于通孔处的导电柱的顶端，引线产生的拉扯作用力向音圈的中心集中。由于将用于导通信号的导电柱设置在位于磁路系统中心区域的通孔处，所以发声装置在音圈的外围无需再设置其它用于导通信号的部件，节省了空间。这种布局方式有助于在发声装置整体体积不变的情况下配置尺寸、体积更大的音圈和磁路系统，有助于提高发声装置的输出功率，以满足声学性能的要求。

导电柱的上端面与音圈的上端面之间的距离为第一距离L1，磁路系统的中心磁部的上端面与音圈的上端面的距离为第二距离L2。所述第一距离L1指沿着导电柱的轴向，导电柱的上端面距离音圈的上端面的竖直距离。所述第二距离L2指沿着音圈的轴向，所述磁路系统的中心磁部距离音圈的上端面的竖直距离。可选地，所述导电柱的上端面齐平于或者低于所述音圈的上端面，如图3所示，即所述第一距离L1大于或等于0。导电柱的上端面较低，能够有效避免振膜与导电柱之间发生碰撞，防止振膜振动时因与导电柱发生碰撞而引起杂音。优选地，第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。如果导电柱的上端面低于音圈的上端面的距离过大，则会造成音圈的引线容易与磁路系统的中心磁部发生碰撞，产生碰撞声音。一方面，产生的杂音会降低发声装置的音质，另一方面，也会存在造成音圈引线断线的风险。优选地，所述第一距离L1大于或等于0，所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。

所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1，导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2。优选地，所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。所述磁路系统的靠近磁间隙的部分是对产生电磁作用力贡献最大的部分，所述通孔的位置远离所述磁间隙。因此，在磁路系统的远离磁间隙的中心部位开设通孔并放置导电柱，能够有效避免磁路系统的结构损失对产生电磁场造成的影响。优选地，导电柱在工艺可控范围尽可能缩小第二直径D2。在D2≤0.32*D1的范围内能够避免对产生电磁场的强度造成实质性的负面影响,灵敏度损失在0.2dB以下。

发声装置的外周的直径为第三直径D3。在本实用新型的优选实施方式中，所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。在现有技术中，位于磁路系统外围的框架、壳体上注塑有用于电连接的焊盘的电路器件，占据了磁路系统外围的较大空间。在发声装置整体的空间有限的情况下，导致留给磁路系统自身的可用空间较小。本实用新型利用设置于磁路系统中心的导电柱将音圈与外部电连接，磁路系统的外围无需再设置其它电连接，从而在磁路系统的外围节省了空间。相对于现有技术，可以将磁路系统的尺寸设计的更大，提高磁路系统的性能。优选地，所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。可选地，所述第一直径D1与第三直径的比值为0.75。

在优选的实施方式中，如图2所示，两支所述引线221从所述音圈22上引出的位置相对于所述音圈22的中心呈中心对称的分布形式。由于两支引线引出的位置相对于音圈中心呈中心对称，所以音圈在振动时，引线对音圈产生的拉扯作用力是对称的。通过这种设计，能够有效提高音圈振动的稳定性和平衡性。虽然引线产生的拉扯作用力可能对音圈的振动产生阻碍作用，但是两支引线所产生的对称的作用力能够降低音圈产生偏振的风险，有助于提高发声装置的声音质量。

可选地，所述引线从所述音圈上引出后，以弯折延伸的形式延伸到位于音圈的中心区域的导电柱上，并与第一电连接点形成电连接。将所述引线配置成弯折延伸能够增长引线的长度，使得引线具有更好的变形能力。在实际应用中，所述引线的一端固定连接在所述第一电连接点上，另一端与所述音圈的主体固定连接。在音圈产生振动时，引线的两端难免产生相对位移、振动。在这种情况下，弯折延伸的引线具有更好的变形能力，能够随着音圈的振动产生变形，降低音圈因振动而断裂的可能性。另一方面，引线可以通过变形形成缓冲，避免引线对音圈产生过大的拉扯作用力，降低其产生的拉扯作用力对音圈的振幅的影响，提高音圈的电能转化率，保证发声装置的声音输出响度。

可选地，如图2所示，所述引线221呈V型延伸。将引线221设计成V型既能够使引线具有更好的变形能力、不易折断损坏，又能够在音圈停止震动后使引线自身恢复到原始的形状，降低引线发生不可逆的塑性变形的可能性。本实用新型并不对所述引线的弯折形状进行具体限制，在其它实施方式中，也可以将所述引线设计成呈S型延伸或者呈其它形状延伸。

优选地，两支所述引线相对于所述音圈的一条径向上的对称轴呈轴对称分布。例如图2所示，两支引线221相对于图中音圈22的纵向直径呈轴对称分布。这种分布方式的两支引线分别产生的拉扯作用力也是相互对称的，在音圈振动时引线能够协助平衡音圈的姿态，更有效的降低音圈产生偏振的可能性。

可选地，如图3所示，所述导电柱3的底端形成有两个第二电连接点32。两个所述第二电连接点32被配置为用于与外部设备形成电连接，以将声音信号从外部电子设备引入至发声装置中。两个所述第二电连接点32则分别与两个所述第一电连接点31形成电连接。在实际应用中，本实用新型提供的发声装置需要装配到其它电子设备中，例如装配到手机、耳机、小型扬声器等设备上。所以发声装置通常需要从其它设备上接收声音信号再将声音信号转化成声音。通过在所述导电柱的底端设置第二电连接点，能够将外部设备上的声音信号导入所述导电柱内。由于两个第二电连接点分别与两个第一电连接点形成电连接，所以声音信号能够经第二电连接点、第一电连接点传输至所述引线上。该实施方式的另一个优点在于，第二电连接点形成在导电柱的底端，而所述通孔贯通所述磁路系统，因此在将第二电连接点与外部设备电连接时，能够方便的从磁路系统的底部配置电连接件，进而与第二电连接点连接。这种设计方式便于实现电连接，也与发声装置装配到外部设备上的方式契合度更高。

优选地，如图3所示，所述导电柱3的底端从所述磁路系统的底部露出。将导电柱3的底端从磁路系统中露出，能够更方面的使第二电连接点32与外部设备形成电连接，也能够简化外部设备的结构设计、简化发声装置装配到外部设备上的方式。

优选地，如图1、3所示，所述导电柱3的底端还可以形成有支撑部33。如图3所示，导电柱3的侧视结构呈倒T型。所述支撑部33能够提高所述导电柱3与磁路系统之间的装配定位精度，也能够提高导电柱3与磁路系统的一体化程度。该支撑部的底面可以作为发声装置整体的底面，用于与外部设备接触、贴合装配等。通过设置所述支撑部，使得磁路系统无需直接与外部设备接触，加强了对磁路系统的保护作用。

本实用新型并不对所述导电柱中如何使第一电连接点与第二电连接点形成电连接进行限制。可选地，所述导电柱中可以采用导电片或电线等部件将两个第二电连接点分别与两个第一电连接点形成电连接。

对于所述导电柱的具体结构，本实用新型提供了一种具体实施方式。如图1、3所示，所述导电柱包括塑料本体部，所述塑料本体部作为所述导电柱的主体结构，其侧面呈倒T型结构。导电柱还包括两个金属件，两个所述金属件注塑固定在所述塑料本体部内。所述金属件上具有第一端部、第二端部和中间部。同一个金属件上的第一端部与第二端部呈相对平行的姿态，所述中间部连接在所述第一端部与第二端部之间。所述第一端部用于构成上述第一电连接点，所述第二端部则用于构成所述第二电连接点。所述第一端部可以从所述塑料本体部的顶面上露出，所述第二端部则从所述塑料本体部的底面上露出。这种配置方式便于引线以及外部设备通过所述金属件实现信号导通。而且，金属件的中间部注塑在塑料本体部内部，不易与发声装置内的其它导电、导磁部件发生相互干扰。

可选地，所述磁路系统还可以包括磁轭12和中心磁部11，所述磁轭12具有底壁和侧壁，如图1、3所示。所述中心磁部11设置在所述磁轭12中，所述中心磁部11包括磁铁和导磁板，磁铁与导磁板堆叠设置。所述中心磁部11的中心和所述磁轭12的底壁上形成有穿孔，两者的穿孔对接形成所述通孔10。所述磁间隙13则形成在所述中心磁部11与所述磁轭12的侧壁之间。所述磁间隙13位于所述通孔10周围。

可选地，如图1、3所示，发声装置还可以包括采用塑料材料制成的承载框架4，所述承载框架4用于为所述磁路系统、振动组件、导电柱3等部件提供支撑、定位。所述振膜21的边缘固定连接在所述承载框架4的上端面上，所述承载框架4的中心区域具有镂空，所述音圈22悬于所述镂空处，所述磁路系统则固定设置在所述镂空处。所述承载框架4仅通过镂空处以及下端面与所述磁轭12的顶部形成固定连接，所述承载框架4不会对所述磁轭12的侧壁以及底壁形成包围。在这种实施方式中，所述承载框架既能够起到定位、固定的作用，又不会占用过多空间，为发声装置配置尺寸、体积更大的磁路系统提供了条件。

可选地，所述磁路系统整体可以呈圆柱形结构，如图1、3所示。所述承载框架4上的镂空则呈圆形，以便所述磁路系统对接在所述镂空处。

可选地，在所述磁轭的顶部边缘处，形成有向磁轭的外侧延伸的凸缘。所述凸缘从所述侧壁的顶部向侧壁的外围延伸。所述凸缘用于与所述承载框架形成固定连接。可选地，所述磁轭与所述凸缘为一体冲压成型的部件。一体冲压成型的结构可靠性高，而且更便于进行装配。

进一步地，所述承载框架的下端面上形成有定位部。所述磁轭从所述承载框架的下端面的一侧设置于所述镂空处。所述凸缘与所述定位部的位置对应，凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的底部，两者形成固定连接，以使所述磁路系统与承载框架固定连接。

优选地，所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上形成有定位凹槽，所述定位凹槽从所述承载框架的下端面向上凹陷一段距离。并且，所述定位槽沿着所述下端面的表面延伸，一直延伸至所述镂空处。即，延伸到镂空的边缘。

所述磁轭与所述承载框架相互装配后，所述凸缘嵌于所述定位凹槽中。通过配置所述定位槽，能够提高所述承载框架与磁轭之间的定位准确性。

另一种可选的实施方式为，所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的热熔结构。所述磁路系统与承载框架装配在一起时，所述凸缘处在与所述热熔结构相对应的位置，凸缘可以与热熔结构接触。在所述发声装置的成品器件上，所述热熔结构经过热熔处理，其热熔覆盖在所述凸缘上，与所述凸缘形成固定连接。凸缘与热熔结构通过热熔连接的方式实现可靠的固定连接，保证发声装置的结构可靠性。

优选地，所述定位部可以包括所述热熔结构以及上述定位凹槽。所述热熔结构位于所述定位凹槽中，所述凸缘嵌于所述定位凹槽中，并与定位凹槽中的热熔结构热熔固定连接。该优选实施方式中，一方面，定位凹槽与凸缘的配合方式能够提高承载框架与磁路系统的定位准确性。另一方面，在对热熔结构进行热熔处理时，所述热熔结构可以流入所述定位凹槽内，并包裹在所述凸缘周围，从而提高承载框架与磁轭之间的固定连接可靠性。进一步地，通过所述定位槽收容热熔结构，能够避免热熔结构的至少一部分结构热熔溶化后，流淌到远离凸缘的位置，防止由于热熔结构流淌导致的产品外形出现瑕疵等问题。

本实用新型还提供了一种耳机产品，该耳机中配置有上述发声装置。在耳机产品内有限的空间中，采用本实用新型设计的发声装置能够更有效的利用空间，配置体积更大的磁路系统和/或音圈，以增强发声装置的声学性能，进而满足耳机的性能要求。

虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。