微型发声器件的制作方法

文档序号:19176610发布日期:2019-11-19 22:05阅读:147来源:国知局
微型发声器件的制作方法

【技术领域】

本实用新型涉及电声转换技术领域,特别地,涉及一种微型发声器件。



背景技术:

近年来,信息科技迅猛发展,音频设备的普及率越来越高,人们对音频设备的要求不仅仅限于视频音频的播放,更对音频设备的可靠性提出更多要求,尤其是3g时代的到来,移动多媒体技术也随之发展,很多音频设备具有多种娱乐功能,如视频播放、数码摄像、游戏、gps导航等,都要求音频设备内的电子元器件越来越精密和紧凑。在音频设备中,微型发声器件是一种常用的电子元器件,主要用于音频信号的播放,其结构设计直接影响音频播放质量。

相关技术的微型发声器件通常包括振动系统和磁路系统。在具有主磁钢和副磁钢的磁路系统中(例如在具有三个或五个磁钢的磁路系统中),副磁钢与主磁钢都采用竖向充磁,而且副磁钢与主磁钢在竖向上高度相同。采用该种设置时,磁路系统的磁路效率不高。为保证该磁路系统的bl(磁力)值满足条件,相关技术的微型发声器件具有竖向上长度较长的音圈,其将导致在相同尺寸的情况下,该种微型发声器件的振动空间较小。

因此,有必要提供一种新型的微型发声器件以克服上述缺陷。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种磁路效率高且具有较大振动空间的微型发声器件。

本实用新型的技术方案如下:提供一种微型发声器件,包括振动系统和磁路系统,所述振动系统包括音膜和驱动所述音膜振动发声的音圈,所述磁路系统包括主磁钢和环绕所述主磁钢的外周设置的副磁钢,所述主磁钢与所述副磁钢间隔设置形成磁间隙,所述音圈插设于所述磁间隙中,所述主磁钢和所述副磁钢竖向充磁且方向相反;所述磁路系统还包括分别叠设于所述副磁钢上方的边磁钢和副极芯;所述副极芯位于所述边磁钢和所述音圈之间且所述边磁钢与所述副极芯相抵接;所述边磁钢横向充磁,所述边磁钢上靠近所述副极芯一侧的磁极与所述副磁钢上靠近所述副极芯一侧的磁极相同;

所述副极芯包括叠设于所述副磁钢上方的主体部和自所述主体部朝所述音膜方向延伸的凸出部,所述凸出部贴合所述边磁钢延伸。

优选地,所述主体部与所述凸出部呈直角连接。

优选地,所述音膜包括中间部、围绕所述中间部的折环部和自所述折环部向外延伸并围绕所述折环部的固定部,所述折环部包括与所述中间部连接的内边缘和与所述固定部连接的外边缘,所述边磁钢靠近所述音圈一侧至所述内边缘的距离大于等于所述内边缘至所述外边缘距离的一半。

优选地,沿振动方向,所述凸出部靠近所述音圈一侧至所述音膜的最短距离大于等于所述边磁钢靠近所述音圈一侧至所述音膜的最短距离。

优选地,所述磁路系统还包括叠设于所述主磁钢上方的主极芯。

优选地,所述磁路系统还包括位于底部的磁碗,所述主磁钢设置于所述磁碗中间位置,所述副磁钢设置于所述磁碗边缘位置。

优选地,所述副极芯设置为环绕所述音圈的环形结构,其还包括连接所述主体部的连接部和位于所述主体部远离所述音圈一侧的凹槽,所述边磁钢放置于所述凹槽中。

优选地,所述固定部与所述边磁钢连接。

本实用新型的有益效果在于:(1)通过设置横向充磁的边磁钢,且边磁钢可与磁路系统中的其他磁钢形成完整的磁回路,增强了音圈所在的磁间隙的磁场强度,提高磁路效率并提升了磁路系统的bl值,使相同的输入电压下该微型发声器件具有更高的声音灵敏度;

(2)设置在边磁钢靠近音圈一侧的副极芯与边磁钢相抵接,有效的支撑边磁钢,且副极芯包括自主体部朝音膜方向延伸的凸出部,凸出部贴合边磁钢延伸,进一步加大了副极芯与边磁钢的胶合面积,有效的防止了微型发声器件在跌落实验中副磁钢和边磁钢受到冲击而分离;

(3)横向充磁的边磁钢可使整个振动空间的磁场强度变大,音圈可在竖向上实现较短的长度;且边磁钢靠近音圈的一侧到音膜折环部内边缘的距离不超过音膜折环部宽度的一半,同时,凸出部至音膜的最短距离大于等于边磁钢到音膜的最短距离,确保了当音膜下振时,无论是边磁钢还是凸出部均与音膜不会发生干涉。因此,相比常规的微型发声器件,本实用新型的微型发声器件具有较大的振动空间,同时可保证满足要求的bl值。

【附图说明】

图1为本实用新型的微型发声器件的立体分解图;

图2为图1中的微型发声器件的立体组装图;

图3为图2中的微型发声器件沿a-a线的剖视图;

图4为图2中的微型发声器件另一实施方式的沿a-a线的剖视图;

图5为图3中的微型发声器件的部分磁力线示意图;

图6为本实用新型的音膜的结构示意图;

图7为本实用新型的副极芯的结构示意图;

图8为本实用新型的副极芯与边磁钢的装配示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。

图1-8示出了本实用新型的微型发声器件。如图1所示,该种微型发声器件大体上包括盆架1、固定于所述盆架1的振动系统2和部分收容于所述盆架1的磁路系统3,所述振动系统2包括音膜21和驱动所述音膜21振动发声的音圈22,所述磁路系统3包括主磁钢31和环绕所述主磁钢31的外周设置的副磁钢32,所述主磁钢31与所述副磁钢32间隔设置形成磁间隙33,所述音圈22插设于所述磁间隙33中,所述主磁钢31和所述副磁钢32竖向充磁且方向相反;需要说明的是,竖向充磁指沿振动系统2的振动方向(即图3中的z向)充磁,在本实施例中,所述主磁钢31的充磁方向为-z方向,所述副磁钢32的充磁方向为+z方向。

所述磁路系统3还包括分别叠设于所述副磁钢32上方的边磁钢34和副极芯35;所述副极芯35位于所述边磁钢34和所述音圈22之间且所述边磁钢34与所述副极芯35相抵接;在本实施例中,所述边磁钢34和所述副极芯35并排放置且两者之间胶合连接,所述副极芯35为所述边磁钢34提供支撑;进一步的,所述副极芯35包括叠设于所述副磁钢32上方的主体部351和自所述主体部351朝所述音膜21方向延伸的凸出部354,所述凸出部354贴合所述边磁钢34延伸,加大了所述副极芯35与边磁钢34的胶合面积,有效的防止微型发声器件在跌落过程中所述边磁钢34因冲击与所述副磁钢32脱落。优选的,所述主体部351与所述凸出部354呈直角连接。

在其他可选的实施例中,所述磁路系统3还包括叠设于所述主磁钢31上方的主极芯36,所述副极芯35和所述主极芯36由导磁材料制成,起到导磁作用。

所述边磁钢34横向充磁,需要说明的是,横向充磁指的是沿垂直于所述振动系统2的振动方向(即图3中的x向)充磁。所述边磁钢34上靠近所述副极芯35一侧的磁极与所述副磁钢32上靠近所述副极芯35一侧的磁极相同。在本实施例中,如图3所示,所述边磁钢34的充磁方向指向所述音圈22的几何中心,即所述边磁钢34上靠近所述副极芯35一侧的磁极为n极,所述副磁钢32上靠近所述副极芯35一侧的磁极也为n极。在其他可选的实施例中,如图4所示,所述边磁钢34的充磁方向背向所述音圈22的几何中心,即所述边磁钢34上靠近所述副极芯35一侧的磁极为s极,而此时对应所述主磁钢31的充磁方向为+z方向,所述副磁钢32的充磁方向为-z方向,即所述主磁钢31上靠近所述主极芯36一侧的磁极为n极,所述副磁钢32上靠近所述副极芯35一侧的磁极为s极。

进一步的,如图6所示,在另一优选的实施方式中,所述音膜21包括中间部211、围绕所述中间部211的折环部212和自所述折环部212向外延伸并围绕所述折环部212的固定部213,所述固定部213与所述边磁钢34连接,所述折环部212包括与所述中间部211连接的内边缘212a和与所述固定部213连接的外边缘212b,如图3所示,所述边磁钢34靠近所述音圈22一侧至所述内边缘212a的距离为d1,所述内边缘212a至所述外边缘212b距离为d2,优选的,d1≥d2/2。沿振动方向,所述凸出部354靠近所述音圈22一侧至所述音膜21的最短距离为h1,所述边磁钢34靠近所述音圈22一侧至所述音膜21的最短距离为h2,优选的,h1≥h2。边磁钢34靠近音圈22的一侧不超过音膜21折环部宽度一半的位置,当音膜21下振时,边磁钢34与音膜21不会发生干涉,同时,凸出部354至音膜21的最短距离大于等于边磁钢34到音膜21的最短距离,确保了凸出部354与音膜21也不会发生干涉,使得微型发声器件在保证满足要求的bl值的同时具有较大的振动空间。

在本实施例中,所述磁路系统3还包括位于底部的磁碗37,所述主磁钢31设置于所述磁碗37中间位置,所述副磁钢32设置于所述磁碗37边缘位置,此时,由于设置了磁碗37,可对所述副磁钢32与所述主磁钢31产生的磁力线进行导磁,使产品形成完整的磁回路,由此可保证所需的bl值。

在另一可选的实施例中,如图7-8所示,所述副极芯35设置为环绕所述音圈22的环形结构,其还包括连接所述主体部351的连接部352和位于所述主体部351远离所述音圈22一侧的凹槽353,所述边磁钢34放置于所述凹槽353中。所述振动系统2还包括柔性线路板23和下音膜24,所述柔性线路板23与所述连接部352固定连接,所述下音膜24与所述音膜21相对设置且固定于所述柔性线路板23下方。

图5示出了具有图3所示的磁极方向的微型发声器件的部分磁力线。如图5所示,本实施例中设置了横向充磁的边磁钢34,其可产生大体上垂直于音圈22的磁力线;配合竖向充磁的主磁钢31和副磁钢32产生的磁力线,由此可形成一个完整的磁回路,使音圈22所在的磁间隙33的磁场强度大大提高,进而可大大提升bl值。因此,相比常规的微型发声器件,本实施例中的音圈22可在竖向上实现较短的长度,同时可保证满足要求的bl值。此时,在相同的尺寸下,本实施例中的微型发声器件将具有更大的振动空间,并可实现更高的声音灵敏度。

以上所述的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。

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