一种麦克风及通话设备的制作方法

本实用新型涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种麦克风及通话设备。

背景技术：

现有技术中，手机或者固定电话中放置有可以发射ghz级别频率的射频器件，该射频器件工作时会向四周传递干扰信号，其中一部分干扰信号会直接辐射进射频器件的正上方的器件，另一部分干扰信号会通过与射频器件下方的pcb传导至与该pcb相连的所有器件中，若器件抗射频信号干扰较差，会影响器件的正常工作。当麦克风应用在手机或者固定电话中，若麦克风的asic芯片的抗射频信号干扰较差反应到麦克风录音上就是嗡嗡声，所以应用在手机或者固定电话上的麦克风需要具有较高的抗射频信号干扰性能。

技术实现要素：

基于以上所述，本实用新型的目的在于提供一种麦克风及通话设备，降低了因外界的干扰电信号对asic芯片的干扰而产生的杂音。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种麦克风，包括：第一基板；mems芯片，用于输出低频率电信号；asic芯片，与所述mems芯片电连接，用于将所述mems芯片输出的低频率电信号转化为高频率电信号；第一屏蔽线，所述第一屏蔽线设置在所述第一基板内且首尾相连形成闭环，所述第一屏蔽线沿所述asic芯片的外周分布且用于屏蔽外界的干扰信号对所述asic芯片的干扰。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括若干个第二屏蔽线，若干个所述第二屏蔽线均设置在所述第一基板内，每个所述第二屏蔽线的两端均与所述第一屏蔽线相连且所述第一屏蔽线和所述第二屏蔽线形成网状结构。

作为一种麦克风的优选方案，所述第一屏蔽线和所述第二屏蔽线均包括金线。

作为一种麦克风的优选方案，所述第一屏蔽线至所述第一基板设置所述asic芯片的表面的距离与所述第一基板的厚度的比值小于0.3。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括接地线，所述接地线的一端与所述asic芯片相连，所述接地线的另一端与所述第一基板相连。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括信号线，所述信号线的两端分别与所述mems芯片和所述asic芯片相连，所述信号线能够将所述mems芯片的低频率电信号传输至所述asic芯片。

作为一种麦克风的优选方案，所述mems芯片包括电连接的极板和振膜，所述振膜设置在所述极板上，所述极板设置在所述第一基板上。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括电源组件和连接线，所述电源组件的两端分别与电源和所述asic芯片相连，所述连接线的两端分别与所述mems芯片和所述asic芯片相连，所述电源依次通过所述电源组件、所述asic芯片及所述连接线为所述mems芯片供电。

作为一种麦克风的优选方案，所述麦克风还包括高频输出组件，所述高频输出组件的一端与所述mems芯片相连，另一端设置在所述第一基板上。

一种通话设备，包括第二基板、射频器件及以上任一方案所述的麦克风，所述第二基板上设有所述射频器件和所述第一基板，所述mems芯片和所述asic芯片位于所述第一基板背离所述第二基板的一侧。

本实用新型的有益效果为：本实用新型公开的麦克风，增设的第一屏蔽线能够阻碍干扰电信号对asic芯片的影响，降低了麦克风的asic芯片受干扰电信号的干扰而产生的杂音。

本实用新型公开的通话设备，由于具有前文所述的麦克风，提高了通话设备的语音通话质量，增加了用户使用满意度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对本实用新型实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本实用新型实施例的内容和这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型具体实施例提供的麦克风的俯视图；

图2是本实用新型具体实施例提供的麦克风的剖视图；

图3是本实用新型具体实施例提供的通话设备的剖视图。

图中：

1、第一基板；2、mems芯片；21、极板；22、振膜；3、asic芯片；41、第一屏蔽线；42、第二屏蔽线；5、接地线；6、信号线；71、电源组件；72、连接线；8、高频输出组件；9、第二基板；10、射频器件。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中，术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

本实施例提供一种麦克风，如图1和图2所示，该麦克风包括第一基板1、mems芯片2、asic芯片3及第一屏蔽线41，该第一基板1为pcb，mems芯片2设置在第一基板1上且用于输出低频率电信号，asic芯片3设置在第一基板1且asic芯片3与mems芯片2电连接，asic芯片3用于将mems芯片2输出的低频率电信号转化为高频率电信号，第一屏蔽线41设置在第一基板1内且首尾相连形成闭环，第一屏蔽线41沿asic芯片3的外周分布且用于屏蔽外界的干扰信号对asic芯片3的干扰。

具体地，mems芯片2输出的低频率信号的频率为khz级别，而asic芯片3输出的高频率信号的频率为mhz级别，高频率脉冲信号的频率为ghz级别，mems芯片2和asic芯片3工作过程中，ghz级别的高频率脉冲信号从下至上通过第一基板1传导至mems芯片2和asic芯片3上，使得asic芯片3输出的mhz级别的高频率信号和mems芯片2输出的khz级别的低频率电信号受到干扰，从而降低麦克风的性能。

本实施例的mems芯片2包括电连接的极板21和振膜22，振膜22设置在极板21上，极板21设置在第一基板1上，振膜22能够将振动的声音信号转化为电学信号，进而通过极板21传输给asic芯片3。

具体地，围绕asic芯片3设置的第一屏蔽线41能够对手机和固定电话的射频器件10发出的高频率脉冲信号进行拦截，从而使高频率脉冲信号对asic芯片3输出的低频率电信号的影响减小到最小，降低了麦克风受射频器件10发出的高频率脉冲信号的干扰而产生的杂音。由于本实施例的麦克风受射频器件10发出的高频率脉冲信号的干扰较小，使得麦克风可以安装在手机和固定电话内的靠近射频器件10的位置，即麦克风的安装位置不受限定，利于手机和固定电话内的零部件的安装。

本实施例提供的麦克风，增设的第一屏蔽线41能够阻碍干扰电信号对asic芯片3的影响，降低了麦克风的asic芯片3受干扰电信号的干扰而产生的杂音。

具体地，如图1所示，本实施例的麦克风还包括七个第二屏蔽线42，七个第二屏蔽线42均设置在第一基板1内，四个第二屏蔽线42沿asic芯片3的宽度方向延伸，三个第二屏蔽线42沿asic芯片3的长度方向延伸，每个第二屏蔽线42的两端均与第一屏蔽线41相连且第一屏蔽线41和第二屏蔽线42形成网状结构，网状结构对射频器件10发出的高频率脉冲信号的屏蔽效果优于只设置第一屏蔽线41对高频率脉冲信号的屏蔽效果。在其他实施例中，若是射频器件10发出的高频率脉冲信号的信号较弱，可以不设置第二屏蔽线42，只设置第一屏蔽线41即可，第一屏蔽线41沿asic芯片3的外周分布。若是其他实施例设置了第二屏蔽线42，第二屏蔽线42的个数并不限于本实施例的七个，还可以为其他个数，第二屏蔽线42的延伸方向也并不限于沿asic芯片3的宽度方向或者长度方向延伸，还可以沿其他方向延伸，具体根据实际需要设置，但是每个第二屏蔽线42的两端均与第一屏蔽线41相连且第一屏蔽线41和第二屏蔽线42形成网状结构。

本实施例的第一屏蔽线41和第二屏蔽线42均包括金线。在其他实施例中，第一屏蔽线41和第二屏蔽线42还可由铝、铜等导电性较好的材料制成，具体根据实际需要选定。

优选地，为了使第一屏蔽线41屏蔽射频器件10发出的高频率脉冲信号，本实施例的第一屏蔽线41至第一基板1设有asic芯片3的表面的距离与第一基板1的厚度的比值小于0.3，第一屏蔽线41距离asic芯片3的距离越近，干扰电信号对asic芯片3的影响越小。在其他实施例中，若是射频器件10发出的高频率脉冲信号较弱，第一屏蔽线41至第一基板1设置asic芯片3的表面的距离与第一基板1的厚度的比值还可以大于0.3，具体根据实际需要选定。

如图1所示，本实施例的麦克风还包括接地线5，接地线5的一端与asic芯片3相连，接地线5的另一端与第一基板1相连，接地线5用于在麦克风漏电或者电压过高时将电流引入大地，起到安全保护的作用。

如图1所示，本实施例的麦克风还包括信号线6、电源组件71和连接线72，信号线6的两端分别与mems芯片2和asic芯片3相连，信号线6能够将mems芯片2的低频率电信号传输至asic芯片3，电源组件71的两端分别与电源和asic芯片3相连，电源组件71的两端分别位于第一基板1的相对设置的两侧，连接线72与信号线6间隔分布，连接线72的两端分别与mems芯片2和asic芯片3相连，电源依次通过电源组件71、asic芯片3及连接线72为mems芯片2供电。电源组件71的具体结构属于现有技术，此处不再赘述。

如图1所示，本实施例的麦克风还包括高频输出组件8，高频输出组件8的一端与mems芯片2相连，另一端设置在第一基板1上，高频输出组件8的两端分别位于第一基板1的相对设置的两侧，高频输出组件8的具体结构属于现有技术，此处不再赘述。

本实施例的麦克风能够有效屏蔽射频器件10发出的高频率脉冲信号，加工成本相对较低，麦克风的外观与现有技术差距较小，麦克风可以安装在手机和固定电话内的靠近射频器件10的位置，使得麦克风的安装位置不受限定，利于手机和固定电话内的零部件的安装。

本实施例还提供了一种通话设备，该通话设备可以为手机或者固定电话等用于语音通话的设备。如图2所示，该通话设备包括第二基板9、射频器件10及本实施例所述的麦克风，第二基板9为pcb，第二基板9上设有射频器件10和第一基板1，第一基板1焊接在第二基板9上，mems芯片2和asic芯片3位于第一基板1背离第二基板9的一侧。图2中的箭头方向表示射频器件10发出的高频率脉冲信号的传输方向，射频器件10发出的高频率脉冲信号能够沿第二基板9传输至第一基板1上，当高频率脉冲信号传输至第一基板1的第一屏蔽线41和第二屏蔽线42所在的位置时，第一屏蔽线41和第二屏蔽线42能够有效阻碍高频率脉冲信号继续传输，降低高频率脉冲信号对asic芯片3的干扰，降低了通话设备通话时产生的嗡嗡声，提高了通话设备的语音通话质量。

本实施例提供的通话设备，由于具有前文所述的麦克风，提高了通话设备的语音通话质量，增加了用户使用满意度。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。