专利名称：偏转轭的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于彩色阴极射线管的偏转轭，具体讲，涉及能以简单结构校正垂直枕形失真的偏转轭。
对于为阴罩型的其三个彩色电子枪横向一字排列的彩色阴极射线管(CRT)，曾提出了多种措施来校正三个电子束，即使穿过阴罩孔的电子束准确地着陆在各屏光粉粒的中心上。
电子束的着靶校正已由典型的为自会聚和枕形无偏转轭系统的偏转轭系统进行了。
不巧的是，一字型的彩色CRT的屏幕越平就越会引起与垂直枕形失真有关的不便。为了克服这种不便，上述有关技术的电子束着靶校正方法需要采用多种场控制板和磁铁。由于局部失真会引起图象质量降低的问题，并使制造成本提高。
日本专利公开平-5-252525公开了一种解决上述问题的偏转轭系统。此偏转轭系统包括在沿CRT屏幕对角线的垂直偏转线圈的喇叭部分安置的前场控制板、用于校正图象的垂直枕形失真的前交叉臂和通过与垂直电流同步地校正水平偏转电流而校正图象的垂直方向的会聚失误的电路。
在此偏转轭系统中，垂直偏转线圈被安放在喇叭部分的4个位置上。
为了校正此垂直枕形失真，还用了另一种方法，使在垂直周期的基础上以水平周期调制抛物形电流所获的电流允许在偏转轭的垂直偏转线圈中流过。
如上所述，需要一种能防止由于垂直枕形失真而使图象质量降低的彩色阴极射线管，并且作为多种手段中的一种，采用了一种方法，使在垂直周期的基础上以水平周期调制抛物形电流所获的电流流过垂直偏转线圈。
此方法的优点在于较容易实现，但由于偏转轭中的垂直偏转线圈必须以低频来加驱动，垂直偏转线圈的圈数就非常之大，因此会增加垂直偏转线圈的阻抗。
结果，在偏转轭中必须要在垂直偏转线圈上加高压，以使特定的电流在垂直偏转线圈中流动。这就使电路结构复杂且制造费提高。
本发明的一个目的在于提供一种能以低压在水平周期中实现抛物形电流的偏转轭，从而简化电路结构并减少制造费用。
为了达到上述目的，根据本发明的一个方面，提供一种偏转轭，它包括水平偏转线圈；垂直偏转线圈；以及用于校正垂直枕形失真的线圈，该线圈设在垂直偏转线圈的一侧；其中用于校正垂直枕形失真的线圈具有这样一种绕线形式，即使得它产生一个具有与垂直偏转线圈的磁场样式相同的磁场样式的磁场。用于校正垂直枕形失真的线圈的绕线位置在径向上可比垂直偏转线圈更靠近偏转轭的内周。用于校正垂直枕形失真的线圈的匝数可少于垂直偏转线圈的匝数，从而使垂直周期的电流更易在用于校正垂直枕形失真的线圈中流过。
在优选实施例中，垂直偏转线圈具有分部绕制型的绕组形式，并且在每个绕线槽中垂直偏转线圈与用于校正垂直枕形失真的线圈之间的匝数比设为恒定值，或者，垂直偏转线圈的绕组分布的付里叶展开的系数与用于校正垂直枕形失真的线圈的相同。
在另一优选实施例中，垂直偏转线圈具有环形的绕组形式，并且在形成圆形的相对于偏转轭轴中心具有特定角度θ的每个弓形区域内垂直偏转线圈与用于校正垂直枕形失真的线圈之间的匝数比设为恒定值，或者，垂直偏转线圈的绕组分布的付里叶展开的系数与用于校正垂直枕形失真的线圈的相同。
根据具有上述结构的本发明，由于用于校正垂直枕形失真的线圈的阻抗可低于垂直偏转线圈的阻抗，并且可以用低压使用于校正垂直枕形失真的水平周期的抛物电流流动，从而简化了电路结构并减少了制造费用。
图1为示意截面图，示出根据本发明的偏转轭一个实施例的必要部分；图2为示意截面图，示出根据本发明偏转轭另一实施例的必要部分。
下面参照附图详细描述本发明的优选实施例。
作为本发明的偏转轭的一个特征，在垂直偏转线圈的一侧提供用于校正垂直枕形失真的线圈。
图1中，标号1代表偏转轭、2为分隔片、3为垂直偏转线圈的导线，而4为校正线圈的导线。
图1所示的垂直偏转线圈为分部导线缠绕的线圈。
在分部缠绕的线圈中，在偏转轭1的内部提供用于形成绕线槽的分隔片2。
通过将导线3绕特定匝数而得的垂直偏转轭装在由一对分隔片2所形成的绕线槽中。
在图1所示的本发明的偏转轭的内周上，在垂直偏转线圈排好之前，将先前由导线4所绕成的垂直枕形校正线圈排列好。
通过在由导线3对垂直偏转线圈绕好之后，由导线4绕制垂直枕形失真校正线圈，可获同样的效果。
在每个绕线槽中垂直偏转线圈与垂直枕形失真校正线圈之间的匝数比设为恒定的。
此外，如果通过限制匝数(阻抗)不能将匝数比设为恒定值，就要放置校正线圈的导线4，这样被使垂直偏转线圈的绕组分布的付里叶展开的系数与垂直枕形失真校正线圈的相同。
图2为示意图，示出本发明偏转轭另一实施例的基本部分。在图2中，标号11代表偏转轭、12为垂直偏转线圈的导线、而13为校正线圈的导线。
图2所示的垂直偏转线圈具有环形的绕组结构。
对于环形绕组来说，将导线12绕特定的匝数后所获的每个垂直偏转线圈被安装在偏转轭11上。
在图2所示的本发明的偏转轭的内周上，先前由导线13绕制所获得的每个垂直枕形校正线圈在安置偏转偏圈之前得到安置。
甚至对于此偏转轭，通过在以导线12绕制垂直编转线圈之后由导线13绕制垂直枕形失真校正线圈可以获得同样的效果。
在图2所示的环形绕组中，在相对于偏转轭11的轴中心具有特定角度θ的弓形区域内，垂直偏转线圈与垂直枕形失真校正线圈之间的匝数比设定为恒定值。
此外，象分部绕组那样，如果通过限制匝数(阻抗)使上述匝数比设定为恒定值，则可将校正线圈的导线13定位，从而使垂直偏转线圈的绕组分布的付里叶展开与垂直枕形失真校正线圈的相同。
权利要求
1．一种偏转轭，其特征在于包括水平偏转线圈；垂直偏转线圈；以及用于校正垂直枕形失真的线圈，该线圈设在所述垂直偏转线圈的一侧；其中用于校正垂直枕形失真的所述线圈具有这样一种绕线形式，即使得它产生一个具有与所述垂直偏转线圈的磁场样式相同的磁场样式的磁场。
2．如权利要求1的偏转轭，其特征在于用于校正垂直枕形失真的所述线圈的绕线位置在径向上比所述垂直偏转线圈更靠近所述偏转轭的内周。
3．如权利要求1的偏转轭，其特征在于用于校正垂直枕形失真的所述线圈的匝数少于所述垂直偏转线圈的匝数，从而使垂直周期的电流更易在用于校正垂直枕形失真的所述线圈中流过。
4．如权利要求1的偏转轭，其特征在于所述垂直偏转线圈具有分部绕制型的绕组形式，并且在每个绕线槽中所述垂直偏转线圈与用于校正垂直枕形失真的所述线圈之间的匝数比设为恒定值，或者，所述垂直偏转线圈的绕组分布的付里叶展开的系数与用于校正垂直枕形失真的所述线圈的相同。
5．如权利要求1的偏转轭，其特征在于所述垂直偏转线圈具有环形的绕组形式，并且在形成圆形的相对于所述偏转轭轴中心具有特定角度θ的每个弓形区域内所述垂直偏转线圈与用于校正垂直枕形失真的所述线圈之间的匝数比设为恒定值，或者，所述垂直偏转线圈的绕组分布的付里叶展开的系数与用于校正垂直枕形失真的所述线圈的相同。
全文摘要
一种偏转轭包括:水平偏转线圈;垂直偏转线圈;以及用于校正垂直枕形失真的线圈,该线圈设在垂直偏转线圈的一侧;其中用于校正垂直枕形失真的线圈具有这样一种绕线形式,即使得它产生一个具有与垂直偏转线圈的磁场样式相同的磁场样式的磁场。这样就可以低压实现用于校正垂直枕形失真的在垂直周期中的抛物形电流,从而简化电路结构并减少制造费用。
文档编号H04N9/28GK1224981SQ9812555
公开日1999年8月4日 申请日期1998年12月12日 优先权日1998年12月12日
发明者青木恭介 申请人:索尼公司