置500变得不能使用的可能性是专利文献I的光传输器的可能性的八分之一。因此，本示例性实施例的光传输器200可以实现高冗余度。
[0098]在第二示例性实施例的光传输器200中，将8个半导体激光器211至218、12个3dB耦合器260、8个光调制器231至238以及8个锗光接收器291至298集成在作为一个半导体衬底的硅衬底201上。
[0099]因此，能够将8个半导体激光器211至218、12个3dB耦合器260、8个光调制器231至238以及8个锗光接收器291至298可靠地以光学方式连接，并且可以提高其生产率和封装密度。
[0100]此外，8个半导体激光器211至218各自分离和放置在第二示例性实施例的光传输器200中。因此，在8个半导体激光器211至218中不会出现串扰等等。
[0101]在第二示例性实施例的光传输器200中，从半导体激光器211至218发射到8X8分路装置220的8个输入端口 241至248的光束各自通过8个锗光接收器291至298检测。
[0102]因此，从半导体激光器211至218发射到8X8分路装置220的8个输入端口 241至248的光束可以各自通过8个锗光接收器291至298直接检测。
[0103]本发明不限于第二示例性实施例，在不脱离本发明精神和范围的情况下可以做出各种修改。例如，在上述实施例中例不，作为光传输装置500的光传输器200的NXM分路装置的8X8分路装置220包括连接成4乘3矩阵的2 X 2的3dB耦合器260，并且8个半导体激光器211至218和8个光调制器231至238通过包括12个3dB耦合器260的8X8分路装置220以光学方式相互连接。
[0104]但是，如同图13A中例示的光传输器600的情况，两个半导体激光器211和212与两个光调制器231和232可以通过包括一个3dB耦合器260的一个光调制器601以光学方式连接。
[0105]如同图13B中例示的光传输器610的情况，4个半导体激光器211至214与4个光调制器231至234可以通过包括四个3dB耦合器260的一个4X4光调制器611以光学方式连接。
[0106]下面参照图14说明光通信装，其是本发明第三示例性实施例的光传输器。图14是示出根据本示例性实施例的光传输器的结构的示意性电路图。
[0107]在本发明第三示例性实施例的光传输器700中，激光器阵列710中的半导体激光器711至718在用于光束向8X8分路装置220的发射的端口的相对侧包括泄漏光束由其泄漏的泄漏端口。
[0108]因此，检测器阵列290中的8个锗光接收器291至298各自连接到8个半导体激光器711至718的泄漏端口，且基于各自从8个半导体激光器711至718的泄漏端口泄漏的泄漏光束的输出，检测光束的输出。
[0109]即使在第三示例性实施例的光传输器700中，也将如上所述的8个半导体激光器711至718、12个3dB耦合器260、8个光调制器231至238以及8个锗光接收器291至298集成在作为一个半导体衬底的硅衬底201上。
[0110]与上述光传输器200不同，在如上所述采取这种配置的光传输器700中，检测器阵列290中的8个锗光接收器291至298基于各自从8个半导体激光器711至718的泄漏端口泄漏的泄漏光束的输出，检测光束的输出。
[0111]因此，不必将从半导体激光器711至718传输到8X8分路装置220的光束分路，也不必允许通过锗光接收器291至298来检测光束，并且可以防止从半导体激光器711至718传输到8X8分路装置220的光束的输出减少。
[0112]此外，不必在光波导之间的间隙中形成8个锗光接收器291至298，所述光波导用于通过其来将8个半导体激光器711至718与8X8分路装置220中的输入端口 241至248以光学方式相互连接。因此，可将8个半导体激光器711至718之间的间隔最小化，以提高封装密度。
[0113]特别地，在第三示例性实施例的光传输器700中整体形成8个半导体激光器711至718。因此，易于提高8个半导体激光器711至718的封装密度，并且可以提高其生产率。
[0114]下面参照图15说明本发明第四示例性实施例的光传输器。图15是示出作为根据本示例性实施例的光传输器的光传输装置的结构的示意性电路图。
[0115]如图所示，作为第四示例性实施例的光传输器的光传输装置530包括光传输器720。本示例性实施例的光传输器720中的激光阵列210包括作为N = 8的发光元件的半导体激光器211至218，且调制器阵列230包括M = 8的MZI式光调制器231至238。
[0116]但是，8个半导体激光器211至218被分为4个奇数半导体激光器和4个偶数半导体激光器两个群组。因此，NXM分路装置531由4个一级3dB耦合器260形成。
[0117]第一群组的4个半导体激光器211、213、215和217分别各自连接到第一至第四3dB耦合器260的第一输入端口 261，并且第二群组的4个半导体激光器212、214、216和218分别各自连接到第一至第四3dB耦合器260的第二输入端口 262。
[0118]此外，作为驱动单元的驱动器阵列510中的两个驱动器电路511和512分别各自连接到8个半导体激光器211至218的4个奇数半导体激光器和4个偶数半导体激光器两个群组。
[0119]在第四示例性实施例的光传输装置530的半导体激光器211至218中，例如假定，正常驱动的第一群组的半导体激光器211、213、215和217的中心波长是λ?，第一群组的半导体激光器211、213、215和217的波长谱的半峰全宽是wl，正常停止的第二群组的半导体激光器212、214、216和218的中心波长是λ 2，第二群组的半导体激光器212、214、216和218的波长谱的半峰全宽是w2，如图11所示。
[0120]此外，通过第一群组的半导体激光器211、213、215和217以及第二群组的半导体激光器212、214、216和218满足
[0121]λ 1-λ2| ^ (wl+w2)/2
[0122]在第四示例性实施例的光传输装置530中，规定自正常驱动的第一群组的半导体激光器21a的光束的输出的下限是P1，并且其正常输出是P2，如图12所示。
[0123]当检测到自正常驱动的第一群组的半导体激光器21a的光束的输出从P2减少为Pl时，控制电路520随着时间将正常驱动的第一群组的半导体激光器21a的输出减少为零
(0)，并随着时间将已经停止的作为后备的第二群组的半导体激光器212、214、216和218的输出从零(O)增加为P2。
[0124]在如上所述的这种配置中，第四示例性实施例的光传输器720以类似于如同第二实施例的上述光学传输器200的方式工作。在作为部分地包括光传输器720的光传输器的光传输装置530中，控制电路520正常驱动作为两个驱动器电路511和512的其中一个的第一驱动器电路511，并正常停止剩余的一个后备的第二驱动器电路512。
[0125]因此，通过NXM分路装置531将通过在第一驱动器电路511中正常驱动的第一群组的半导体激光器211、213、215和217并行发射的4个光束分路为8个并行光束，并且光束通过8个光调制器231至238各自调制。
[0126]即使在第四示例性实施例的光传输装置530中，当检测到第一群组的半导体激光器211、213、215和217的任何一个的输出从P2减少为Pl时，控制电路520随着时间将正常驱动的第一群组的半导体激光器211、213、215和217的输出减少为零(O)，并随着时间将已经停止的作为后备的第二群组的半导体激光器212、214、216和218的输出从零(O)增加为P2，如图12所示。
[0127]在这种情况下，正常驱动的第一群组的半导体激光器211、213、215和217的中心波长是λ 1，第一群组的半导体激光器211、213、215和217的波长谱的半峰全宽是wl，正常停止的第二群组的半导体激光器212、214、216和218的中心波长是λ 2，第二群组的半导体激光器212、214、216和218的波长谱的半峰全宽是w2，如图11所示，满足
[0128]λ 1-λ2| ^ (wl+w2)/2
[0129]并且因此，当随着时间切换第一群组的半导体激光器211、213、215和217与第二群组的半导体激光器212、214、216和218时，不会出现诸如干涉这样的问题，如上所述。
[0130]因此，在第四示例性实施例的光传输装置530中，与群组的数量相对应，如上所述的第一群组的半导体激光器211、213、215和217与第二群组的半导体激光器212、214、216和218可以被切换高达两次。
[0131]因此，可以进一步允许第四示例性实施例的光传输装置530和光传输器720变得不能使用的可能性是专利文献I的光传输器的可能性的二分之一，并且第四示例性实施例的光传输装置530和光传输器720可以实现高冗余度。
[0132]在本示例性实施例的光传输装置530中，输出8个光调制信号，如上所述，并且用于驱动8个半导体激光器211至218的驱动器电路511和512可以是两个。因此，可以提高其生产率和封装密度。
[0133]下面参照图16和图17说明作为第五示例性实施例的光传输器的光学元件装置。图16是示出作为本示例性实施例的光传输器的光学元件装置的结构的示意性电路图，图17示出作为本示例性实施例的光学元件装置的发光元件的激光器阵列的电路结构，其中图17(a)是示意性平面图，图17(b)是沿着图17(a)的a_a’线的剖视图。
[0134]作为第五示例性实施例的光传输器的光学元件装置540包括光传输器730，如图所示。本示例性实施例的光传输器730中的激光器阵列740包括作为N = 8的发光元件的半导体激光器741至748。
[0135]但是，8个半导体激光器741至748被分为作为4个的第一至第四半导体