激光器和作为4个的第五至第八半导体激光器两个群组。因此，基于所述两个群组，整体形成第一至第四半导体激光器741至744，且也整体形成第五至第八半导体激光器745至748。
[0136]这些半导体激光器741至748包括硅衬底74a、电极74b (在硅衬底上)、焊料凸点74c、电极74d(激光器的下部)、硅基底74e、激光器有源区74f、电极74g(激光器的上部)等等，如图17所不。
[0137]第一至第四半导体激光器741至744是整体形成，并且因此共享电极74b (在硅衬底上)，同时第五至第八半导体激光器745至748是整体形成，并且因此共享电极74b (在硅衬底上)。
[0138]此外，在硅衬底74a上，在S12T覆盖层74i和S12覆盖层74j之间形成以光学方式连接到这些半导体激光器741至748的光波导74h。
[0139]因此，如同上述光传输器540的情况，第五示例性实施例的光传输器730中的NXM分路装置531由4个3dB耦合器260形成。但是，第一群组的第一至第四半导体激光器741至744分别各自以光学方式连接到第一至第四3dBf禹合器260的第一输入端口 261，并且第二群组的第五至第八半导体激光器745至748分别各自以光学方式连接到第一至第四3dB耦合器260的第二输入端口 262。
[0140]此外，第一至第四半导体激光器741至744和第五至第八半导体激光器745至748经由一个转换开关541选择性地连接到作为一个驱动电路的驱动器电路511，并且控制电路520连接到转换开关541。
[0141]在如上所述的这种配置中，第五示例性实施例的光传输装置540以类似于上述第四实施例的光传输装置530等等的方式工作。此外，在光传输装置540中，总是驱动所述的一个驱动器电路511，并且控制电路520允许驱动器电路511通过转换开关541正常连接到第一群组的半导体激光器741至714。
[0142]因此，通过NXM分路装置531将通过第一群组的半导体激光器741至714并行发射的四个光束分路为8个并行光束，并通过8个光调制器231至238各自调制光束。
[0143]因此，在第五示例性实施例的光传输装置540中，与群组的数量相对应，如上所述的第一群组与第二群组的半导体激光器741至744与745至748可以被切换高达两次。
[0144]因此，可以进一步允许第五示例性实施例的光传输装置540和光传输器730变得不能使用的可能性是专利文献I的光传输器的可能性的二分之一，并且因此，第五示例性实施例的光传输装置540和光传输器730可以实现高冗余度。
[0145]在第五不例性实施例的光传输装置540中，如上所述，输出8个光调制信号，并将8个半导体激光器741至748分为两个群组，每个群组包括整体形成的4个半导体激光器。因此，可以提高其生产率和封装密度。
[0146]下面参照图18和图19说明作为第六示例性实施例的光传输器的光学元件装置。图18是示出作为第六示例性实施例的光传输器的光学元件装置的结构的示意性电路图，且图19(a)和图19(b)示出作为第六示例性实施例的光学元件装置中的发光元件的激光器阵列的电路结构，其中图19(a)是示意性平面图，图19(b)是沿着图19(a)的a_a’线的剖视图。
[0147]作为第六示例性实施例的也是光传输器的光传输装置550包括如图所示的光传输器750。第六示例性实施例的光传输器750中的激光器阵列760包括作为N = 8的发光元件的半导体激光器761至768。
[0148]但是，8个半导体激光器761至768被分为4个奇数半导体激光器和4个偶数半导体激光器两个群组。但是，8个半导体激光器761至768整体形成，并根据第一和第二公共电极771和772的连接，分为第一群组和第二群组。
[0149]这些半导体激光器761至768包括硅衬底76a、电极76b (在硅衬底上)、焊料凸点76c、电极76d(激光器的下部)、硅基底76e、激光器有源区76f、电极76g(激光器的上部)等等，如图19(b)所不。
[0150]例如，在第二群组的半导体激光器762、764、766和768中，第二公共电极772与电极76g(激光器的上部)通过绝缘层76k中形成的接触孔761相互电连接。
[0151]因此，8个半导体激光器761至768整体形成，并通过接触孔761电连接到第一和第二公共电极771和772，由此将半导体激光器分为奇数半导体激光器和偶数半导体激光器的两个群组。
[0152]此外，在硅衬底76a上，在S12T覆盖层76i和S1 2下覆盖层76j之间形成以光学方式连接到这些半导体激光器761至768的光波导76h。
[0153]NXM分路装置531由4个3dB耦合器260形成，第一群组的四个半导体激光器761、763、765和767分别各自连接到第一至第四3dB耦合器260的第一输入端口 261，并且第二群组的半导体激光器762、764、766和768分别各自连接到第一至第四3dB耦合器260的第二输入端口 262。
[0154]此外，作为驱动单元的驱动器阵列510中的两个驱动器电路511和512分别各自连接到8个半导体激光器761至768的4个奇数半导体激光器和4个偶数半导体激光器两个群组。
[0155]在如上所述的这种配置中，第六示例性实施例的光传输器750以类似于如同第二实施例所述的光传输器200等等的方式工作。此外，在作为部分包括光传输器750的光传输器的光传输装置550中，控制电路520正常驱动作为两个驱动器电路511和512的其中一个的第一驱动器电路511，并正常停止剩余的一个第二驱动器电路512作为后备。
[0156]因此，通过NXM分路装置531将通过由第一驱动器电路511正常驱动的第一群组的半导体激光器761、763、765和767并行发射的四个光束分路为8个并行光束，并通过8个光调制器231至238各自调制光束。
[0157]即使在第六示例性实施例的光传输装置550中，当检测到第一群组的半导体激光器761、763、765和767的任一个的输出减少时，控制电路520也停止被正常驱动的第一群组的半导体激光器761、763、765和767，并启动作为后备的已经停止的第二群组的半导体激光器762、764、766和768的驱动。
[0158]因此，在第六示例性实施例的光传输装置550中，与群组的数量相对应，如上所述第一群组的半导体激光器761、763、765和767与第二群组的半导体激光器762、764、766和768可以被切换尚达两次。
[0159]因此，可以进一步允许第六示例性实施例的光传输装置550和光传输器750变得不能使用的可能性是专利文献I的光传输器的可能性的二分之一，并且因此，第六示例性实施例的光传输装置550和光传输器750可以实现高冗余度。
[0160]在第六不例性实施例的光传输装置550中，如上所述，输出8个光调制信号，并整体形成8个半导体激光器761至768。因此，可以提高其生产率和封装密度。
[0161]本发明不限于上述第一至第六示例性实施例和替代性示例，在不脱离本发明精神和范围的情况下可以做出各种修改。例如，例示在第二示例性实施例等等的光传输器200和600中，满足N = M = 2η(η是自然数)。
[0162]此外，在例示的光传输器790中，作为第二示例性实施例的替代性示例，在图20中，激光器阵列791包括半导体激光器711至713，半导体激光器711至713是数量并非N的3个发光元件。因此，作为NXM分路装置的3X8分路装置792由2个第一级、2个第二级和4个第三级的3dB耦合器260形成。
[0163]因此，半导体激光器711不连接到第一级的第二 3dB耦合器260的第二输入端口262。这种光传输器790也以类似于第二示例性实施例等等的光传输器200的方式工作。
[0164]此外，可以进一步允许光传输器790变得不能使用的可能性是专利文献I的光传输器的可能性的三分之一。因此，可以进一步允许光传输器790变得不能使用的可能性是专利文献I的光传输器的可能性的二分之一，并且因此，光传输器790可以实现高冗余度。
[0165]此外，例示了在第二示例性实施例等等的光传输器200中，2X2分路装置由定向耦合器式3dB耦合器260形成。此外，在第二示例性实施例的替代性示例中，2 X 2分路装置可由多模式干涉耦合式3dB耦合器780形成，如图21至图23所示。
[0166]这种3dB耦合器780例如包括硅衬底78a、S12T覆盖层78b以及硅片光波导78c，如图23所示。
[0167]此外，例示了第二示例性实施例等等的光传输器200中，NXM分路装置由多个3dB耦合器260形成。此外，在第二示例性实施例的替代性示例中，NXM分路装置可以由NXM星形耦合器810形成，如图24所示。
[0168]此外，例示了第二示例性实施例等等的光传输器200中，将光调制器231至238形成为MZI形式。此外，在第二示例性实施例的替代性示例中，在光调制器820中可将光波导形成为一个环形，如图25至图27所示。
[0169]在第二示例性实施例的替代性示例中，这种环形的光调制器820例如包括硅衬底82a、Si02T覆盖层 82b、n+_Si 单元 82c、p+_Si 单元 82d、Si 光波导 82e、电极 82f 以及 S1 2上覆盖层82g，如图26和图27所示。
[0170]通常，NXM分路装置可以在这样的结构中实现，其中数量为2η_1Χη的3dB耦合器260连接成矩阵，或者在N < M且M = 2"的情况下(η是自然数)，连接成矩阵的一部分。
[0171]类似地，在第二示例性实施例的替代性示例中，可以在环形的光调制器830中形成光调制器，其中光波导是两个，如图28所示，并且可以形成为电吸收式光波导840，如图29所示。
[0172]此外，例示了正常驱动的第a个半导体激光器21a和正常停止的第(a+Ι)个半导体激光器21 (a+Ι)满足