一种新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种网络通断控制电路拓扑，特别是涉及一种新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑。
【背景技术】
[0002]现有技术中，网络物理通断控制方法主要有两种，一种是通过在网卡I与网络变压器2之间的网络数据总线上增加一颗用于控制通断的开关芯片3，通过控制信号4来控制开关芯片3的导通和关断来实现网络的通断控制，其电路拓扑如图1所示；另一种是选用具有使能引脚的网卡芯片1，通过控制信号4控制网卡I的使能来实现网络通断控制，电路拓扑如图2所示。第一种方法需要改变差分数据总线的走线形式，易影响信号质量，且需要增加专用控制芯片增加了成本；第二种方法由网卡软件驱动层干预，且对网卡功能要求高。
【发明内容】
[0003]针对上述现有技术的不足，本发明的目的是提供一种新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑，解决网络物理通断的问题。
[0004]本发明的技术方案是这样的:一种新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑，包括网卡芯片、网络变压器和RJ45网络接口，所述网卡芯片与网络变压器之间以及网络变压器与RJ45网络接口之间通过网络信号总线连接，所述网络物理通断控制电路拓扑还包括推挽电路，所述推挽电路的输出端与网络变压器的中心抽头连接，所述推挽电路的输入端与网络通断控制信号连接。
[0005]进一步的，所述推挽电路包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接网络变压器的中心抽头高参考电平，所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地，所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接并与网络变压器的中心抽头连接，所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接并连接网口控制信号。
[0006]本发明所提供的技术方案基于网络变压器中心抽头电平控制来实现网络物理通断管理，具有低成本、小体积、实现简单的特点，兼容所有网络接口通用。
[0007]其与现有技术相比的有益效果是:
[0008]1、与第一种方法相比，本发明技术方案不改变差分数据总线的走线形式，不影响信号质量；不需要添加专用的控制芯片，降低了应用成本；电路体积小，结构简单，易于在布局紧凑的电路设计中使用；
[0009]2、与第二种方法相比，本发明技术方案可在主机工作的任意时刻控制网络的通断，而无须网卡软件驱动层的干预，控制简单可靠；无须选择具有使能功能的网卡，适用性广；无须对网卡的驱动软件进行修改。
【附图说明】
[0010]图1为利用网络信号控制芯片控制的电路拓扑示意图。
[0011]图2为利用网卡使能端控制的电路拓扑示意图。
[0012]图3为本发明电路拓扑示意图。
[0013]图4为本发明在INTEL 82576网卡上应用的电路拓扑示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合实施例对本发明作进一步说明，但不作为对本发明的限定。
[0015]请结合图3及图4，网卡芯片10通过网络信号总线与网络变压器20连接，网络变压器20通过网络信号总线与RJ45网络接口 30连接，P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS) 40和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS) 50构成推挽电路，PMOS 40的源极连接中心抽头参考电平60，NM0S 50的源极接地，PMOS 40的漏极和NMOS 50的漏极构成推挽电路输出端，连接至网络变压器20的中心抽头21，PMOS 40和NMOS 50的栅极为推挽电路输入端其连接至网络通断控制信号70。
[0016]以INTEL 82576网卡上应用为例，图4中J8073是内置网络变压器的网络接口，Q107是PMOS，Q30是NMOS，LAN1_CTR信号是系统的网络通断控制信号。由于INTEL 82576网卡正常工作时，网络变压器中心抽头参考电平需要达到1.8V，所以，当需要网口导通时，LAN1_CTR就输出低电平，此时PMOS导通而NMOS断开，此时网络变压器中心抽头电平就连接到LAN_1.8V电平节点上，从而达到1.8V的电平，满足网卡正常通讯条件，此时网口导通；当需要将网络通讯断开时，LAN1_CTR就输出高电平，此时PMOS断开而NMOS导通，此时网络变压器中心抽头电平就连接到地电平节点上，从而达到OV的电平，无法满足网卡正常通讯条件，此时网口断开。
【主权项】
1.一种新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑，包括网卡芯片、网络变压器和RJ45网络接口，所述网卡芯片与网络变压器之间以及网络变压器与RJ45网络接口之间通过网络信号总线连接，其特征在于:包括推挽电路，所述推挽电路的输出端与网络变压器的中心抽头连接，所述推挽电路的输入端与网络通断控制信号连接。2.根据权利要求1所述的新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑，其特征在于:所述推挽电路包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接网络变压器的中心抽头高参考电平，所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地，所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接并与网络变压器的中心抽头连接，所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接并连接网口控制信号。
【专利摘要】本发明公开了一种新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑，包括网卡芯片、网络变压器、RJ45网络接口和推挽电路，所述网卡芯片与网络变压器之间以及网络变压器与RJ45网络接口之间通过网络信号总线连接，所述推挽电路的输出端与网络变压器的中心抽头连接，所述推挽电路的输入端与网络通断控制信号连接。该电路拓扑基于网络变压器中心抽头电平控制来实现网络物理通断管理，具有低成本、小体积、实现简单的特点，兼容所有网络接口通用。
【IPC分类】H04L12/02
【公开号】CN104954143
【申请号】CN201510365917
【发明人】汪俊杰, 郭学枫, 张福新, 崔太有, 丁汨江, 罗梓桂, 徐锋
【申请人】江苏龙芯梦兰信息安全技术有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年6月29日