微型扬声器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电声产品技术领域，特别涉及一种微型扬声器。
【背景技术】
[0002]现有技术中微型扬声器通常包括振动系统、磁路系统和收容固定振动系统和磁路系统的支撑系统，振动系统通常包括振膜和音圈，磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，磁路系统形成收容音圈的磁间隙。支撑系统中的上壳通常为平板状结构，在该上壳上设有供声音穿过的声孔。传统结构上壳多为平板状的结构，相应的上壳对应振膜的位置为平板状或中空的结构。
[0003]通常微型扬声器是需要与终端电子装置配合使用的，相应的微型扬声器支撑系统的结构需要与终端进行配合，对于支撑系统中的上壳设有凹槽的结构，振动系统和磁路系统无法按照传统结构进行装配。传统振膜基本为一平面状的结构，若上壳设有向振膜方向凹陷的凹槽结构，振膜需要与上壳间隔一定距离，以防止振膜振动过程中与上壳碰撞，但是这种结构会减小振动系统和磁路系统的尺寸，影响产品声学性能。因此，本专利提供一种改进方案，使振动系统和磁路系统能够更好的与上述上壳结构相适配。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种微型扬声器，在上壳凹陷的情况下，微型扬声器的振动系统和磁路系统能够很好的与其适配，保证产品的声学性能。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是:一种微型扬声器，包括振动系统、磁路系统和支撑系统，所述支撑系统收容固定所述振动系统和磁路系统；所述振动系统包括振膜和结合于振膜一侧的音圈，所述振膜包括位于中心位置的刚性的球顶部和位于边缘位置的折环部；所述磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，所述磁路系统形成收容所述音圈的磁间隙；所述支撑系统包括上壳；所述上壳对应于所述振膜中心球顶部的位置设有下凹的凹槽结构，其中:所述球顶部正对上壳所述凹槽结构的位置设有避让凹槽，所述避让凹槽的纵向深度不小于所述上壳凹槽结构的深度，并且所述避让凹槽的正投影区域覆盖所述上壳凹槽结构的正投影区域；正对所述振膜的避让凹槽的华司上设有避让结构，所述避让结构的纵向深度不小于所述避让凹槽的深度，所述避让结构的正投影区域能够覆盖所述振膜避让凹槽的正投影区域。
[0006]此外，优选的方案是，所述华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度；正对所述振膜的所述华司为中空的环形结构，所述华司的避让结构为所述华司的中空部分，所述华司中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。
[0007]此外，优选的方案是，所述磁路系统为双磁路结构，包括分别结合于所述磁轭中心位置的中心华司、中心磁铁和结合于所述磁轭边缘位置的边华司和边磁铁；其中所述中心华司正对所述振膜中心的球顶部设置。
[0008]此外，优选的方案是，所述中心华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度；所述中心华司为中空的环形结构，所述中心华司的中空部分正对所述振膜的避让凹槽设置，并且所述华司的中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。
[0009]此外，优选的方案是，所述中心华司为中空的环形结构，所述中心磁铁也为中空的环形结构，所述中心磁铁中空部分的正投影区域与所述中心华司中空部分的正投影区域重置。
[0010]此外，优选的方案是，所述振膜的避让凹槽的纵向深度等于所述上壳凹槽结构的纵向深度。
[0011]此外，优选的方案是，所述上壳的凹槽结构与所述振膜的避让凹槽均设有过渡斜面，所述凹槽结构的过渡斜面与所述避让凹槽的过渡斜面平行。
[0012]此外，优选的方案是，所述振膜的避让凹槽和所述中心华司的内侧边缘均设有过渡斜面，所述避让凹槽的过渡斜面与所述中心华司的内侧边缘的过渡斜面平行。
[0013]此外，优选的方案是，所述支撑系统还包括中壳和下壳，所述中壳和下壳支撑固定所述磁路系统。
[0014]此外，优选的方案是，所述上壳包括塑料支架和与所述塑料支架注塑结合的钢片。
[0015]采用上述技术方案后，与传统结构相比，本实用新型的振膜和磁路系统配合前盖设置避让结构，在配合上壳结构防止部件碰撞的同时，保证了产品的正常工作，保证了微型扬声器的声学性能。
【附图说明】
[0016]通过下面结合附图对本实用新型进行描述，本实用新型的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。
[0017]图1是本实用新型实施例一微型扬声器的爆炸图；
[0018]图2是本实用新型实施例一微型扬声器的剖视图；
[0019]图3是本实用新型实施例二磁路系统的剖视图；
[0020]图4是本实用新型实施例二磁路系统的爆炸图。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述。
[0022]实施例一:
[0023]如图1和图2所示，微型扬声器包括振动系统、磁路系统和支撑系统，其中，支撑系统收谷固定振动系统和磁路系统。振动系统包括振I吴21和结合于振I吴21 —侧的音圈22，振膜21包括位于中心位置的球顶部210和位于边缘位置的折环部211 ;本实施例球顶部210为刚性的复合层，质地较硬而且轻，可防止高频段出现分割振动；振膜21的折环部211为柔性材料可跟随振膜21上下振动，通常为多层树脂材料与胶层的复合；刚性的球顶部210与柔性的折环部211通过胶层粘结固定。磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，磁铁为永磁铁，华司和磁轭用于修正磁铁产生的磁力线，音圈22置于磁路系统形成的磁场中。本实施例磁路系统为双磁路结构，包括依次结合于磁轭33中心位置的中心华司312和中心磁铁322，以及依次结合于磁轭33边缘位置的边华司311和边磁铁321，其中，中心磁铁322、中心华司312和边华司311、边磁铁321之间形成收容音圈22的磁间隙，磁路系统在磁间隙内形成稳定的磁场。音圈22接通电信号后在磁场中受安培力作用上下振动，进一步带动振膜21振动产生声音。
[0024]支撑系统包括依次结合的上壳11、中壳12和下壳13，支撑系统收容固定振动系统和磁路系统，对微型扬声器起到保护的作用。传统微型扬声器的上壳11为平板状结构，但是为了配合与特定终端电子装置的装配，本实用新型上壳11的中心位置设有凹槽结构，这种改变可以使微型扬声器与特定结构的终端电子装置适配。本申请上壳11的凹槽结构向靠近振膜21的一侧凹陷，传统振膜中心位置的球顶部通常为平板状结构，但是本申请若振膜球顶部为平板状结构，则容易碰触到上壳11的凹槽结构底面，产生杂音；若增大平板状振膜离上壳11的距离，可减小碰撞的可能，增大距离会减小磁路系统和振动系统的尺寸，影响产品的声学性能。
[0025]因此，本申请为了配合上壳11具有凹槽结构1101的设计，将正对上壳11凹槽结构1101的球顶部210上设置避让凹槽2101，避让凹槽2101的纵向深度不小于凹槽结构1101的纵向深度，并且避让结构2101的正投影区域能够完全覆盖凹槽结构1101的正投影区域，以避免振膜21振动时，上壳11和振膜21发生碰撞。优选的，上壳11的凹槽结构1101与球顶部210上的避让凹槽2101的形状完全相同，如图2所示，凹槽结构1101和避让凹槽2101的剖面形状、大小和尺寸完全相同，并且两者在竖直方向上的投影完全重叠。上壳11的凹槽结构1101与振膜21的避让凹槽2101均设有过渡斜面，如图2所示，凹槽结构1101的过渡斜面与避让凹槽2101的过渡斜面平行。此外，球顶部210避让凹槽2101的正投影区域可以大于上壳11凹槽结构1101的正投影区域，这种结构也在本实用新型的保护范围内。
[0026]上壳11的凹槽结构1101的深度和振膜21的避让凹槽2101的深度相同。预设上壳11平板部分与球顶部210平板部分的距离为d，优选的，上壳11的凹槽结构1101的底部与球顶部210的避让凹槽2101的底部之间的距离也为d，即两者的距离相同，这种设计方式可以避免上壳11的凹槽结构1101底部与振膜21发生碰撞，保证振膜21的发声效果。
[0027]上述球顶部210设置避让凹槽2101的结构，由于球顶部210的正投影面积不变，使振膜21的有效振动面积不变，因而设置避让凹槽2101并未影响振膜21的声学性能，因此，本实用新型这种振膜21配合上壳11的改进结构即不会减小振动系统和磁路系统的尺寸，也不会影响产品声学性能，在与终端电子装置适配的情况下，也保证了产品的声学性會K。
[0028]结合图1和图2，由于振膜21的球顶部210具有避让凹槽2101，若振膜振膜21的华司为平板状，振膜21向下振动时会与华司