专利名称：均流电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种均流(current-sharing)电3各，特别是涉及一种配 合多个发光装置的均流电路。
背景技术：
由于冷阴极灯管(cold cathode fluorescent lamp, CCFL)具有灯管细 小、结构筒单、灯管表面温度升幅小、灯管表面亮度高、易加工成各种形状、 使用寿命长、显色性好以及发光均匀等优点。因此到目前为止，冷阴极灯管 广泛应用于大尺寸LCD、 LCD TV、扫描仪、广告灯箱以及笔记型计算机等电 子设备的背光源。然而，发光二极管(light-emitting diode， LED)比冷阴极灯管具有更 省电、寿命更长、色彩饱和度高、反应速度快、耐震耐压与体积小等多项优 点。所以，采用发光二极管灯管作为背光光源，是未来最有希望替代传统冷 阴极焚光管的技术。一般而言，若以发光二极管灯管作为背光光源，上述电子设备的背光源 也会采用多根发光二极管灯管。由于发光二极管灯管是由点光源组成线光源 的，因此需使用到多颗发光二极管。为了使每一根发光二极管灯管的亮度均 等，势必使流经每一颗发光二极管的电流相同。否则，整体的发光二极管灯 管的亮度将不均匀，甚至影响电子设备的使用质量。此外，如果任一根发光 二极管灯管中的发光二极管发生断路或烧毁，也使得整体的发光二极管灯管 的光线均匀度下降。因此，本实用新型的主要范畴在于提供一种配合多个发光装置的均流电 路，以解决上述问题。实用新型内容本实用新型的一范畴在于提供一种均流电路。该均流电路配合N个并联 的发光装置，N为一大于l的正整数。每一个发光装置包含至少一个发光二极管并且具有一各别的低电位端。在根据本实用新型的一具体实施例中，该均流电路包含一恒定电压源以 及N个第一晶体管。该恒定电压源用以提供一恒定电压。每一个第一晶体管 对应所述发光装置中的一个发光装置并且以其本身的一第一端点电连接至 该对应的发光装置的该低电位端。此外，每一个第一晶体管的一第二端点都 电连接至该恒定电压源以接收该恒定电压的输入，并且每一个第一晶体管的 一第三端点电连接在一起。关于本实用新型的优点与精神可以通过以下的实用新型详述及附图得 到进一步的了解。
图1示出了根据本实用新型的一具体实施例的均流电路的电路图。图2示出了图1中的均流电路进一步包含N个串联的检测模块的电路图。附图符号说明 10:发光二极管 Q':第二晶体管 Ll、 L2、 Ln:发光装置 Ql、 Q2、 Qn:第一晶体管 VE1、 VE2、 VEn:射极 Dl、 D2、 Dn:检测模块 Vc:控制电压具体实施方式
请参考图1。图1示出了根据本实用新型的一具体实施例的均流电路的 电路图。均流电路可以配合N个并联的发光装置L1、 L2…Ln， N为一大于1 的正整数。每一个发光装置L1、 L2…Ln包含至少一个发光二极管10。举例 而言，发光装置L1、 L2…Ln可以是LCD、 LCD TV、扫描仪、广告灯箱、笔记型计算机等的背光源。如图1所示，每一个发光装置L1、 L2…Ln可以包含多个发光二极管1020:恒定电压源VL1、 VL2、 VLn: j氐电位端VB1、 VB2、 VBn RE1、 RE2、 REn Tl、 T2、 Tn基极 电阻第三晶体管并且具有一低电位端VL1、 VL2…VLn。根据本实用新型的均流电路包含恒定 电压源20以及N个第一晶体管Ql、 Q2…Qn。恒定电压源20用以提供一恒定 电压。每一个第一晶体管Q1、 Q2…Qn对应N个发光装置Ll、 L2…Ln中的一个 发光装置并且以其本身的第一端点电连接至对应的一个发光装置Ll 、 L2... Ln 的低电位端VL1、 VL2…VLn。此外，每一个第一晶体管Ql、 Q2…Qn的第二端 点都电连接至恒定电压源2Q以接收恒定电压的输入，并且每一个第一晶体 管Q1、 Q2…Qn的第三端点电连接在一起。在实际应用中，每一个第一晶体管Q1、 Q2…Qn可以是一双接面晶体管 (bipolar junction transistor, BJT)。如图1所示，在此实施例中，该双 接面晶体管为一 NPN型晶体管。因此，第一端点为NPN型晶体管的集极 (Collector),第二端点为NPN型晶体管的基极(Base) VB1、 VB2…VBn,并 且第三端点为NPN型晶体管的射极(Emitter) VE1、 VE2…VEn。在实际应用中，恒定电压源20可以使用一第二晶体管Q，以产生恒定电 压。举例而言，第二晶体管Q，可以是一双接面晶体管。在此实施例中，该双 接面晶体管可以是一NPN型晶体管，但不以此为限。另外，每一个第一晶体 管Q1、 Q2…Qn的基极VBl、 VB2 VBn可以连接至第二晶体管Q，的射极。请参考图1。以下将说明根据本实用新型的均流电路如何达到均流的效 果。由于每一个第一晶体管Ql、 Q2…Qn的基极VBl、 VB2…VBn都连接至第 二晶体管Q，的射极，因此每一个第一晶体管Ql、 Q2…Qn的基极VBl、 VB2… VBn具有相同的电位。依照NPN型晶体管的特性，当NPN型晶体管导通时， 基极与射极之间具有固定的电压降。藉此，当每一个第一晶体管Q1、 Q2…Qn 导通时，每一个第一晶体管Ql、 Q2…Qn的射极VEl、 VE2…VEn也具有相同 的电位。也就是说，如图l所示，每一个第一晶体管Q1、 Q2…Qn的射极VEl、 VE2…VEn所串接的电阻REl、 RE2…REn的一端点具有相同的电位。此外，电 阻RE1、 RE2…REn的另一端点电连接在一起，因此也具有相同的电位。由此可知，每一个第一晶体管Q1、 Q2…Qn的射极VEl、 VE2…VEn电流 均相同。当每一个发光装置L1、 L2…Ln在正常工作状态下时，NPN型晶体管 会导通，并且依照NPN型晶体管的特性，每一个第一晶体管Q1、 Q2…Qn的 集极电流大致上等于射极VE1、 VE2…VEn电流。由于每一个第一晶体管Ql、 Q2…Qn的集极电流流经相对应的发光装置Ll、 L2…Ln，藉此，根据本实用新型的均流电路可以使流经每一个发光装置Ll、 L2…Ln的电流大致上相等， 因此实现均流的效果。请参考图2。图2示出了图1中的均流电路进一步包含N个串联的检测 模块D1、 D2…Dn的电路图。N个检测模块D1、 D2…Dn用以检测N个发光装 置Ll、 L2…Ln中的每一个发光装置的异常状态。异常状态可以指任一个发 光装置Ll、 L2…Ln中的发光二极管1Q断路或烧毁。如图2所示，每一个检测模块D1、 D2…Dn可以耦接于对应的第一晶体 管Q1、 Q2…Qn的集极及对应的发光装置Ll、 L2…Ln的低电位端VL1 、 VL2… VLn之间。此外，每一个检测模块D1、 D2…Dn包含一第三晶体管Tl、 T2… Tn,并且第三晶体管T1、 T2…Tn的一第四端点电连接至对应的发光装置Ll、 L2…Ln的低电位端VL1、 VL2…VLn。在实际应用中，第三晶体管Tl、 T2…Tn 可以是一金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, M0SFET)或一双4妻面晶体管。在此实施例中， 第三晶体管Tl、 T2…Tn可以是一 丽0S晶体管，并且丽0S晶体管的栅极电 连接至对应的发光装置Ll、 L2…Ln的低电位端VL1、 VL2…VLn。根据每一个NM0S晶体管的栅极的输入电压，N个检测模块D1、 D2…Dn 可以输出一相对应的控制电压Vc至一保护电路(未显示于图2中)。举例而 言，当每一个发光装置Ll、 L2…Ln在正常工作状态下时，每一个第一晶体 管Q1、 Q2…Qn都会导通，此时N个检测模块D1、 D2…Dn可以输出高位准的 控制电压Vc至保护电路。但是，当任一个发光装置L1、 L2…Ln其中一个发 光二极管10断路或烧毁时，N个检测模块D1、 D2…Dn则可以输出低位准的 控制电压Vc至保护电路。接着，根据实务上的需求，保护电路可以将供应N 个发光装置Ll、 L2…Ln的一电压源Vs关闭，以避免更多发光二极管10受 损。或者，保护电路可以发出一警告讯号，以告知使用者发光装置L1、 L2… Ln发生异常状态。相较于现有技术，根据本实用新型的均流电路可以使流经每一根发光二 极管灯管的电流均等，使得整体的发光二极管灯管的亮度具有一致性。此外， 根据本实用新型的均流电路也包含多个检测模块，以检测任一根发光二极管灯管是否发生异常状态，进一步采取相关的配套措施。通过以上较佳具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本实用新型的特以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本实用 新型的权利要求的范畴内。因此，本实用新型的权利要求的范畴应该根据上 述的说明作最宽广的解释，以致使其涵盖所有可能的改变以及具相等性的安排。
权利要求1.一种均流电路，该均流电路配合N个并联的发光装置，N为一大于1的正整数，每一个发光装置包含至少一个发光二极管并且具有一各别的低电位端，其特征是，该均流电路包含一恒定电压源，该恒定电压源用以提供一恒定电压；以及N个第一晶体管，每一个第一晶体管对应所述发光装置中的一个发光装置并且以其本身的一第一端点电连接至该对应的发光装置的该低电位端；其中每一个第一晶体管的一第二端点都电连接至该恒定电压源以接收该恒定电压的输入，每一个第一晶体管的一第三端点电连接在一起。
2. 如权利要求1所述的均流电路，其特征是，其中每一个第一晶体管为 一双接面晶体管。
3. 如权利要求2所述的均流电路，其特征是，其中该双接面晶体管为一 NPN型晶体管，该第一端点为该NPN型晶体管的集极，该第二端点为该NPN 型晶体管的基极，该第三端点为该NPN型晶体管的射极。
4. 如权利要求3所述的均流电路，其特征是，其中该恒定电压源使用一 第二晶体管。
5. 如权利要求4所述的均流电路，其特征是，其中该第二晶体管为一双 接面晶体管。
6. 如权利要求5所述的均流电路，其特征是，其中该双接面晶体管为一 NPN型晶体管，并且每一个第一晶体管的该第二端点连接至该NPN型晶体管 的射极。
7. 如权利要求1所述的均流电路，其特征是，进一步包含N个串联的检测模块，每一个检测模块耦接于一个第一晶体管的该第一 端点及该第一晶体管所对应的一个发光装置的该低电位端之间，每一个检测 模块包含一第三晶体管，该第三晶体管的 一第四端点电连接至该对应的发光 装置的该低电位端。
8. 如权利要求7所述的均流电路，其特征是，其中该第三晶体管为一金 属氧化物半导体场效晶体管或一双接面晶体管。
9. 如权利要求7所述的均流电路，其特征是，其中根据该第四端点的输 入电压，该N个检测模块输出一相对应的控制电压至一保护电路。
10. 如权利要求9所述的均流电路，其特征是，其中该保护电路用以将供应该N个发光装置的一电压源关闭或产生一警告讯号。
11. 如权利要求7所述的均流电路，其特征是，其中该N个检测模块用 以检测该N个发光装置中的每一个发光装置的异常状态。
12. 如权利要求11所述的均流电路，其特征是，其中该异常状态指该发 光装置中的 一发光二极管断路或烧毁。
专利摘要本实用新型披露一种均流电路。该均流电路配合N个并联的发光装置，N是一大于1的正整数。每一个发光装置包含至少一个发光二极管并且具有一各别的低电位(low-potential)端。根据本实用新型的均流电路包含一恒定电压源以及N个第一晶体管。该恒定电压源用以提供一恒定电压。每一个第一晶体管对应所述发光装置中的一个发光装置并且以其本身的一第一端点电连接至该对应的发光装置的该低电位端。此外，每一个第一晶体管的一第二端点都电连接至该恒定电压源以接收该恒定电压的输入，并且每一个第一晶体管的一第三端点电连接在一起。
文档编号H05B37/00GK201167423SQ200820001978
公开日2008年12月17日 申请日期2008年1月16日 优先权日2008年1月16日
发明者吴家坤, 张洪德 申请人:达方电子股份有限公司