专利名称：石英晶片的制作方法
技术领域：
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本实用新型涉及晶片技术领域，特别涉及石英晶片。
技术背景
利用石英晶体本身的物理特性制造的电子元器件，具有很高的频 率稳定性，作为频率基准和频率源，在数字电路、计算机、通讯等领 域得到了广泛地应用。由于石英晶片是各向异性的，晶片的切割方向 稍有不同，温度特性就有很大区别。目前，随着电子元器件的不断小 型化，AT切型的石英晶片，也必须随之小型化。由于石英晶片是石 英谐振器的核心部件，而AT切型的石英晶片，其厚度与频率存在线
性关系f=KF/t，其中，f为晶片频率，KF为频率常数，t为晶片厚 度；所以，在晶片加工过程中，有些厂家会对切割后的石英晶片进行 倒边，即，将切割成的晶片的锐利边修整成圆弧形，减少晶片在装配 过程中产生边缘效应。但是，现有的石英晶片由于未倒边或者晶片倒 边后的中心平台的形状与大小不合理，从而导致对晶片性能有影响的 边缘效应。 实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足而提供石英晶片，它可以减小晶片在装配过程中产生的边缘效应。
为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案
晶片的上、下端面上分别具有水平方向的椭圆形中心平台；所述
的晶片呈长方形，它的四周具有弧形倒边。
所述的中心平台位于晶片上、下端面的中心。
所述的弧形倒边与中心平台的椭圆边连接。
本实用新型的有益效果在于，石英晶片的中心具有椭圆形中心平 台，在四周进行倒边，可以有效地改善晶片组装时所产生的边缘效应， 从而提高产品质量。
图1是本实用新型的主视图 图2是本实用新型的俯视图 图3是本实用新型的侧视图具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步的说明。
以下所述仅为本实用新型的较佳实施方式，并不因此而限定本实 用新型的保护范围。
见附图1、 2、 3，本实用新型晶片10的上、下端面上分别具有 水平方向的椭圆形中心平台20，即上、下端面的两个中心平台20平 行，并且均保持水平，提高使用质量；所述的晶片10呈长方形，它 的四周具有弧形倒边30，可以有效地改善晶片组装时所产生的边缘效应，从而提高产品质量。
所述的中心平台20位于晶片10上、下端面的中心。 所述的弧形倒边30与中心平台20的椭圆边连接，在对晶片进行
倒边时需要注意这一点。
本实用新型可以有效地改善晶片组装时所产生的边缘效应，从而
提高产品质量。
权利要求1、石英晶片，其特征在于晶片(10)的上、下端面上分别具有水平方向的椭圆形中心平台(20)；所述的晶片(10)呈长方形，它的四周具有弧形倒边(30)。
2、 根据权利要求1所述的石英晶片，其特征在于所述的中心平台(20)位于晶片(10)上、下端面的中心。
3、 根据权利要求2所述的石英晶片，其特征在于所述的弧形 倒边(30)与中心平台(20)的椭圆边连接。
专利摘要本实用新型涉及晶片技术领域，特别涉及石英晶片，晶片的上、下端面上分别具有水平方向的椭圆形中心平台；所述的晶片呈长方形，它的四周具有弧形倒边；本实用新型可以有效地改善晶片组装时所产生的边缘效应，从而提高产品质量。
文档编号C30B29/06GK201224780SQ20082005020
公开日2009年4月22日 申请日期2008年7月3日 优先权日2008年7月3日
发明者刘国强, 重 庄, 赵积清, 奇 金 申请人:东莞惠伦顿堡电子有限公司