晶片加工用带的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及晶片加工用带，特别是设及具有忍片切割带和忍片接合膜的2个功能 的晶片加工用带。
【背景技术】
[0002] 最近，正在开发一种忍片切割-忍片接合带，其兼具将半导体晶片切断分离（忍片 切割）为各个忍片时用于固定半导体晶片的忍片切割带、和用于将切断后的半导体忍片粘 接于引线框或封装基板等、或者在堆叠封装中用于将半导体忍片彼此层叠、粘接的忍片接 合膜(也称为忍片贴装膜)的2个功能。
[0003] 作为运样的忍片切割-忍片接合带，考虑到向晶片的贴附、忍片切割时的向贴片环 框的安装等的操作性，有时实施了预切割加工。
[0004] 在图4和图5中示出预切割加工后的忍片切害d-忍片接合带的例子。图4是表示将忍 片切割-忍片接合带卷绕为卷筒状的状态的图，图5(a)是忍片切割-忍片接合带的俯视图， 图5(b)是基于图5(a)的线B-B的剖面图。忍片切割-忍片接合带50包含脱模膜51、胶粘剂层 52和粘合膜53。胶粘剂层52加工为与晶片的形状对应的圆形，具有圆形标签形状。粘合膜53 中除去了与忍片切割用的贴片环框的形状对应的圆形部分的周边区域，如图所示，具有圆 形标签部53a和包围其外侧的周边部53b。胶粘剂层52与粘合膜53的圆形标签部53aW将其 中屯、对齐的方式层叠，另外，粘合膜53的圆形标签部53a覆盖胶粘剂层52且在其周围与脱模 膜51接触。
[0005] 将晶片忍片切割时，从层叠状态的胶粘剂层52和粘合膜53剥离脱模膜51，如图6所 示，在胶粘剂层52上贴附半导体晶片W的背面，在粘合膜53的圆形标签部53a的外周部粘合 固定忍片切割用贴片环框R。在该状态下将半导体晶片W忍片切割，之后，对粘合膜53实施紫 外线照射等固化处理后拾取半导体忍片。此时，粘合膜53由于固化处理而粘合力降低，因此 容易从胶粘剂层52剥离，在背面附着了胶粘剂层52的状态下拾取半导体忍片。附着于半导 体忍片的背面的胶粘剂层52在之后将半导体忍片粘接于引线框、封装基板、或其他半导体 忍片时，作为忍片接合膜起作用。
[0006] 另外，就像上述那样的忍片切割-忍片接合带50而言，胶粘剂层52与粘合膜53的圆 形标签部53a层叠的部分比粘合膜53的周边部53b厚。因此，作为制品卷绕成卷筒状时，胶粘 剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a的层叠部分、与粘合膜53的周边部53a的高度差相互重 叠，发生在柔软的胶粘剂层52表面转印高度差的现象，即图7所示的那样的转印痕(也称为 标签痕迹、皱纹、或卷绕痕迹）。运样的转印痕的产生特别是在胶粘剂层52由柔软的树脂形 成的情况、存在厚度的情况和带50的卷绕数多的情况等显著。然后，若产生转印痕，则存在 由胶粘剂层与半导体晶片的粘接不良导致在晶片的加工时产生不良情况的可能性。
[0007] 为了解决运样的问题，正在开发一种晶片加工用带，其为脱模膜的与设置了胶粘 剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且在脱模膜的短边方向的两端部设置了支承构件 (例如，参照专利文献1)。运样的晶片加工用带设置了支承构件，因此在将晶片加工用带卷 绕为卷筒状时，可W将对带施加的卷绕压力分散、或集中于支承构件，因此，可W抑制向胶 粘剂层的转印跡的形成。
[000引现有技术文献 [0009]专利文献
[0010] 专利文献1:日本专利第4360653号公报
【发明内容】
[0011] 发明要解决的课题
[0012] 然而，在上述专利文献1中记载的晶片加工用带中，为了充分抑制向胶粘剂层的转 印跡的形成，需要将支承构件的厚度设置为胶粘剂层的厚度W上，因此存在在支承构件的 选定中存在制约的问题。另外，粘合膜覆盖胶粘剂层且在其周围与脱模膜接触，但根据胶粘 剂层的厚度，有时在脱模膜与粘合膜之间产生极小的空隙、残留空气(air)。上述专利文献1 中记载的晶片加工用带在脱模膜的短边方向两端部设置了支承构件，因此在将晶片加工用 带卷绕成卷筒状的状态中，标签部与在其上卷绕的脱模膜之间成为中空结构，因此出现了 存在上述空气(air)移动而侵入胶粘剂层与粘合膜之间的可能性的问题。在胶粘剂层与粘 合膜之间侵入的空气(air)也称为孔隙（void),其存在使对于半导体晶片W的贴合不良发 生、造成之后的半导体晶片W的忍片切割工序或忍片的拾取工序、接合工序的成品率的降低 的可能性。
[0013] 因此，本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，其可W减少标签痕迹的产生，且 可W不论胶粘剂层的厚度如何地选择支承构件，同时可W减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷 入空气(air)。
[0014] 解决课题的方法
[0015] 为了解决W上的课题，本发明所设及的晶片加工用带的特征在于具有:长的脱模 膜;胶粘剂层，设置在所述脱模膜的第1面上、且具有规定的平面形状;粘合膜，具有标签部 和包围所述标签部的外侧的周边部，所述标签部W覆盖所述胶粘剂层、且在所述胶粘剂层 的周围与所述脱模膜接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；W及支承构件，设置在所 述脱模膜的与设置有所述胶粘剂层和所述粘合膜的第1面相反的第2面上，并且在包含与所 述胶粘剂层对应的部分、且不包含与所述标签部的在所述脱模膜的短边方向上的端部对应 的部分的区域内，沿所述脱模膜的长边方向设置。
[0016] 另外，上述半导体加工用带优选上述支承构件设置于上述脱模膜的短边方向的中 央部。
[0017] 另外，上述半导体加工用带优选:上述支承构件中，上述脱模膜的短边方向的宽度 为10~50mm。
[0018] 发明效果
[0019] 根据本发明，可W减少标签痕迹的产生，且可W不论胶粘剂层的厚度如何地选择 支承构件，同时可W减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷入空气。
【附图说明】
[0020] 图1的(a)是本发明的实施方式所设及的晶片加工用带的俯视图，（b)是(a)的基于 线A-A的剖面图。
[0021] 图2是本发明的另一实施方式所设及的晶片加工用带的剖面图。
[0022] 图3是本发明的进一步另一实施方式所设及的晶片加工用带的剖面图。
[0023] 图4是W往的晶片加工用带的立体图。
[0024] 图5的(a)为W往的晶片加工用带的俯视图，（b)为(a)的基于线B-B的剖面图。
[0025] 图6为显示晶片加工用带与忍片切割用贴片环框贴合的状态的剖面图。
[0026] 图7为用于说明W往的晶片加工用带的不良情况的示意图。
【具体实施方式】
[0027] W下基于附图对本发明的实施方式详细地说明。图1(a)是本发明的实施方式所设 及的晶片加工用带(忍片切割-忍片接合带）的俯视图，图1(b)是图1(a)的基于线A-A的剖面 图。
[0028] 如图1(a)和图1(b)所示，晶片加工用带10具有长的脱模膜11、胶粘剂层12、粘合膜 13和支承构件14。
[0029] 胶粘剂层12设置于脱模膜的第1面上，具有与晶片的形状对应的圆形标签形状。粘 合膜13具有圆形标签部13a和包围该圆形标签部13a的外侧的周边部13b，所述圆形标签部 13aW覆盖胶粘剂层12、且在胶粘剂层12的周围与脱模膜接触的方式设置。周边部13b包括 将圆形标签部13a的外侧完全包围的形态、和如图所示的不完全包围的形态。圆形标签部 13a具有与切割用的贴片环框对应的形状。而且，支承构件14设置在脱模膜11的与设置有胶 粘剂12和粘合膜13的第1面Ila相反的第2面1化上，并且设置在包含与胶粘剂层12对应的部 分、且不包含与标签部13a的在所述脱模膜11的短边方向上的端部对应的部分的区域r。
[0030] W下，对本实施方式的晶片加工用带10的各构成要素详细地说明。