晶片加工用带的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及晶片加工用带，特别是设及具有切割胶带和忍片接合膜运2个功能的 晶片加工用带。
【背景技术】
[0002] 近来，开发了兼具切割胶带和忍片接合膜（也称为忍片贴装膜）运2个功能的切 割-忍片接合带，所述切割胶带在将半导体晶片切断分离（切割）为各个忍片时用于将半 导体晶片固定，所述忍片接合膜用于将切断后的半导体忍片与引线框或封装基板等粘接， 或者在堆叠封装中用于将半导体忍片之间层叠、粘接。
[0003] 作为运样的切割-忍片接合带，考虑到与晶片的粘贴、切割时向贴片环框上的安 装等作业性，有的实施了预切割加工。
[0004] 预切割加工后的切割-忍片接合带的例子示于图4和图5。图4为示出将切割-忍 片接合带卷取为漉筒状后的状态的图，图5 (a)为切割-忍片接合带的俯视图，图5化）为图 5(a)的线B-B的剖视图。切割-忍片接合带50包含脱模膜51、粘接剂层52和粘合膜53。 粘接剂层52被加工为与晶片的形状对应的圆形，具有圆形标签形状。粘合膜53是与切割 用的贴片环框的形状对应的圆形部分的周边区域被除去后的膜，如图所示，具有圆形标签 部53a和包围其外侧的周边部53b。粘接剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a的中屯、对 齐层叠，并且粘合膜53的圆形标签部53a覆盖粘接剂层52,且在其周围与脱模膜51接触。
[0005] 在切割晶片时，从层叠状态的粘接剂层52和粘合膜53剥离脱模膜51，如图6所 示，在粘接剂层52上粘贴半导体晶片W的背面，在粘合膜53的圆形标签部53a的外周部粘 合固定切割用贴片环框R。在该状态下切割半导体晶片W，之后，对粘合膜53实施紫外线照 射等固化处理，拾取半导体忍片。此时，粘合膜53由于固化处理而粘合力下降，因此易于从 粘接剂层52剥离，半导体忍片W在背面附着有粘接剂层52的状态被拾取。在半导体忍片 的背面附着的粘接剂层52之后在将半导体忍片与引线框、封装基板或者其他半导体忍片 粘接时，作为忍片接合膜发挥作用。
[0006] 另外，如上所述的切割-忍片接合带50中，粘接剂层52与粘合膜53的圆形标签 部53a层叠而成的部分比粘合膜53的周边部53b厚。因此，在作为产品卷为漉筒状时，粘 接剂层52和粘合膜53的圆形标签部53a的层叠部分与粘合膜53的周边部53a的高差相 互重合，产生在柔软的粘接剂层52表面转印高差的现象、即图7所示的转印痕迹（也称为 标签痕迹、皱權或卷印）。运样的转印痕迹的产生特别是在粘接剂层52由柔软的树脂形成 时或具有厚度时、W及切割-忍片接合带50的卷数多时较为显著。而且，若产生转印痕迹， 则由于粘接剂层与半导体晶片的粘接不良，在晶片的加工时有可能产生问题。
[0007] 为了解决运样的问题，开发了如下的晶片加工用带：在脱模膜的与设置有粘接剂 层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且脱模膜的短边方向的两端部设置支承构件（例如 参照专利文献1)。运样的晶片加工用带由于设置有支承构件，因此在将晶片加工用带卷取 为漉筒状时，能够将施加于胶带的卷取压分散、或者使该压力集中于支承构件，因此能够抑 制转印跡在粘接剂层上的形成。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1 :日本专利第4360653号公报
【发明内容】
[0011] 发明要解决的课题
[0012] 一般而言，粘合膜53覆盖粘接剂层52、且在其周围与脱模膜51接触，由于粘接剂 层52的厚度，有时在粘接剂层52的周缘部在脱模膜51与粘合膜53之间产生极微的空隙， 从而残留空气（air)。运样的脱模膜51与粘合膜53之间的空气也有时发生移动而向圆形 标签部53a的外侧逃逸，此时不会对物性造成显著影响。
[001引但是，晶片加工用带在保存时和运送时被置于低溫状态（例如-20°C~5°C )，有时 被冷却至-40°CW下。在运样的低溫下，粘合膜的粘合力有时显著下降而不表现出来。另一 方面，被置于溫度变化大的特殊环境下，如在向半导体晶片W贴合时被加热，在加工半导体 晶片W时的使用时被置于常溫状态等。由于运样的低溫所致的粘合力的下降、或者溫度变 化所引起的脱模膜、粘接剂层和粘合膜的尺寸变化，有时在粘接剂层与脱模膜之间、脱模膜 与粘合膜之间W及粘接剂层与粘合膜之间浸入空气。进入到粘接剂层与粘合膜之间的空气 导致对半导体晶片W的贴合不良，有可能引起半导体晶片W的切割工序、忍片的拾取工序、 忍片接合工序中的成品率的下降。
[0014] 在像专利文献1的晶片加工用带那样设置支承构件时，已知，为了有效地防止转 印痕迹而增大支承构件的厚度时，若将晶片加工用带卷取为漉筒状的状态，则在与粘接剂 层对应的部分的上表面，晶片加工用带未被卷曲而成为中空状态，若该中空部分增大，则易 于将粘接剂层周缘部的空气引诱至粘接剂层的内侧。
[0015] 因此，本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，所述晶片加工用带能够降低标 签痕迹的产生，且能够降低粘接剂层与粘合膜之间的空气（air)的卷入。
[0016] 解决课题的方法
[0017] 为了解决W上的课题，本发明所设及的晶片加工用带的特征在于，具有：长的脱模 膜；粘接剂层，设置在上述脱模膜的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜，具有标签部 和包围上述标签部的外侧的周边部，上述标签部W覆盖上述粘接剂层、且在上述粘接剂层 的周围与上述脱模膜接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；W及支承构件，设置在上 述脱模膜的与设置有上述粘接剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且设置在上述脱模 膜的短边方向的两端部，上述支承构件具有上述粘接剂层的厚度的1. 0倍W上且4. 0倍W 下的厚度。
[0018] 另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件的线性膨胀系数为3(K)ppm/°C W 下。
[0019] 另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件的线性膨胀系数与上述脱模膜的 线性膨胀系数之差为25化pm/°C W下。
[0020] 另外，上述半导体加工用带的上述粘合膜优选：具有粘合剂层和基材膜，上述基材 膜与上述支承构件之间的静摩擦系数为0. 2~2. 0。
[0021] 另外，上述半导体加工用带优选：支承构件设置于上述脱模膜的上述第2面上的、 与在上述第1面设置的上述粘接剂层的外侧对应的区域。
[0022] 另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件支承构件沿上述脱模膜的长边方 向连续地设置。
[0023] 另外，上述半导体加工用带中，上述支承构件可W被着色。此时，支承构件优选根 据晶片加工用带的种类被着色。另外，可W据晶片加工用带的厚度被着色。
[0024] 另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件具有2层W上的层叠结构。
[00巧]另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件为在选自聚对苯二甲酸乙二醇醋、 聚丙締和高密度聚乙締中的树脂膜基材上涂布有粘接合剂的粘接合带。
[00%]另外，上述半导体加工用带优选：23°C条件下的上述粘合膜的拉伸储存弹性模量 化与23°C条件下的上述脱模膜的拉伸储存弹性模量Ea之比化/Ea为0.0 Ol~100。
[0027] 另外，上述半导体加工用带优选：上述脱模膜的厚度化与上述粘合膜的厚度化之 比化/化为0. 07~2. 5。
[0028] 另外，上述半导体加工用带优选：在溫度23±2°C、剥离速度300mm/min的 条件下的T型剥离试验中，上述粘接剂层与上述脱模膜之间的剥离力Fl为0. 025~ 0. 075N/100mm，上述粘接剂层与上述粘合膜之间的剥离力F2为0. 08~10N/100mm，Fl<F2。
[0029] 发明效果
[0030] 根据本发明，能够降低标签痕迹的产生，且能够降低粘接剂层与粘合膜之间的空 气（air)的卷入。
【附图说明】
[0031] 图1(a)为本发明的实施方式所设及的晶片加工用带的俯视图，化）为（a)的线 A-A的剖视图。
[0032] 图2为本发明的另一实施方式所设及的晶片加工用带的剖视图。
[0033] 图3为本发明的再另一实施方式所设及的晶片加工用带的剖视图。
[0034] 图4为现有的晶片加工用带的立体图。
[0035] 图5(a)为现有的晶片加工用带的俯视图，化）为（a)的线B-B的剖视图。
[0036] 图6为示出晶片加工用带与切割用贴片环框贴后的状态的剖视图。
[0037] 图7为用于说明现有的晶片加工用带的问题的示意图。
【具体实施方式】
[0038] W下基于附图详细地说明本发明的实施方式。图1(a)为本发明的实施方式所设 及的晶片加工用带（切割-忍片接合带）的俯视图，图1(b)为图1(a)的线A-A的剖视图。
[0039] 如图1(a)和图1(b)所示，晶片加工用带10具有长的脱模膜11、粘接剂层12、粘 合膜13和支承构件14。
[0040] 粘接剂层12设置在脱模膜的第1面上，具有与晶片的形状对应的圆形标签形状。 粘合膜13具有圆形标签部13a和包围该圆形标签部13a的外侧的周边部13b，所述圆形标 签部13a W覆盖粘接剂层12、且在粘接剂层12的周围与脱模膜接触的方式设置。周边部 13b包括将圆形标签部13a的外侧完全包围的形态、和如图所示的不完全包围的形态。圆形 标签部13a具有与切割用的贴片环框对应的形状。而且，支承构件14设置在脱模膜11的 与设置有粘接剂12和粘合膜13的第1面Ila相反的第2面1化上、且设置在脱模膜11的