晶片的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及沿着分割预定线切割晶片的晶片的加工方法，该晶片在正面上呈格子 状形成有多条分割预定线，并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域上形成有器件。
【背景技术】
[0002] 在半导体器件制造过程中，在呈大致圆板形状的半导体晶片的正面由呈格子状排 列的分割预定线划分出多个区域，并在该划分出的区域上形成IC、LSI等的器件。通过沿着 分割预定线切断如上形成的半导体晶片，从而分割形成有器件的区域并制造出各个器件芯 片。
[0003] 上述沿着半导体晶片的分割预定线而进行的切断通常是通过被称作切割锯的切 削装置进行的。该切削装置具有保持半导体晶片和光器件晶片等的被加工物的卡盘台、用 于切削被保持于该卡盘台上的被加工物的切削单元、以及使卡盘台和切削单元相对移动的 切削进给单元。切削单元包括主轴组件，该主轴组件具有主轴以及对安装于该主轴上的切 削刀具和对主轴进行旋转驱动的电动机。切削刀具由圆盘状的基台和安装于该基台的侧面 外周部上的环状的切割刃构成，切割刃通过电铸例如将粒径3 ym左右的金刚石磨粒固定 于基台上且形成为厚度20 y m左右。
[0004] 然而，由于切削刀具具有20 ym左右的厚度，因此作为划分器件的分割预定线而 言其宽度需要为50 ym左右，使得分割预定线在晶片的面积上所占的面积比率较大，存在 生广效率较差的问题。
[0005] 另一方面，作为近些年来的分割半导体晶片等的晶片的方法，已有一种被称作内 部加工的激光加工方法得以实用，使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，将聚 光点定位于待分割区域的内部并照射脉冲激光光线。该使用被称作内部加工的激光加工方 法的分割方法是一种如下的技术，将聚光点对准内部并从晶片的一个表面侧照射对于晶片 具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线而连续形成改质层，沿 着通过形成该改质层而强度降低后的分割预定线赋予外力，从而断开晶片进行分割。（例 如，参照专利文献1)
[0006] 如上所述，作为沿着在沿分割预定线而形成有改质层的晶片上的分割预定线赋予 外力，将晶片分割为各个器件芯片的方法，在下述专利文献2中公开了如下技术，在安装于 环状框架的切割带上贴附沿着分割预定线而形成有改质层的晶片，并通过扩张切割带而对 晶片赋予牵拉力，沿着形成有改质层而强度降低后的分割预定线将晶片分割为各个器件芯 片。
[0007] 此外，在下述专利文献3中公开了如下技术，在沿着分割预定线而连续形成有改 质层的晶片的正面上贴附保护带，将保护带侧保持于卡盘台上，此后对晶片的背面供给磨 削水并进行磨削以使其形成为规定的厚度，并且将晶片分割为各个器件芯片。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1 :日本特开2004-160493号公报
[0011] 专利文献2 :日本特开2005-223282号公报
[0012] 专利文献3 :日本特开2013-165229号公报
[0013] 然而，如果在沿着分割预定线而连续形成有改质层的晶片的正面上贴附保护带， 将保护带侧保持于卡盘台上而对晶片的背面供给磨削水并进行磨削使其形成为规定的厚 度，并将晶片分割为各个器件芯片，则分割后的器件芯片会彼此接触而在器件芯片的侧表 面上产生细微的缺损，存在降低器件芯片的品质的问题。
【发明内容】
[0014] 本发明就是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题在于，提供一种晶片的加工 方法，在沿着分割预定线形成有改质层的晶片的正面上贴附保护带，将保护带侧保持于卡 盘台上而对晶片的背面供给磨削水并进行磨削以使其形成为规定的厚度，并将晶片分割为 各个器件芯片时，能够在晶片的外周不产生缺损的情况下实施该方法。
[0015] 为了解决上述主要技术课题，本发明提供一种晶片的加工方法，沿着分割预定线 将晶片分割为各个器件芯片，该晶片在正面呈格子状地形成有多条分割预定线，并且，该晶 片在正面具有：器件区域，其是在由该多条分割预定线划分出的多个区域上分别形成了器 件的区域；以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该加工方法的特征在于，包括：保护带贴 附工序，将通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带贴附于晶片的正面上；粘结层硬化 工序，对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线，使该粘结层硬化；改质层形成工序，将 聚光点定位于晶片的内部，沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线， 从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；以及背面磨削工序，在实施了该粘结层硬 化工序和该改质层形成工序后，对晶片的背面供给磨削水并磨削晶片，使晶片变薄到规定 的厚度，并且以该改质层作为断裂起点，沿着该分割预定线将晶片分割为各个器件芯片。
[0016] 优选在该粘结层硬化工序中，仅对与晶片的器件区域对应的区域上的该保护带照 射紫外线，从而使与器件区域对应的区域上的该保护带的粘结层硬化。
[0017] 发明的效果
[0018] 根据本发明的晶片的加工方法，在实施背面磨削工序前，实施如下工序：保护带贴 附工序，在晶片的正面上贴附通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带；以及粘结层硬 化工序，对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线以使粘结层硬化，因此在背面磨削工 序中晶片被分割为各个器件芯片的情况下，也能够通过硬化后的粘结层进行保持，避免被 分割后的器件芯片彼此间的接触，不会在器件芯片的侧表面上产生缺损。
[0019] 此外，在本发明的晶片的加工方法中，在上述粘结层硬化工序中，仅对贴附于晶片 的正面的保护带上的与晶片的器件区域对应的区域照射紫外线而使与器件区域对应的区 域的粘结层硬化，不使与外周剩余区域对应的区域的粘结层硬化，因此贴附于晶片的正面 的保护带上的与晶片的外周剩余区域对应的区域的粘结层得以维持粘结力而紧密贴合于 晶片的正面上，因此不会在晶片的外周产生缺损，并且不会污染晶片的正面。
【附图说明】
[0020] 图1是半导体晶片的立体图。
[0021] 图2是表示保护带贴附工序的说明图。
[0022] 图3是表示粘结层硬化工序的说明图。
[0023] 图4是用于实施改质层形成工序的激光加工装置的要部立体图。
[0024] 图5是表示改质层形成工序的说明图。
[0025] 图6是表示背面磨削工序的说明图。
[0026] 标号说明
[0027] 2 :半导体晶片，21 :分割预定线，22 :器件，25 :改质层，3 :保护带，4 :掩模，5 :紫外 线照射器，6 :激光加工装置，61 :激光加工装置的卡盘台，62 :激光光线照射单元，622 :聚光 器，7 :磨削装置，71 :磨削装置的卡盘台，72 :磨削单元，734 :磨削轮。
【具体实施方式】
[0028] 以下，参照附图详细说明本发明的晶片的加工方法的优选实施方式。
[0029] 图1示出根据本发明而被加工的半导体晶片2的立体图。半导体晶片2由厚度为 例如500 y m的硅晶片构成，其正面2a上呈格子状形成有多条分割预定线21，并且在由该多 条分割预定线21而划分出的多个区域上形成有IC、LSI等的器件22。如上构成的半导体 晶片2包括形成有器件22的器件区域23以及围绕该器件区域23的外周剩余区域24。以 下，说明将该半导体晶片2沿着分割预定线21分割为各个器件芯片的晶片的加工方法。
[0030] 首先，实施保护带贴附工序，在半导体晶片2的正面2a上贴附通过照射紫外线而 使得粘结层硬化的保护带。即，如图2的（a)和（b)所示，半导体晶片2的正面2a上贴附 通过照射紫外线而使得粘结层30硬化的保护带3。另外，作为保护带3,在本实施方式中涂 布厚度5 y m左右的对由厚度为100 y m的聚氯乙烯（PVC)构成的膜状基材的正面上照射紫 外线而硬化的粘结层30。
[0031] 实施了上述保护带贴附工序后，实施粘结层硬化工序，对贴附于半导体晶片2的 正面2a上的保护带3照射紫外线以使粘结层硬化。参照图3的（a)至（c)说明该粘结层 硬化工序。在图3的（a)至（c)所示的粘结层硬化工序的实施方式中，使用图3的（a)所 示的环状的掩模4。该掩模4形成为外径大于半导体晶片2的外径，并且在中央部形成有大 小与半导体晶片2的器件区域23(参照图1)对应的圆形开口 41。将如上形成的掩模4如 图3的（b)所示而放置于在半导体晶片2的正面2a上贴附的保护带3的正面上。此时，将 形成于掩模4上的圆形开口 41定位于保护带3上的与半导体晶片2的器件区域23对应的 区域31上。因此，保护带3上的与半导体晶片2的外周剩余区域24对应的区域32成为被 掩模4的外周部覆盖住的状态。另外，保护带3上的与半导体晶片2的外周剩余区域24对 应的区域32的宽度L(参照图3的（c))根据晶片的种类不同而不同，此处被设定为2mm~ 3mm。这样，如果将形成于掩模4上的圆形开口 41定位并放置于保护带3上的与半导体晶 片2的器件区域23对应的区域31内，则如图3的（b)所示，点亮紫外线照射器5,通过形 成于掩模4上的圆形开口 41而对保护带3上的与半导体晶片2的器件区域23对应的区域 31照射紫外线。其结果，如图3的（c)所示，使得保护带3上的与半导体晶片2的器件区 域23对应的区域31上的粘结层301被硬化。另一方面，保护带3上的与半导体晶片2的 外周剩余区域24对应的区域32不会被照射紫外线，因此保护带3上的与半导体晶片2的 外周剩余区域24对应的区域32上的粘结层302不会硬化而得以维持粘结力。
[0032] 另外，上述保护带贴附工序优选在后述的改质层形成工序之前实施，然而也可以 在实施后述的背面磨削工序之前实施。此外，上述粘结层硬化工序既可以在后述的改质层 形成工序之前实施，也可以在实施后述的背面磨削工序之前实施。而且，在粘结层硬化工序 中，可以对保护带3的整个面照射紫外