一种单面消影触摸屏导电玻璃的加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及导电玻璃技术领域，尤其是一种单面消影触摸屏导电玻璃的加工方法。
【背景技术】
[0002]目前，电容屏产品使用非常广泛，而电容屏中的双面镀导电玻璃是其主要器件，双面镀导电玻璃的导电薄膜在性能方面要求比较严，比如均匀性、耐热性能、耐酸碱性能、耐高温高湿性能等；在制作透明电路的时候，由于工艺难度增加，在制作电路时常采用酸刻电路。在制作过程中，容易蚀刻掉不应该刻蚀的部位，并且存在电路蚀刻的蚀痕影迹，影响其电磁屏蔽、静电保护功能，存在的蚀痕影迹会对观看图案产生影响。
[0003]鉴于上述原因，现研发出一种单面消影触摸屏导电玻璃的加工方法。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种单面消影触摸屏导电玻璃的加工方法，具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
[0005]本发明为了实现上述目的，采用如下技术方案:一种单面消影触摸屏导电玻璃的加工方法，所述单面消影触摸屏导电玻璃是由玻璃基板、锡面、干涉层一、透明钝化层、干涉层二、透明层、ΙΤ0膜构成；玻璃基板的两个表面均为锡面，在玻璃基板上表面的锡面上方设置干涉层一，干涉层一与干涉层二之间设置透明钝化层，干涉层二上方设置ΙΤ0膜，在玻璃基板下表面的锡面下方设置透明层，透明层下方设置ΙΤ0膜；
[0006]所述透明钝化层采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
[0007]所述干涉层一与干涉层二均采用五氧化二铌。
[0008]第一步，对玻璃基板进行处理，
[0009]A、对玻璃基板进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理；
[0010]B、对切割后的玻璃基板进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角；
[0011]C、刷洗吹干；
[0012]D、对磨边和倒角后的玻璃基板进行抛光；
[0013]E、再刷洗吹干；
[0014]第二步，对玻璃基板上溅射干涉层一、透明钝化层、干涉层二和透明层；
[0015]A、对抛光刷洗吹干后玻璃基板进行加热；采用的加热温度为150-280摄氏度；
[0016]B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的玻璃基板上表面的锡面上方溅射干涉层一，干涉层一上方溅射透明钝化层，透明钝化层为透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，透明钝化层上方溅射干涉层二，干涉层一和干涉层二均为五氧化二铌；对玻璃基板下表面的锡面下方溅射透明层；
[0017]第三步，在玻璃基板第二步溅射的基础上，进行ΙΤ0膜溅射；
[0018]A、对溅射干涉层一、透明钝化层、干涉层二和透明层后的玻璃基板进行加热；加热温度采用280-380摄氏度；
[0019]B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的玻璃基板，在玻璃基板上表面的干涉层二上方和下表面的透明层下方同步溅射ΙΤ0膜；
[0020]C、对溅射ΙΤ0膜后的玻璃基板，经缓冲室做退火处理:先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对玻璃基板的镀膜。
[0021]本发明的有益效果是:本发明能够保护氧化铟锡导电膜刻蚀线路，不受制作过程工艺中的酸溶液的蚀刻，避免在制作过程中蚀刻掉不应该刻蚀的部位，在制作过程中使氧化铟锡导电膜刻蚀线路达到设计要求，具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
【附图说明】
[0022]下面结合附图对本发明作进一步说明:
[0023]图1是，总装结构示意图；
[0024]图1中:玻璃基板1、锡面2、干涉层一 3、透明钝化层4、干涉层二 5、透明层6、ΙΤ0膜7。
【具体实施方式】
[0025]下面结合实施例与【具体实施方式】对本发明作进一步详细说明:
[0026]实施例1
[0027]玻璃基板1的两个表面均为锡面2，在玻璃基板1上表面的锡面2上方设置干涉层一 3，干涉层一 3与干涉层二 5之间设置透明钝化层4，干涉层二 5上方设置ΙΤ0膜7，在玻璃基板1下表面的锡面2下方设置透明层6，透明层6下方设置ΙΤ0膜7 ;
[0028]所述透明钝化层4采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
[0029]所述干涉层一 3与干涉层二 5均采用五氧化二铌。
[0030]实施例2
[0031]第一步，对玻璃基板1进行处理，
[0032]A、对玻璃基板1进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理；
[0033]B、对切割后的玻璃基板1进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角；
[0034]C、刷洗吹干；
[0035]D、对磨边和倒角后的玻璃基板1进行抛光；
[0036]E、再刷洗吹干；
[0037]第二步，对玻璃基板1上溅射干涉层一 3、透明钝化层4、干涉层二 5和透明层6 ;
[0038]A、对抛光刷洗吹干后玻璃基板1进行加热；采用的加热温度为150-280摄氏度；
[0039]B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的玻璃基板1上表面的锡面2上方溅射干涉层一 3，干涉层一 3上方溅射透明钝化层4，透明钝化层4为透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，透明钝化层4上方溅射干涉层二5,干涉层一 3和干涉层二5均为五氧化二铌；对玻璃基板1下表面的锡面2下方溅射透明层6 ;
[0040]第三步，在玻璃基板1第二步溅射的基础上，进行ΙΤ0膜7溅射；
[0041]A、对溅射干涉层一 3、透明钝化层4、干涉层二5和透明层6后的玻璃基板1进行加热；加热温度采用280-380摄氏度；
[0042]B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的玻璃基板1，在玻璃基板1上表面的干涉层二5上方和下表面的透明层6下方同步溅射ΙΤ0膜7 ;
[0043]C、对溅射ΙΤ0膜7后的玻璃基板1，经缓冲室做退火处理:先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对玻璃基板1的镀膜。
【主权项】
1.一种单面消影触摸屏导电玻璃的加工方法，所述单面消影触摸屏导电玻璃是由玻璃基板(1)、锡面(2)、干涉层一(3)、透明钝化层(4)、干涉层二(5)、透明层(6)、ITO膜(7)构成；其特征在于:玻璃基板(1)的两个表面均为锡面(2)，在玻璃基板(1)上表面的锡面(2)上方设置干涉层一(3)，干涉层一(3)与干涉层二(5)之间设置透明钝化层(4)，干涉层二(5)上方设置ITO膜(7)，在玻璃基板(1)下表面的锡面(2)下方设置透明层￠)，透明层(6)下方设置ITO膜(7); 所述透明钝化层(4)采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅； 所述干涉层一(3)与干涉层二(5)均采用五氧化二铌。2.—种单面消影触摸屏导电玻璃的加工方法，其特征在于: 第一步，对玻璃基板(1)进行处理， A、对玻璃基板(1)进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理； B、对切割后的玻璃基板(1)进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角； C、刷洗吹干； D、对磨边和倒角后的玻璃基板(1)进行抛光； E、再刷洗吹干； 第二步，对玻璃基板(1)上溅射干涉层一(3)、透明钝化层(4)、干涉层二(5)和透明层(6)； A、对抛光刷洗吹干后玻璃基板(1)进行加热；采用的加热温度为150-280摄氏度； B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的玻璃基板(1)上表面的锡面(2)上方溅射干涉层一(3)，干涉层一(3)上方溅射透明钝化层(4)，透明钝化层(4)为透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，透明钝化层⑷上方溅射干涉层二(5)，干涉层一(3)和干涉层二(5)均为五氧化二铌；对玻璃基板(1)下表面的锡面(2)下方溅射透明层(6); 第三步，在玻璃基板(1)第二步溅射的基础上，进行ITO膜(7)溅射； A、对溅射干涉层一(3)、透明钝化层(4)、干涉层二(5)和透明层(6)后的玻璃基板(1)进行加热；加热温度采用280-380摄氏度； B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的玻璃基板(1)，在玻璃基板(1)上表面的干涉层二(5)上方和下表面的透明层(6)下方同步溅射ITO膜(7); C、对溅射ITO膜(7)后的玻璃基板(1)，经缓冲室做退火处理:先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对玻璃基板(1)的镀膜。
【专利摘要】一种单面消影触摸屏导电玻璃的加工方法，第一步，对玻璃基板进行处理，第二步，对玻璃基板上溅射干涉层一、透明钝化层、干涉层二和透明层；第三步，在玻璃基板第二步溅射的基础上，进行ITO膜溅射；具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
【IPC分类】C03C17/36
【公开号】CN105271820
【申请号】CN201510694920
【发明人】秦遵红, 王恋贵, 董安光, 谭华
【申请人】洛阳康耀电子有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年10月19日