r>[00川（脱模膜）
[0032] 作为本发明的晶片加工用带10中使用的脱模膜11，可W使用聚醋(PET、PBT、PEN、 PBN、PTT)系、聚締控(PP、阳)系、共聚物化VA、EEA、EBA)系、或将运些材料一部分置换从而进 一步将粘接性、机械强度提高了的膜。另外，可W为运些膜的层叠体。
[0033] 脱模膜的厚度没有特别限制，可W适当设定，但优选25~50皿。
[0034] (胶粘剂层）
[0035] 本发明的胶粘剂层12如上所述，具有在脱模膜11的第1面Ila上形成、与晶片的形 状对应的圆形标签形状。
[0036] 胶粘剂层12在贴合并忍片切割半导体晶片等后，在拾取忍片时，附着于忍片背面， 作为将忍片固定于基板、引线框时的胶粘剂使用。作为胶粘剂层12,可W优选使用含有选自 环氧系树脂、丙締酸系树脂，酪醒系树脂中的至少巧巾的粘胶粘剂等。除此W外，也可W使用 聚酷亚胺系树脂、娃酬系树脂。其厚度可W适当设定，但优选5~100皿左右。
[0037] (粘合膜）
[0038] 本发明的粘合膜13如上所述，具有与忍片切割用的贴片环框的形状对应的圆形标 签部13a和包围其外侧的周边部13b。可W通过预切割加工，从膜状粘合剂除去圆形标签部 13a的周边区域来形成运样的粘合膜。
[0039] 作为粘合膜13,没有特别限制，只要具有将晶片忍片切割时晶片不剥离的充分的 粘合力，在忍片切割后拾取忍片时表现出可W容易地从胶粘剂层剥离的低的粘合力即可。 例如，可W适宜地使用在基材膜设置了粘合剂层的粘合膜。
[0040]作为粘合膜13的基材膜，只要为W往公知的基材膜就可W没有特别限制地使用， 但使用放射线固化性的材料作为后述的粘合剂层时，优选使用具有放射线透射性的基材 膜。
[0041 ] 例如，作为其材料，可举出聚乙締、聚丙締、乙締-丙締共聚物、聚下締-1、聚-4-甲 基戊締-1、乙締-乙酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸乙醋共聚物、乙締-丙締酸甲醋共聚物、乙 締-丙締酸共聚物、离聚物等Q-締控的均聚物或共聚物或它们的混合物、聚氨醋、苯乙締-乙 締-下締或戊締系共聚物、聚酷胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体、和它们的混合物。另外， 基材膜可W为选自它们的组中的巧巾W上的材料混合而成的基材膜，也可W是将它们单层 或多层化而成的基材膜。
[0042] 基材膜的厚度没有特别限制，可W适当设定，但优选50~200皿。
[0043] 作为粘合膜13的粘合剂层中使用的树脂，没有特别限制，可W使用粘合剂中使用 的公知的氯代聚丙締树脂、丙締酸类树脂、聚醋树脂、聚氨醋树脂、环氧树脂等。
[0044] 优选在粘合剂层13的树脂中适当配合丙締酸系粘合剂、放射线聚合性化合物、光 聚合引发剂、固化剂等来制备粘合剂。粘合剂层13的厚度没有特别限制而可W适当设定，但 优选5~30皿。
[0045] 可W在粘合剂层中配合放射线聚合性化合物并通过放射线固化而使得容易从胶 粘剂层剥离。该放射线聚合性化合物可W使用例如能通过光照射而=维网状化的在分子内 具有至少2个W上光聚合性碳-碳双键的低分量化合物。
[0046] 具体地，能应用=径甲基丙烷=丙締酸醋、季戊四醇=丙締酸醋、季戊四醇四丙締 酸醋、二季戊四醇单径基五丙締酸醋、二季戊四醇六丙締酸醋、1,4-下二醇二丙締酸醋、1， 6-己二醇二丙締酸醋、聚乙二醇二丙締酸醋或低聚醋丙締酸醋等。
[0047] 另外，除了像上述那样的丙締酸醋系化合物W外，也可W使用氨基甲酸醋丙締酸 醋系低聚物。可W使聚醋型或聚酸型等的多元醇化合物与多元异氯酸醋化合物(例如，2,4-甲苯二异氯酸醋、2，6-甲苯二异氯酸醋、1，3-亚二甲苯基二异氯酸醋、1，4-亚二甲苯基二异 氯酸醋、二苯基甲烧4,4-二异氯酸醋等)反应而得的末端异氯酸醋氨基甲酸醋预聚物与具 有径基的丙締酸醋或甲基丙締酸醋（例如，丙締酸-2-径基乙醋、甲基丙締酸-2-径基乙醋、 丙締酸-2-径基丙醋、甲基丙締酸-2-径基丙醋、聚乙二醇丙締酸醋、聚乙二醇甲基丙締酸醋 等)反应来得到氨基甲酸醋丙締酸醋系低聚物。
[0048] 在粘合剂层中，可W为选自上述的树脂中的巧中W上混合而成的混合物。
[0049] 使用光聚合引发剂时，可W使用例如苯偶姻异丙酸、苯偶姻异下酸、二苯甲酬、米 蛋酬、氯嚷吨酬、十二烷基嚷吨酬、二甲基嚷吨酬、二乙基嚷吨酬、苯偶酷二甲基缩酬、曰-径 基环己基苯基酬、2-径基甲基苯基丙烷等。运些光聚合引发剂的配合量相对于丙締酸系共 聚物100质量份优选0.0 l~5质量份。
[0050] (支承构件）
[0051] 支承构件14设置在脱模膜11的与设置有胶粘剂12和粘合膜13的第1面Ila相反的 第2面Ub上，并且在包含与胶粘剂层12对应的部分、且不包含与标签部13a的在所述脱模膜 11的短边方向上的端部对应的部分的区域r内沿脱模膜11的长边方向设置。通过设置运样 的支承构件14,在将晶片加工用带10卷绕为卷筒状时，对存在支承构件14的部分施加压力， 因此不会出现下述情况:胶粘剂层12与粘合膜13的圆形标签部13a的层叠部分、与粘合膜13 的周边部13a的高度差相互重叠从而作为标签痕迹在胶粘剂层12表面转印高度差。另外，在 将晶片加工用带10卷绕为卷筒状的状态中，对存在支承构件14的部分施加压力，圆形标签 部13a的在脱模膜11的短边方向上的端部不受拘束，因此通过胶粘剂层12的厚度，在脱模膜 11与圆形标签部13a之间产生的间隙中残留的空气(air)被向圆形标签部13a的外侧排出。
[0052] 设置支承构件14的位置只要为区域r内即可，如图1所示，可W在区域r的整个区域 设置，也可W在区域r的一部分的任意的位置设置。在区域r的一部分设置时，如图2、3所示， 优选在脱模膜的短边方向的中央部设置支承构件14'、14"。此外，在区域r的一部分设置支 承构件14时，有时在胶粘剂层12产生支承构件14的转印痕，但此时的转印痕在脱模膜11的 长边方向W直线状产生，因此在晶片贴合时即使在卷入孔隙的情况下也被贴合漉持平，从 而空隙被排出至标签外，因此与随机产生的标签痕迹不同，不会成为问题。
[0053] 此外，可W比图1所示更靠外侧、即直到与圆形标签部13a的在脱模膜11的短边方 向上的端部对应的部分附近为止包含区域r，但为了通过胶粘剂层12的厚度使得可W容易 地将在脱模膜11与圆形标签部13a之间产生的间隙中残留的空气(air)向圆形标签部13a的 外侧更快速地排出，优选不过度远离胶粘剂层12。
[0054] 脱模膜的短边方向的宽度只要为与区域r内相当的大小即可，没有特别限制，但优 选为10~50mm。
[0055] 支承构件14的厚度无需与胶粘剂层12与粘合膜13的圆形标签部13a的层叠部分、 与粘合膜13的周边部13b的高度差所相当的厚度、即胶粘剂层12相同更大，可W适当选择。 晶片加工用带10卷绕为卷筒状时，对存在支承构件14的部分施加压力，因此对不与支承构 件14接触的标签部分不施加压力，成为中空状态，因此可W不论胶粘剂层12的厚度地防止 标签痕迹。不过，也可W设置为与胶粘剂层12相同、或其W上的厚度。另外，如图3所示，也可 W设置层叠了薄的粘合带的支承构件14"。
[0056] 支承构件14可W沿脱模膜11的长边方向间断地或连续地设置，但从更有效地抑制 转印痕的产生的观点考虑，优选沿基材膜11的长边方向连续地设置。
[0057] 另外，支承构件14从防止晶片加工用带10的卷绕偏移的观点考虑，优选对粘合膜 13具有某种程度的摩擦系数的材质。由此，可W防止晶片加工用带10的卷绕偏移，得到可W 高速卷绕、使卷绕数增大的效果。
[005引支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数优选