用于顶部发光显示器装置的低液相线温度阻挡层、方法和设备的制作方法

专利名称：用于顶部发光显示器装置的低液相线温度阻挡层、方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及抑制氧气和湿气渗透和随之而来的装置或设备退化的方法。
背景技术：
氧气或湿气迁移通过层叠的或包封的材料，然后攻击内部材料，这是与发 光显示器装置，例如有机发光二级管显示器装置(OLED装置)有关的两种最 普遍的退化机理。如果釆取步骤最大程度减少氧气和/或湿气的渗透，这种器件 的工作寿命通常能大大增加。
延长这类装置的寿命已经作出的尝试包括除气、包封和广泛的装置密封技 术。用于密封装置，诸如OLED的普通技术包括使用环氧树脂和无机的和/或 有机的材料，这些材料通过曝露于热或紫外线而固化，从而形成密封。虽然这 种密封提供一定程度的密封性能，但是它们价格昂贵并且不能保证在长时间操 作中保持密封。
传统的OLED装置从装置的底部发光，要求发射的光通过多个可能具有不 同折射率的材料层。这种设计会产生光捕获现象，导致减小装置效率、亮度和 增加能耗。因此，需要改善显示器装置的操作效率、亮度和能耗，同时抑制氧 气和湿气的渗透。本发明能满足这一需要和其它需要。

发明内容
本发明涉及显示器装置，具体地涉及包括低液相线温度有机阻挡层的顶部 发光有机发光显示器装置。通过使用新型组合物和生产方法，本发明解决了至 少一部分上述问题。
在第一个方面，本发明提供抑制氧气和湿气渗透过顶部发光显示器装置的 方法，该方法包括以下步骤在顶部发光装置的至少一部分之上沉积低液相线 温度无机材料以便产生沉积的低液相线温度无机材料；任选地在基本上无氧气
和无湿气的环境中对沉积的低液相线温度无机材料进行热处理以形成低液相
线温度(LLT)阻挡层。
在第二个方面，本发明提供由本发明的方法生产的装置。
在第三个方面，本发明提供顶部发光显示器装置，其包括基板；至少一个
在基板上形成的有机电子层或光电子层；形成于至少一个有机电子层或光电子
层上的低液相线温度阻挡层，其中电子层或光电子层密封在低液相线温度阻挡
层和基板之间；设置在阻挡层上的一个覆盖玻璃。
本发明的其它方面一部分将在详细说明、附图和随后的权利要求中叙述，
一部分可从详细说明中得出，或者可以通过实施本发明来获知。应该理解，以
上的概述和随后的详细说明都仅仅是示例性和解释性的，不会对公开的发明构
成限制。
附图简述
附图被结合在本说明书中并构成说明书的一部分，附图显示说明了本发明 的某些方面，并与描述部分一起用于说明本发明的原理，而不构成限制。


图1是根据本发明的一个方面，在装置的至少一部份之上形成LLT阻挡 层的示例性方法的示意图。
图2是根据本发明的另一个方面，包括LLT阻挡层的示例性顶部发光装 置的示意图。
图3是根据本发明的另一个方面，包括LLT阻挡层和覆盖玻璃的示例性 顶部发光器件的示意图。
5发明详述
通过参考以下具体描述、实施例、权利要求、以及它们以前的和以后的描 述可以更容易地理解本发明。然而，在公开和描述当前装置和/或方法之前，应 该理解，除非另外指出，本发明不局限于公开的具体装置和/或方法，因此当然 能够变化。还应该理解，本文使用的术语仅出于说明具体方面的目的，无意加 以限制。
本文公开可以用于公开的方法和组合物、可以与之联合使用、可以用于其 制备、或者是它们的产品的材料、化合物、组合物和组分。这些和其它材料在 本文中公开，应该理解，当公开这些材料的组合、亚组、相互作用、类别等时， 虽然没有明确地公开各不同的单体和集体组合和这些化合物的排列的具体指 代，但是本文中具体设想和描述了其中的每一种情况。例如，如果公开了一类
组分A、 B和C以及一类组分D、 E和F，并且公开了组合分子的例子A-D， 那么即使没有一一单独列举，也单独地和总体地设想了每一种情况。因此，在 该例子中，组合A-E、 A-F、 B-D、 B-E、 B誦F、 C-D、 C-E和C-F中的每一种都 具体被考虑，应该认为由A、 B和C; D、 E和F;例子组合A-D的公开而公 开。类似地，它们的任何亚组或组合也被具体设想和公开。因此，例如，亚组 A-E、 B-F和C-E被具体考虑，并且应该认为由A、 B禾BC; D、 E和F;例子 组合A-D的公开而公开。这个概念应用于本公开的所有方面，包括但不限于制 备和使用公开的组合物的方法中的步骤。因此，如果存在可以被实施的其它步 骤，应该理解，这每一个其它步骤可以用公开的方法的任何具体实施方式
或实 施方式的组合来实施，每一种这类组合都被具体地设想并且应该认为是被公开 的。
本发明的以下说明是本发明目前已知实施方式的实施教导。为此，相关领 域的技术人员将认识并理解，可以对本文描述的发明的各个方面作许多改变， 而仍然可以获得本发明的有利结果。还有一点也很清楚，通过选择本发明的一 些特征而不利用其它的特征可以获得一些需要的本发明的有益之处。因此，本 领域的技术人员将认识到，对本发明可以进行许多修改和适应性变化，并且在 某些情况下甚至是希望这样做的，并且它们构成本发明的一部分。因此，以下 的描述作为本发明的构思的举例说明而不是它的限制来提供。在本说明书和随后的权利要求书中，我们将引用一些术语，它们被定义为 以下意义
如本文使用的，单数形式的"一个"、"一种"和"该"包括复数的指代对象， 除非上下文另外明确地指明。因此，比如，提及一种"低液相线温度无机材料" 包括具有两种或多种这类材料，除非上下文另外明确地指明。
"任选的"或"任选地"指随后描述的事件或状况能够发生或不发生，这种说 明包括事件或状况发生的情况和不发生的情况。例如，短语"任选地取代的组 分"指该组分能够被取代或能够不被取代，这种说明包括未取代的和取代的组 分。
本文中，范围可以表示为从"约"一个特定数值，和/或至"约"另一个特定数 值。当表达这种范围时，另一个方面包括从该具体数值和/或至另一个具体数值。 类似地，当通过使用先行词"约"将数值表示成近似值时，应该理解，该具体数 值就形成了另一个方面。还应该理解，每一个范围的端点无论与另一个端点关 联还是独立于另一个端点，都是意义的表示。
如本文使用的，除非相反地具体指出， 一个组分的"重量％"或"重量百分 率"或"以重量计百分率"指该组分的重量与包括该组分的组合物的总重的比 率，该比率表示为百分率。
如本文中使用的，除非相反地具体指出，术语"低液相线温度无机材料"、
"低液相线温度材料"和"LLT材料"指熔点(Tm)或玻璃化转变温度(Tg)低于约 100(TC的材料。
如本文中使用的，"起始"材料指将被沉积在装置上的材料。 如本文中使用的，"沉积的"材料指已经被沉积在装置或设备上的材料。 如本文中使用的，"阻挡层"指密封涂层，在本文中具体地是沉积的低液相 线温度无机材料，它已经被热处理至能有效形成密封的某一温度。
如以上简介的，本发明提供用于在顶部发光显示器装置上形成LLT阻挡 层的改进的方法。在以下具体叙述的其它方面中，本发明的方法包括使LLT 起始材料沉积在顶部发光显示器装置的至少一部份之上以形成沉积的LLT材 料，对该沉积的LLT材料进行热处理以除去瑕疵和/或孔并形成LLT阻挡层。LLT材料可以通过适合使LLT材料沉积到装置的至少一部分之上的任何 技术沉积到顶部发光显示器装置上。沉积可以包括例如以下方法中的至少一 种溅镀法、蒸发法、喷雾法、浇铸法、熔料沉积法、气相沉积法、浸涂法、 喷涂法、激光烧蚀法、共蒸发法、辊压法、旋涂法、辐射法或它们的组合。在 多个方面，沉积是热蒸发法、共蒸发法、激光烧蚀法、闪蒸法、气相沉积法或 电子束辐射法。LLT材料中的瑕疵和/或孔可以通过熔凝或热处理步骤除去以 便在装置上产生无孔的或基本上无孔的、氧气和湿气不可渗透的保护性涂层。 虽然许多沉积方法可处理普通玻璃(即具有高熔点的玻璃)，但是熔凝步骤仅 对LLT材料可行，其中固化温度足够低以免破坏装置中的内层。在一些方面， 沉积步骤和/或热处理步骤在真空中、惰性气氛中或环境条件中发生，这取决于 LLT材料的组成。
参考附图，图1的流程图说明在顶部发光装置上形成LLT阻挡层的示例 性方法100的步骤。以步骤110和120为起点，提供装置和LLT起始材料以 便在装置上形成所需的LLT阻挡层。在步骤130中，LLT起始材料通过例如 溅镀技术沉积在装置的至少一部份之上。根据具体的材料和沉积条件，沉积的 LLT材料可以包含孔并且可以仍然可以渗透氧气和湿气。在任选的步骤140中， 沉积的LLT材料可以被热处理至足以除去孔的温度，例如约等于沉积的LLT 材料的玻璃化转变温度的温度，形成密封或LLT阻挡层，这能够防止氧气和 湿气渗透入装置中。
该示例性方法的步骤不是限制性的，可以按多种顺序来实施。例如，步骤 110可以在步骤120之前、之后实施或同时实施。
顶部发光显示器装置
本发明的装置可以是任何顶部发光显示器装置，其中装置的至少一部分对 氧气和/或湿气敏感，例如有机电子器件，诸如有机发光二极管("OLED")。
OLED技术，包括有源矩阵OLED，可以提供各种优点，诸如改进的彩色 品质和亮度、减少生产和组装成本、比其它显示技术(诸如LCD)更小的器件 尺寸。OLED装置包含有机二极管，当施加电势时它会发光。传统OLED装置是 "底部发光"装置，其含有透明导电层，诸如氧化铟锡(ITO)，被优化用于将电子 空穴注射到发光材料中。在这类结构中，要求来自内部激发子复合区的光通过 多层材料，诸如电极、电子元件、晶体管和基板材料，它们可能具有不同的折 射率，可能产生光捕获现象。这种发射途径能导致OLED效率降低并因此会需 要更多的能量来运行该装置。
或者，顶部发光装置利用包埋有电子器件的有图案的层，通常位于底部基 板上。因此，顶部发光结构通过引导光离开底部基板，而不是如传统的底部发 光装置一般穿过底部基板，能提供提高的亮度。在根据本发明的示例性结构中， 被发射的光能穿过透明导电层和LLT阻挡层以及任选的覆盖在LLT阻挡层上 的覆盖玻璃，同时强度、透明度或图像品质不会有明显损失。这种结构能造成 更高的操作效率、亮度和更低的能耗。材料，诸如ITO可以用于覆盖玻璃和/ 或密封应用，但是会不利地影响装置的效率和亮度，因为ITO具有适合注入电 子空穴的功函数。本发明的阻挡层优选搭配具有以下性质的透明导电材料该 种导电材料具有更适合将电子注入发光层的功函数，实现改进性能和效率。
用于密封器件的其它传统技术，诸如使用吸气剂的环氧树脂密封不能供顶 部发光结构使用。熔料密封法通常导致在发光层和覆盖板之间产生空气间隙， 它也能引起光捕获现象。在一个方面，本发明提供位于发光层和玻璃覆盖板之 间的LLT阻挡层以便最大程度减少或消除装置内的空气间隙。在另一个方面， 本发明提供代替玻璃覆盖板的LLT阻挡层，其中阻挡层位于发光和透明导电 层上，由此消除或基本上消除装置内的任何潜在空气间隙。
在一个方面，装置是顶部发光OLED装置，其具有位于基板上的多个内层， 包括阴极和场致发光材料。基板可以是适合制造和密封装置的任何材料。在一 个方面，基板是玻璃。在另一个方面，基板可以是挠性材料。在一个方面，LLT 材料在有机场致发光材料沉积前沉积。
在另一个方面，装置是顶部发光显示器装置，其包括基板、如上所述的至 少一个有机电子层或光电子层、以及透明导电层。在另一个方面，装置上涂覆 有LLT阻挡层，其中有机电子层或光电子层和透明导电层被密封在基板和LLT 阻挡层之间。在另一个方面，通过沉积和热处理LLT材料产生这种密封。在另一个方面，装置的至少一部份用LLT材料密封。在另一个方面，在LLT材 料上提供覆盖玻璃。
再次参考附图，图2描绘了一种涂覆有LLT阻挡层的装置的示例性横截 面图。图2的示例性涂覆装置10包括基板40、对氧气和/或湿气敏感的光电子 和/或透明导电层20、 LLT阻挡层30，该阻挡层在光电子和/或透明导电层20 和环境氧气和湿气之间提供密封。
现在参考图3，图3描绘了一种用LLT阻挡层涂覆的装置的示例性横截面 图。图2的示例性涂覆的装置10包括基板40、对氧气和/或湿气敏感的光电子 和/或透明导电层20、 LLT阻挡层30，该阻挡层在光电子和/或透明导电层20 和环境氧气和湿气之间提供密封；覆盖玻璃50覆盖在LLT阻挡层30上。LLT 阻挡层30完全填充基板40和覆盖玻璃50之间的空间。
低液相线温度无机起始材料
在本发明中，低液相线温度无机材料的物理性质有助于密封的形成。在本 发明的一个方面，低液相线温度无机起始材料或LLT起始材料可以沉积在顶 部发光装置的至少一部份之上，沉积的材料随后可以在较低的温度下进行热处 理以获得无孔的或基本上无孔的阻挡层，同时不热破坏装置的内层。
本发明的LLT起始材料可包括适用于密封顶部发光显示器装置的至少一 部份的任何低液相线温度无机材料。在多个方面，LLT起始材料包括含磷酸锡 (tinphosphate)、氟磷酸锡、硫族化物、亚碲酸盐、硼酸盐、磷酸盐或它们的组 合。在一个具体的方面，LLT起始材料是氟磷酸锡材料，诸如代码870CHM玻 璃(来自康宁公司(Corning, Inc.),美国纽约州康宁)，其包含约20重量％至 约85重量％的Sn、约2重量％至约20重量％的P、约10重量％至约36重量 %的O、约10重量％至约36重量％的F和任选地约0重量％至约5重量％的 Nb，其中Sn、 P、 0和F的总和至少约为75重量X。具体的LLT起始材料可 以包含各种单独的化合物和/或氧化态。例如，含磷酸锡可以包含偏磷酸锡、正 磷酸一氢锡、正磷酸二氢锡、焦磷酸锡或它们的混合物。
在一个方面，LLT起始材料的玻璃化转变温度低于约1000°C、优选低于 约600°C、更优地低于约400'C或更优地低于约15(TC。在一个具体的方面，
10LLT起始材料的玻璃化转变温度是约18(TC。在另一个具体的方面，LLT起始 材料的玻璃化转变温度是约100'C。
可以理解，沉积的LLT材料的化学计量比会与LLT起始材料的化学计量 比不同。例如，焦磷酸锡的沉积能产生沉积的材料，其中磷的含量相对焦磷酸 锡减少或增加。
本发明的LLT材料可以是晶态的、无定形的、玻璃态的或它们的混合。 在一个方面，LLT起始材料可以包含至少一种晶状组分。在另一个方面，LLT 起始材料可以包含至少一种无定形组分。在另一个方面，LLT起始材料可以包 含至少一种玻璃态组分。
在一个方面，LLT起始材料是单种LLT材料，诸如氟磷酸锡、偏磷酸锡、 正磷酸一氢锡、正磷酸二氢锡或焦磷酸锡。在另一个方面，LLT起始材料可以 包含组分的混合物。在另一个方面，LLT起始材料可以包含玻璃，该玻璃通过 以下方式形成混合至少两种LLT材料、加热材料以便使它们熔合、使所得 混合物淬火以形成玻璃。
LLT起始材料还可以包含添加剂、掺杂剂和/或其它低液相线温度材料。 添加剂和/或掺杂剂可以用于调节LLT起始材料、沉积的LLT材料、LLT阻挡 层以及它们的组合的性质，诸如透明度、折射率、热膨胀系数、溶解度、湿润 性、密度或抗划痕性。LLT掺杂剂可以包括例如P205、 BP04、 PbF2以便调整 LLT材料的折射率。还可以用添加剂来调整LLT阻挡层的透明度，诸如将磷 酸盐化合物加入包含氧化锡的LLT材料。
掺杂剂和/或添加剂材料的添加量可以是足以达到所需结果的任何量，前提 是要能够维持阻挡层的LLT特征。掺杂剂和添加剂材料是已知的，本领域的 技术人员能够容易地选择合适的掺杂剂和/或添加剂材料。
在一个方面，LLT起始材料包含含铌化合物。在另一个方面，LLT起始材 料包含氧化铌，其量为大于0至约10重量％、优选大于0至约5重量％、更 优地为约1重量％。
LLT起始材料可从例如阿法埃沙(Alfa Aesar)，美国马萨诸塞州沃德海尔市 (Ward Hill)购买。本领域的普通技术人员应该能容易地选择合适的LLT起始材 料。
11LLT起始材料的沉积
在本发明中，LLT起始材料可以通过用来产生LLT阻挡层的任何合适的 方法沉积到装置的至少一部份之上。示例性的沉积方法可以包括溅镀法、蒸发 法、喷雾法、浇铸法、熔料沉积法、气相沉积法、浸涂法、喷涂法、激光烧蚀 法、共蒸发法、辊压法、旋涂法、辐射法或它们的组合。在多个方面，沉积是 溅镀法、热蒸发法、共蒸发法、激光烧蚀法、闪蒸法、气相沉积法或电子束辐 射法。本发明的沉积步骤不限于任何具体的方法、仪器或几何设计。
LLT起始材料的沉积可以在惰性气氛中实施以便确保在沉积和密封过程 中维持基本上无氧气和湿气的条件。除非待涂覆的顶部发光装置的性质需要， 沉积和/或热处理环境不必完全无氧气或湿气，所以，环境可以无或基本上无氧 气和湿气。
具体的沉积条件(例如功率、沉积速度等)可以根据沉积方法和待沉积的 具体的LLT起始材料而变化。沉积系统可从例如库尔特.吉.赖斯克公司(Kurt J. Lesker Company),美国宾夕法尼亚州克莱顿市(Clairton)购买。本领域的普通技 术人员能够容易地选择沉积系统和沉积LLT起始材料所需的操作条件。
在一个方面，可以在基板的至少一部份上沉积单层LLT材料。在另一个 方面，可以在位于基板顶部的一个或多个内层上沉积多层相同的或不同类型的 LLT材料。
在另一个方面，沉积的LLT材料可以包含其它材料以便提供改善的强度 或抗渗透性，或改变装置的光学性质和/或电气性质。这些材料可以与LLT起 始材料一起蒸发。在一个方面，沉积的LLT材料可以含有铌，例如氧化铌形 式的铌。在一个方面，沉积的LLT材料可以包含P20s掺杂剂。添加剂(诸如 氧化铌)和掺杂剂可从市场上购买(例如阿法埃沙(AlfaAesar)，美国马萨诸塞 州沃德海尔市(Ward Hill))，本领域的普通技术人员能容易地选择合适的附加 材料，诸如氧化铌。
LLT阻挡层的热处理和形成
可以采用任选的热处理或退火步骤以便最大程度减少沉积的LLT材料层 中的瑕疵和孔，使得形成密封或LLT阻挡层。在一个方面，LLT阻挡层沉积时无针孔和孔或基本上无针孔，无需任何随后的热处理就形成基本上密封的屏
障。在另一个方面，沉积的LLT屏障随后进行热处理以便除去任何针孔或孔， 以便热处理的LLT阻挡层无针孔和孔，或基本上无针孔。保留在已热处理的 LLT阻挡层中的孔的数量和/或尺寸应该足够低，以便防止氧气和湿气渗透。 在一个方面，热处理可以在真空下进行。在另一个方面，热处理步骤可以在惰 性气氛中进行。应该领会，热处理步骤可以在进行沉积步骤的相同体系中，在 沉积步骤之后不久进行，或者在单独的时间和地点进行，只要维持环境条件以 便防止氧气和湿气侵入装置。
本发明的热处理步骤包括加热其上沉积了 LLT材料的装置。在一个方面， 对装置和沉积的LLT材料所施加的温度约等于沉积的LLT材料的玻璃化转变 温度Tg。在另一个方面，对装置和沉积的LLT材料所施加的温度在沉积的LLT 材料的玻璃化转变温度Tg的约5(TC之内。在另一个方面，对装置和沉积的LLT 材料所施加的温度是约200。C至约35(TC，例如200、 225、 250、 275、 300、 325 或350°C 。在另一个方面，对装置和沉积的LLT材料所施加的温度是约250°C 至约27(TC。应该领会，对装置和沉积的LLT材料施加的理想时间和温度将根 据诸如沉积的LLT材料的组成、待密封的组件的工作温度范围和所需的密封 厚度和渗透性之类的因素而变化。热处理步骤可以通过任何加热装置来实施， 所述加热装置能达到所需的温度并且保持基本上无氧气和湿气的环境。热处理 步骤的时间和温度取决于装置退化的启动，而装置退化的启动取决于装置的尺 寸和构成材料。在一个方面，热处理步骤包括用位于真空淀积室内的红外线灯 加热装置。在另一个方面，热处理步骤包括提高淀积室和/或位于淀积室内的基 片座的温度，其中装置位于所述淀积室内。热处理步骤可以与沉积步骤分开实 施，只要保持基本上无氧气和湿气的环境。优选热处理条件足以使所得装置满 足所需的性能标准，诸如以下所述的钙斑点试验。本领域的普通技术人员能够 容易地选择合适的热处理条件以便形成密封的同时不破坏装置。
LLT阻挡层的厚度可以是提供所需密封要求的任何厚度。在一个方面，LLT 阻挡层约1微米厚。在另一个方面，LLT阻挡层约2.5微米厚。在一个方面，LLT阻挡层至少基本上对装置发射的或吸收的辐射透明。在 另一个方面，LLT阻挡层至少基本上对可见光透明。在另一个方面，LLT阻挡 层是透明的并且不会吸收顶部发光显示器装置发出的光。
LLT阻挡层的折射率可以使用添加剂来调节以使其基本上与光路中其它 装置部件的折射率类似。在一个方面，LLT阻挡层的折射率基本上类似于玻璃 覆盖板。在多个方面，基本上类似的折射率可以是在其它装置部件的约0.5， 诸如约0.5、 0.4、 0.3、 0.2、 0.1或0.05以内；约0.2，例如0,2、 0.1、 0.08、 0.05 或0.02以内；或约O.l，例如约O.l、 0.08、 0.05、 0.03、 0.02或0.01以内。在 另一个方面，LLT阻挡层和其它装置部件的折射率的差异可以大于约0.5。
本发明的LLT阻挡层还可以具有与其它装置部件基本上类似的热膨胀系 数。在一个方面，LLT阻挡层的热膨胀系数类似于或基本上类似于铜的热膨胀 系数。
阻挡层的评估
可以使用多种方法来评估LLT阻挡层的密封度，以便测试LLT阻挡层对 氧气和/或湿气的密封度。在一个方面，可以使用钙斑点试验来评估LLT阻挡 层，其中一层薄的钙膜被沉积到基板上。然后形成LLT阻挡层，将钙膜密封 在LLT阻挡层与基板之间。然后在所选的温度和湿度，例如85"C和85X相对 湿度下使所得器件经受环境老化。如果氧气和/或湿气渗透过LLT阻挡层，那 么高反射性的钙膜会反应，产生容易辨认的不透明白色外皮。在显示器工业中 通常认为，在85匸和85%相对湿度的环境中如果通过约1000个小时的钙斑点 试验，那么表示密封层能预防氧气和水渗透至少约5年。
为了进一步说明本发明的构思，我们提出以下的实施例以便向本领域的普 通技术人员提供关于如何操作和评估本文要求保护的器件和方法的完整公开 和说明。这些实施例纯粹是对本发明的举例，无意限制发明人所称发明的范围。 我们力图确保数字(比如量、温度等)的准确，但是可能会存在一些误差和偏 差。除非另外指出，百分率是重量百分率，温度是"C或环境温度。工艺操作条 件有多种变化和组合，例如组分浓度、温度、压力以及可以用于优化由所述工艺获得的产品纯度和性能的其它反应范围和条件。仅仅需要合理的和常规的实 验来优化这种工艺操作条件。
实施例1-加速的钙斑点试验
在第一个实施例中，制备钙斑点试验器件。试验器件由康宁1737玻璃基 板(约1毫米厚和2.5平方英寸)组成，其上沉积了 100纳米厚的钙膜(约1 英寸x0.5英寸)，其上又沉积了 200纳米厚的铝层(约l英寸x0.5英寸)。把 试验器件固定在真空沉积室内的可移动的平板上。
随后用沉积的LLT材料密封钙斑点试验器件，如表1中详述的。然后使 密封的器件曝露于一定条件下，该条件被设计成模拟器件(诸如OLED)的长 期操作。加速老化的工业标准条件要求器件能在85'C和85%相对湿度的环境 中经得起1000小时的考验。一旦由于经过LLT层的渗透而曝露于湿气或氧气， 钙就发生反应并且从高反射性膜转变为不透明白色外皮。以规律的时间间隔获 得光学照片，以便对测试器件的进展进行定量，由此确定LLT层的密封强度。 以下表1详述了如以上实施例中制备的器件的钙斑点实验。
表1-钙斑点加速老化试验
样品 起始LLT材料 热处理老化试验
实施例A 870CHM (溅镀) 120 。C > 1000小时
实施例B Sn2P207 (从鸨舟蒸发)270 °C > 1000小时
实施例C 870CHP (溅镀) 120 °C > 1000小时
测试表1中的数据说明，低温材料能产生能够直的顶部发光显示器装置的 密封阻挡层。
在整个申请中引用了多个出版物。这些出版物以其整体的公开通过引用结 合于本申请中，以便更完整地说明本文所述的化合物、组合物和方法。
对于本文所述的化合物、组合物和方法可以做多种修改和变化。通过考虑 说明书和实施本文所述的化合物、组合物和方法，将明白本文所述的化合物、 组合物和方法的其它方面。我们希望说明和实施例被视为是示例性的。
权利要求
1.一种抑制氧气和湿气渗透过顶部发光显示器装置的方法，该方法包括以下步骤a.提供一个基板，其上形成至少一个有机电子层或光电子层；b.在基本上无氧气和无湿气的环境中在该至少一个有机电子层或光电子层的至少一部分上沉积低液相线温度LLT无机材料，从而在显示器装置上形成LLT无机阻挡层；和c.将玻璃覆盖板设置在LLT无机阻挡层上。
2. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，所述低液相线温度无机材 料包括含磷酸锡材料、氟磷酸锡或它们的组合。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LLT无机材料的液 相线温度低于约60(TC。
4. 如权利要求1所述方法，其特征在于，所述LLT无机材料基本上 透明。
5. 如权利要求1所述方法，其特征在于，所述LLT无机材料包含掺杂剂。
6. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述LLT无机材料的折 射率基本上与玻璃覆盖板的折射率类似。
7. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过进行所述沉积和设置 的步骤，使得在装置的显示器区域上，LLT无机材料和玻璃覆盖板之间基 本上没有空气间隙。
8. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，沉积包括以下方法中的至 少一种溅镀法、蒸发法、喷雾法、浇铸法、熔料沉积法、气相沉积法、 浸涂法、喷涂法、激光烧蚀法、共蒸发法、辊压法、旋涂法、辐射法或它 们的组合。
9. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，热处理在真空或惰性环境 中并在不破坏装置中的部件的温度下实施。
10. 通过权利要求1的方法生产的装置。
11. 一种顶部发光显示器装置，其包括 基板；至少一个有机电子层或光电子层；和低液相线温度无机阻挡层，其中，所述电子层或光电子层被密封在低液相 线温度无机阻挡层和基板之间；和其中，所述至少一个有机电子层或光电子层和所述低液相线温度无机阻挡 层位于顶部发光结构中。
12. 如权利要求11所述的顶部发光显示器装置，其特征在于，所述低 液相线温度无机阻挡层包括含磷酸锡材料、氟磷酸锡材料或它们的组合。
13. 如权利要求ll所述的顶部发光显示器装置，其特征在于，所述低 液相线温度无机阻挡层的液相线温度低于约600°C。
14. 如权利要求ll所述的顶部发光显示器装置，其特征在于，所述低 液相线温度无机阻挡层基本上是透明的。
15. 如权利要求ll所述的顶部发光显示器装置，其特征在于，所述低 液相线温度无机阻挡层包含掺杂剂。
16. 如权利要求ll所述的顶部发光显示器装置，还包括位于所述装置 的至少一部份之上的玻璃覆盖板。
17. 如权利要求16所述的顶部发光显示器装置，其特征在于，所述低 液相线温度无机阻挡层的折射率基本上与玻璃覆盖板的折射率类似。
18. 如权利要求16所述的顶部发光显示器装置，其特征在于，装置在 所述低液相线温度无机阻挡层和玻璃覆盖板之间基本上没有空气间隙。
全文摘要
公开了一种抑制氧气和湿气渗透顶部发光显示器装置的方法，该方法包括在顶部发光装置的至少一部份之上沉积低液相线温度(LLT)无机材料以便产生沉积的LLT材料，任选地在基本上无氧气和湿气的环境中对沉积的LLT材料进行热处理以形成LLT阻挡层，任选地将覆盖玻璃放置在LLT阻挡层上。还公开了一种顶部发光显示器装置，其包括基板、至少一个电子层或光电子层、LLT阻挡层和在LLT阻挡层上的一个任选的覆盖玻璃，其中，电子层或光电子层被密封在LLT阻挡层和基板之间。
文档编号H05B33/04GK101682949SQ200880016762
公开日2010年3月24日 申请日期2008年5月21日 优先权日2007年5月22日
发明者M·A·凯斯达 申请人:康宁股份有限公司