发光控制电路及应用发光控制电路的腕力训练球的制作方法

文档序号:8147250阅读:234来源:国知局
专利名称:发光控制电路及应用发光控制电路的腕力训练球的制作方法
技术领域
发光控制电路及应用发光控制电路的腕力训练球技术领域[0001]本实用新型涉及一种发光控制电路,特别涉及一种运用在腕力训练球上的发光 控制电路。
背景技术
[0002]腕力训练球(如美国第4150580号专利案所揭露)是应用陀螺仪原理,并利用离 心力和惯性作用在旋转时所产生的强大的力量,以手掌握持而转动球体,使手臂、手腕 运动。腕力训练球广泛使用于腕力锻炼的场合,特别是针对手指的抓力,手腕的耐力和 前臂,二头肌,三头肌,韧带以及肩部的肌力进行锻炼。[0003]为了进一步增加腕力训练球在使用上的趣味性,可在腕力训练球上设置可发出 光线的发光二极管。腕力训练球上设置线圈与磁铁,借由腕力训练球的转动而改变磁铁 的磁场,进而使线圈产生电能,供应发光二极管所需的发光电能。另外,为了增加发光 的多样性,传统的方法可将一可程序化控制器(Programmable Controller)或是微处理器 (microprocessor)连接多个不同颜色的发光二极管,将特定的程序写入控制器中,借由逻 辑程序的驱动,进而控制发光二极管间歇性的发亮或是熄灭,产生多样的发光变化(如 美国第7101315号专利案所揭露)。[0004]然而,多颗发光二极管与控制器皆为电路上的负载。负载越多,电阻值越大, 也就使得发光二极管的亮度越小。此外,控制器本身需要相当的电量供应才可以运作。 也就是说,由感应线圈所产生的电量,将有大部分需供应控制器,更使得发光二极管发 出光线的亮度越小,使得所呈现的光线效果不佳。[0005]此外,可程序化控制器或是微处理器,其相较于一般的被动组件成本较高,如 采用可程序化控制器或是微处理器将会使腕力训练球的制造成本大幅的上升。[0006]因此,为提供腕力训练球具有多样的发光闪烁变化,采用了可程序化控制器或 是微处理器将牺牲发光二极管的发光强度或是导致成本的增加。实用新型内容[0007]现有腕力训练球的发光方式,若采用可程序化控制器或是微处理器来控制多个 发光二极管间歇性的发亮或是熄灭,将使得成本增加甚而降低发光强度。有鉴于此,本 实用新型提出了一种应用于腕力训练球的发光控制电路及应用发光控制电路的腕力训练 球。[0008]根据本实用新型所揭露的发光控制电路,用以接收一电压源,该发光控制电路 包括[0009]一第一晶体管,具有一第一晶体管第一端、一第一晶体管第二端以及一第一晶 体管控制端;[0010]一第二晶体管,具有一第二晶体管第一端、一第二晶体管第二端以及一第二晶 体管控制端,该第二晶体管第一端接收该电压源,该第二晶体管第二端电性连接至该第一晶体管控制端;[0011]一第一电阻,具有一第一电阻第一端与一第一电阻第二端,该第一电阻第一端 接收该电压源,该第一电阻第二端电性连接至该第一晶体管第一端;[0012]一第二电阻,具有一第二电阻第一端与一第二电阻第二端,该第二电阻第一端 接收该电压源,该第二电阻第二端电性连接该第二晶体管控制端;[0013]一第三电阻,具有一第三电阻第一端与一第三电阻第二端,该第三电阻第一端 电性连接至该第二晶体管第二端与该第一晶体管控制端,该第三电阻第二端接地;[0014]一第一发光二极管,具有一第一阳极以及一第一阴极,该第一阳极电性连接至 该第一晶体管第二端,该第一阴极接地;以及[0015]一第二发光二极管,具有一第二阳极以及一第二阴极,该第二阳极电性连接至 该第二晶体管第二端与该第二晶体管控制端,该第二阴极接地,其中该第二发光二极管 的一正向偏压大于该第一发光二极管的正向偏压;[0016]其中,当该电压源的一电压值大于一第一临界值时,该第一发光二极管导通, 当该电压值大于一第二临界值时,该第一发光二极管与该第二发光二极管同时导通,该 电压值大于一第三临界值时,该第一发光二极管不导通,且该电压值瞬间上升。[0017]上述的发光控制电路,其中,在该电压值大于该第三临界值后,且在该电压值 下降并小于一第四临界值时,该第二发光二极管不导通,且该第一发光二极管导通。[0018]上述的发光控制电路,其中,该第一晶体管以及该第二晶体管为一 PNP型双极 接面晶体管,该第一晶体管第一端为一第一射极,该第一晶体管第二端为一第一集极, 该第一晶体管控制端为一第一基极,该第二晶体管第一端为一第二射极,该第二晶体管 第二端为一第二集极,该第二晶体管控制端为一第二基极。[0019]上述的发光控制电路,其中,该第一晶体管以及该第二晶体管为一 P型金属氧 化层半导体,该第一晶体管第一端为一第一源极,该第一晶体管第二端为一第一漏极, 该第一晶体管控制端为一第一栅极,该第二晶体管第一端为一第二源极,该第二晶体管 第二端为一第二漏极,该第二晶体管控制端为一第二栅极。[0020]上述的发光控制电路,其中,该第二电阻为一可变电阻,该可变电阻用以调整该第三临界值。[0021]根据本实用新型所揭露的应用发光控制电路的腕力训练球,包括[0022]一外壳,固定有一磁性组件;以及[0023]一旋转体,该旋转体位于该外壳内,该旋转体包括一发光装置,该发光装置包 括[0024]一电能产生电路,包括[0025]一感应线圈,用以接收一感应电压;以及[0026]一整流滤波电路,用以将该感应电压转换成一输出电压;以及[0027]—发光控制电路,用以接收该输出电压,该发光控制电路包括[0028]一第一晶体管,具有一第一晶体管第一端、一第一晶体管第二端以及一第一晶 体管控制端;[0029]一第二晶体管,具有一第二晶体管第一端、一第二晶体管第二端以及一第二晶 体管控制端,该第二晶体管第一端接收该输出电压,该第二晶体管第二端电性连接至该5第一晶体管控制端;[0030]一第一电阻,具有一第一电阻第一端与一第一电阻第二端,该第一电阻第一端 接收该输出电压,该第一电阻第二端电性连接至该第一晶体管第一端;[0031]一第二电阻,具有一第二电阻第一端与一第二电阻第二端,该第二电阻第一端 接收该输出电压,该第二电阻第二端电性连接该第二晶体管控制端;[0032]一第三电阻,具有一第三电阻第一端与一第三电阻第二端,该第三电阻第一端 电性连接至第二晶体管第二端与该第一晶体管控制端,该第三电阻第二端接地;[0033]一第一发光二极管,具有一第一阳极以及一第一阴极,该第一阳极电性连接至 该第一晶体管第二端,该第一阴极接地;以及[0034]一第二发光二极管,具有一第二阳极以及一第二阴极,该第二阳极电性连接至 该第二晶体管第二端与该第二晶体管控制端,该第二阴极接地,其中该第二发光二极管 的一正向偏压大于该第一发光二极管的正向偏压;[0035]其中,当该输出电压的一输出电压值大于一第一临界值时,该第一发光二极管 导通,当该输出电压值大于一第二临界值时,该第一发光二极管与该第二发光二极管同 时导通,该输出电压值大于一第三临界值时,该第一发光二极管不导通,且该输出电压 瞬间上升。[0036]上述的应用发光控制电路的腕力训练球,其中,在该电压值大于该第三临界值 后,且在该电压值下降并小于一第四临界值时,该第二发光二极管不导通,且该第一发 光二极管导通。[0037]上述的应用发光控制电路的腕力训练球,其中,该第一晶体管以及该第二晶体 管为一 PNP型双极接面晶体管,该第一晶体管第一端为一第一射极,该第一晶体管第二 端为一第一集极,该第一晶体管控制端为一第一基极,该第二晶体管第一端为一第二射 极,该第二晶体管第二端为一第二集极,该第二晶体管控制端为一第二基极。[0038]上述的应用发光控制电路的腕力训练球,其中,该第一晶体管以及该第二晶体 管为一 P型金属氧化层半导体,该第一晶体管第一端为一第一源极,该第一晶体管第二 端为一第一漏极,该第一晶体管控制端为一第一栅极,该第二晶体管第一端为一第二源 极,该第二晶体管第二端为一第二漏极,该第二晶体管控制端为一第二栅极。[0039]上述的应用发光控制电路的腕力训练球,其中,该第二电阻为一可变电阻,该 可变电阻用以调整该第三临界值。[0040]本实用新型的功效在于,所揭露的应用发光控制电路的腕力训练球,发光控制 电路设置在球体内发光控制电路所接收的电压为腕力训练球的电能产生电路所产生,电 能产生电路的电压值是根据旋转腕力训练球的转速而改变,以分别使得第一发光组件与 第二发光组件可组成三种发光态样来对应初阶转速、中阶转速及高阶转速,以表示使用 者旋转腕力训练球的转速级距。并且,借由本实用新型可有效减低发光控制电路的成 本,以及减少发光控制电路的负载,借以提高发光二极管光线的亮度。[0041]
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述,但不作为对本实用新 型的限定。


其中,附图标记[0057]100发光控制电路[0058]112 第— 晶体管[0059]11 第--射极[0060]既第--集极[0061]IlZb 第--基极[0062]11 第--源极[0063]112d 第--漏极[0064]112g 第--栅极[0065]114 第二.晶体管[0066]IHe 第:二射极[0067]IHc 第:二集极[0068]114b 第:二基极[0069]114s 第:二源极[0070]114d 第:二漏极[0071]IHg 第:二栅极[0072]122 第—1电阻[0073]12 第--电阻第-[0074]12 第-一电阻第二[0075]1 第二.电阻[0076]IMa 第二二电阻第-[0077]1Mb 第:二电阻第二[0078]1 第三.电阻[0079]口虹第iΞ电阻第-端端 端端 端[0080]126b第三电阻第二端[0081]132第一发光二极管[0082]132,第一发光二极管[0083]132”第一发光二极管[0084]13 第一阳极[0085]132a,第一阳极[0086]132a"第一阳极[0087]132b 第一阴极[0088]132b,第一阴极[0089]132b” 第一阴极[0090]134第二发光二极管[0091]134’第二发光二极管[0092]134”第二发光二极管[0093]134a 第二阳极[0094]134a,第二阳极[0095]134a,,第二阳极[0096]134b 第二阴极[0097]134b,第二阴极[0098]134b” 第二阴极[0099]200电能产生电路[0100]211感应线圈[0101]211,感应线圈[0102]221整流二极管[0103]222整流二极管[0104]223整流二极管[0105]2M整流二极管[0106]231滤波电容[0107]232滤波电阻[0108]300腕力训练球[0109]310夕卜壳[0110]320上壳体[0111]330下壳体[0112]340夕卜环[0113]342转轴孔[0114]344磁性组件[0115]350旋转体[0116]352 转轴[0117]360电路板[0118]Vcc 电压[0119]SA初阶转速[0120]SB中阶转速[0121]Sc高阶转速[0122]Va第一临界值[0123]VB第二临界值[0124]Vc第三临界值[0125]Vd第四临界值具体实施方式
[0126]以下在实施方式中详细叙述本实用新型的详细特征以及优点,其内容足以使任何 本领域技术人员了解本实用新型的技术内容并据以实施,且根据本说明书所揭露的内容、 权利要求范围及图式,任何本领域技术人员可轻易地理解本实用新型相关的目的及优点。[0127]请参照图1A,是为发光控制电路的第一实施例的等效电路图。发光控制电路 100包括第一晶体管112、第二晶体管114第一电阻122、第二电阻124、第三电阻126、 第一发光二极管132与第二发光二极管134。发光控制电路100接收电压VCC,并根据 电压VCC的电压值决定第一发光二极管132与第二发光二极管134导通与否。[0128]第一晶体管112具有第一晶体管第一端、第一晶体管第二端以及第一晶体管控 制端,第二晶体管具有一第二晶体管第一端、第二晶体管第二端与第二晶体管控制端。 在此实施例中,第一晶体管112可为PNP型双极接面晶体管(bipolar junction transistor, BJT),第一晶体管第一端是为第一射极(Emitter) 11 ,第一晶体管第二端是为第一集极 (Collector) 112c,且第一晶体管控制端是为第一基极(Base) 112b。第二晶体管第一端是 为第二射极lHe,第二晶体管第二端是为第二集极114c,且第二晶体控制端是为第二基 极 114b。[0129]第一电阻122具有第一电阻第一端12 与第一电阻第二端122b,第二电阻124 具有第二电阻第一端12如与第二电阻第二端124b,且第三电阻1 具有第三电阻第一端 12 与第三电阻第二端12冊。[0130]第一发光二极管132具有第一阳极13 与第一阴极13 ,且第二发光二极管134 具有第二阳极134a与第二阴极134b。当第一阳极13 与第一阴极132b之间的电压差大 于第一发光二极管132的正向偏压时,此第一发光二极管132即会被导通。第二发光二 极管134亦具有相同的现象。第一发光二极管132与第二发光二极管134被导通时可发 出不同颜色的光线,且第二发光二极管134的正向偏压大于第一发光二极管132的正向偏 压。举例而言,第一发光二极管132可发出红光,且第二发光二极管134可发出蓝光。 除了上述的颜色之外,第一发光二极管132与第二发光二极管134亦可发出其它颜色的光 线,比如说第一发光二极管132发出橙光且第二发光二极管134发出白光。换言之,只 要第二发光二极管134的正向偏压大于第一发光二极管132的正向偏压即为本实用新型的 范围。[0131]第一电阻122的第一电阻第一端12&、第二电阻124的第一端124a用以接收电 压 VCC。[0132]第一射极11 电性连接至第一电阻第二端122b,第一基极112b电性连接至第三电阻126,且第一集极11 电性连接至第一发光二极管132。[0133]第二射极114e用以接收电压VCC,第二基极114b电性连接至第二电阻124的第 二端124b与第二发光二极管134,且第二集极IHc电性连接至第一基极11 与第三电阻 第一端126a。[0134]第一阴极132b、第二阴极134b与第三电阻第二端126b接地。[0135]电压VCC小于第一临界值时,第一发光二极管132与第二发光二极管134皆不 会导通。而在当电压VCC超过第一临界值时,以使电压VCC足以导通第一发光二极管 132,第一发光二极管132将会发出红光。此第一临界值大约等于第一发光二极管132的 正向偏压加上第一射极11 与第一集极11 之间的跨压再加上第一电阻122的跨压。[0136]当电压VCC继续上升并超过第二临界值时,也就是电压VCC足以导通第二发光 二极管134时,第二发光二极管134将会发出蓝光,且第一发光二极管132仍然会保持发 出红光。此时的电压VCC大约等于第二电阻124的跨压加上第二发光二极管134的正向 偏压。[0137]当电压VCC不断升高且超过第三临界值时,也就是第二电阻124的跨压大于第 二晶体管114的临界电压时,第二晶体管114将会被导通。此时,电流将会经由第二晶 体管114流至第三电阻126,使得第三电阻126两端的跨压大幅的升高,也就是使得第一 晶体管112的第一射极11 与第一基极11 之间的电压大幅的降低。因此,第一晶体 管112将会被截断。此时,第二发光二极管134会继续保持发亮,但第一发光二极管132 将不再被导通。换言之,只有第二发光二极管134会单独发出蓝光。[0138]而当第一发光二极管132不再被导通时,发光控制电路100的负载将会降低,将 会第二发光二极管134会更亮。[0139]请参照图1B,是为发光控制电路的第二实施例的等效电路图。虽然上述的结构 中,只有一个第一发光二极管132与一个第二发光二极管134,但本实用新型并不以此为 限。为了增加发光的亮度或是设计上的美观,第一发光二极管132与第二发光二极管134 设置的数目可以增加。二个第一发光二极管132、132’可以并联连接。第一发光二极 管132、132’的第一阳极13&、132a’共同联接至第一集极112c,且第一发光二极管 132、132,的第一阴极132b、132b,共同接地。二个第二发光二极管134、134,亦可 并联连接。第二发光二极管134、134’的第二阳极134a、134a’共同联接至第二电阻 第二端124b,且第二发光二极管134、134’的第二阴极134b、134b,共同接地。[0140]请参照图1C,是为发光控制电路的第三实施例的等效电路图。除了上述的连接 方式之外,本领域技术人员,可依照本实用新型的精神,连接更多的第一发光二极管132 与第二发光二极管134。三个第一发光二极管132、132,、132”可以并联连接。第 一发光二极管132、132’、132”的第一阳极13&、132a’、132a"共同联接至第一集 极11 ,且第一发光二极管132、132,、132”的第一阴极132b、132b,、132b”共同 接地。三个第二发光二极管134、134,、134”亦可并联连接。第二发光二极管134、 134,、134"的第二阳极134a、134a'、134a”共同联接至第二电阻第二端124b,且第 二发光二极管134、134,、134"的第二阴极134b、134b,、134b”共同接地。[0141]请配合参照图1D,是为发光控制电路的第四实施例的等效电路图。虽然第 一晶体管112与第二晶体管114为PNP型双极接面晶体管(Bipolar JunctionTransistor,BJT),但本领域技术人员可根据本实施例的精神,以P型金属氧化层半导体(Metal Oxide Semiconductor, MOS)取代PNP型双极接面晶体管。在此实施例中,是以P型金属氧化 层半导体取代PNP型双极接面晶体管。也就是第一源极Source) 112s等同于第一射极 112e>第一栅极(Gate) 112g等同于第一基极112b,且第一漏极(Drain) 112d等同于第一 集极11北。同样地,第二源极114s等同于第二射极114e、第二栅极114g等同于第二基 极114b,且第二漏极114d等同于第二集极lHc。除此之外,此发光控制电路100其它 的组件皆与图IA相同。图IB与图IC同样亦可以此方法做替代。[0142]请配合参照图1E,是为发光控制电路的第五实施例的等效电路图。在此实施例 中,第二电阻1 可为可变电阻。借由改变可变电阻的电阻值,第三临界值可被调整。 当可变电阻的电阻值越小时,需要越高的电压VCC才能使第二晶体管114被导通,也就 是第三临界值会越高。相反地,当可变电阻的电阻值越大时,第三临界值会越低。第三 临界值越高,即代表需要越高的转速才能使第二发光二极管134单独发出蓝光。也就是 说,使用者可借由调整可变电阻的高低,以改变发出蓝光时的门坎高低。此可变电阻可 以适用于图IA至图ID的任何一个实施例。[0143]根据本实用新型所揭露的发光控制电路100,是可根据电压VCC电压值的高 低,而决定第一发光二极管132与第二发光二极管134发亮与否。发光控制电路100即 可取代现有技术的可程序化控制器或是微处理器。此外,发光控制电路100只需要使用 二个晶体管(BJT或是MOS)与三个电阻。因此,发光控制电路100的成本将可远低于现 有技术的可程序化控制器或是微处理器的成本。又因为使发光控制电路100使用的组件 极少,其电量损耗也会远低于现有技术的可程序化控制器或是微处理器的电量耗损。当 在输入的电源供应保持相同时,本实用新型的发光控制电路100所驱动的发光二极管发 出光线的亮度会远高于可程序化控制器或是微处理器所驱动的发光二极管的亮度。[0144]请参照图2A,是为电能产生电路的第一实施例的等效电路图。此电能产生电路 200包括感应线圈211与整流滤波电路。整流滤波电路包括整流二极管221与滤波电容 231。[0145]感应线圈211可为一电感。当感应线圈211与一磁性组件(比如说磁铁)之间 产生有相对运动时,因为感应线圈211所接受到的磁场会产生改变,因而使感应线圈211 产生感应电压。当感应线圈211改变的磁场为正弦函数时,此感应电压为一交流电压。[0146]整流二极管221用以将交流电压转换成直流电压。在此实施例中,只由单一个 整流二极管221所组成时,此电路可称之为半波整流器。[0147]本领域技术人员,可用全波整流器取代上述的半波整流器。请参照图2B,是为 电能产生电路的第二实施例的等效电路图。此实施例中,电能产生电路200包括四个整 流二极管221、222、223、224。当感应电压为正电压时,电流会通过整流二极管221、 224与滤波电容231。而当感应电压为负电压时,电流会通过整流二极管222、223与滤 波电容231。[0148]此外,中央抽头整流器亦可用以取代半波整流器。请参照图2C,是为电能产生 电路的第三实施例的等效电路图。此电能产生电路200包括二个整流二极管221、222。 当感应电压为正电压时,感应线圈211上半端所产生电流会通过整流二极管221与滤波电 容231。而当感应电压为负电压时,感应线圈211下半端所产生电流会通过整流二极管222与滤波电容231。[0149]请参照图2D,是为电能产生电路的第四实施例的等效电路图。虽然在图2A、 图2B与图2C中所述的电能产生电路200只包括滤波电容231。本领域技术人员,可并 联滤波电阻232与滤波电容231,以达到更好的滤波效果。[0150]借由上述的感应线圈211、整流二极管221与滤波电容231,电能产生电路200 可产生直流的电压VCC至发光控制电路100,并且由发光控制电路100根据电压VCC的 高低而发出不同颜色的光线。[0151]发光控制电路100与电能产生电路200可运用于各种可旋转的装置上,比如说本 实用新型所述的腕力训练球,然而本实用新型并不限于此,诸如自行车、直排轮、溜溜 球等可旋转的装置,皆可应用本实用新型的发光装置。借由旋转运动的转动能量,此转 动的能量可被转换成电能。当转速越高时,电能的电压值也就越高。本实用新型的发光 装置可根据电压值,也就是转速的高低,以决定发出不同颜色的光线。[0152]请参照图3A、图3B,是揭露一种应用上述发光装置的腕力训练球。图3A是为 腕力训练球的立体外观结构图。图3B是为腕力训练球的立体外观分解图。腕力训练球 300是包含外壳310与旋转体350。[0153]外壳310包括上壳体320与下壳体330。上壳体320顶端设有一开口。上壳体 320与下壳体330的形状大致为中空半圆形壳体,上壳体320与下壳体330可结合而形成 一中空空间。上壳体320与下壳体330可为有色的透明壳体。配合上述的第一发光二极 管132与第二发光二极管134发亮或熄灭,此透明壳体可变为各种不同的颜色。[0154]一外环340置于上壳体320下缘与下壳体330上缘之间,且外环340于两端分别 设有一转轴孔342。一磁性组件344固定结合于外环340上。磁性组件344可为但不限 于一磁铁。[0155]旋转体350位于上壳体320与下壳体330所形成的中空空间内。旋转体350的 两侧各具有一转轴352,此二个转轴352分别可穿入转轴孔342内。旋转体350可延着转 轴352所延伸的轴线旋转。[0156]请参照图3C,旋转体350上设置有电路板360。电路板360上设置有前述的发 光控制电路100与电能产生电路200。发光控制电路100的第一发光二极管132与第二 发光二极管134是直立于电路板360上。第一发光二极管132与第二发光二极管134可 穿过旋转体350中间的穿孔。感应线圈211、211’可相对于磁性组件344转动而产生感 应电压,并在整流滤波成电压VCC,并供应电压VCC予发光控制电路100。发光控制电 路100则可根据电压VCC的电压值高低,而控制第一发光二极管132或第二发光二极管 134。也就是说,腕力训练球300会根据转速不同而发出不同的光线。[0157]请参照图3D,电路板360可设置有二个第一发光二极管132、132’与二个第二 发光二极管134、134’。二个第一发光二极管132、132’与二个第二发光二极管134、 134’可参考图1B,在此不做赘述。[0158]请参照图4,是为旋转体转速与电压之间的关系图。在图4中,水平轴为旋转体 的转速,且垂直轴为电压VCC。[0159]当腕力训练球300为静止时,也就是旋转体350的转速为零时,电压VCC是为 零电压。当旋转体350,而转动物体的转速逐渐增加时,电压VCC会逐渐上升。[0160]当旋转体350的转速持续上升,并且在转速达到初阶转速Sa时,也就是使电压 VCC超过第一临界值ι时,以使电压VCC足以导通第一发光二极管132。[0161]当旋转体350的转速继续上升,并且在转速达到中阶转速、时,也就是电压 VCC超过第二临界值Vb时,以使电压VCC足以导通第二发光二极管134时,第二发光 二极管134将会发出蓝光,且第一发光二极管132仍然会保持发出红光。因为第一发光 二极管132与第二发光二极管134同时会发出红光与蓝光,并且在快速旋转而产生的视觉 暂留现象之下,发光装置看起来会呈现是介于红光与蓝光之间的紫光。[0162]当旋转体350的转速不断地上升,并且在转速达到高阶转速Sc时,也就是电压 VCC超过第三临界值Vc时,以使第二电阻IM的跨压大于第二晶体管114的临界电压 时,第二晶体管114将会被导通,以使第一晶体管112将会被截断。此时,第一发光二 极管132将不再被导通,但第二发光二极管134会继续保持发亮,换言之,只有第二发光 二极管134会单独发出蓝光。[0163]而当第一发光二极管132不再被导通时,发光控制电路100的负载将会降低, 将使得电压VCC瞬间往上升,且第二发光二极管134会更亮。因为电压VCC瞬间往上 升,所以第二电阻124的跨压也会以相同的比例往上升。也就是说,此时第二电阻124 的跨压会远大于第二晶体管114的临界电压。因此,即使当旋转体350的转速开始向下 降时,第二晶体管114仍然会被导通,第二发光二极管134会持续发出蓝光。[0164]一直等到旋转体350的转速持续下降,并且使电压VCC低于第四临界值Vd时, 也就是当电压VCC不足以导通第二发光二极管134时,第二发光二极管134将不再发 亮。同时,第二晶体管114也会被截断,并且使第一晶体管112导通,以使得第一发光 二极管132随的导通并且发亮。也就是说,原本由第二发光二极管134发出的蓝光会直 接变为由第一发光二极管132发出的红光。[0165]根据本实用新型所揭露的腕力训练球,可在初阶转速Sa时发出红光、中阶转速 、时发出紫光,高阶转速Se时发出蓝光,借以让使用者可从发出的光线而了解目前的转 速级距。[0166]当然,本实用新型还可有其它多种实施例,在不背离本实用新型精神及其实质 的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形,但 这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
权利要求1.一种发光控制电路,用以接收一电压源,其特征在于,该发光控制电路包括一第一晶体管,具有一第一晶体管第一端、一第一晶体管第二端以及一第一晶体管 控制端;一第二晶体管,具有一第二晶体管第一端、一第二晶体管第二端以及一第二晶体管 控制端,该第二晶体管第一端接收该电压源,该第二晶体管第二端电性连接至该第一晶 体管控制端;一第一电阻,具有一第一电阻第一端与一第一电阻第二端,该第一电阻第一端接收 该电压源,该第一电阻第二端电性连接至该第一晶体管第一端;一第二电阻,具有一第二电阻第一端与一第二电阻第二端,该第二电阻第一端接收 该电压源,该第二电阻第二端电性连接该第二晶体管控制端;一第三电阻,具有一第三电阻第一端与一第三电阻第二端,该第三电阻第一端电性 连接至该第二晶体管第二端与该第一晶体管控制端,该第三电阻第二端接地;一第一发光二极管,具有一第一阳极以及一第一阴极,该第一阳极电性连接至该第 一晶体管第二端,该第一阴极接地;以及一第二发光二极管,具有一第二阳极以及一第二阴极,该第二阳极电性连接至该第 二晶体管第二端与该第二晶体管控制端,该第二阴极接地,其中该第二发光二极管的一 正向偏压大于该第一发光二极管的正向偏压。
2.根据权利要求1所述的发光控制电路,其特征在于,该第一晶体管以及该第二晶体 管为一 PNP型双极接面晶体管,该第一晶体管第一端为一第一射极,该第一晶体管第二 端为一第一集极,该第一晶体管控制端为一第一基极,该第二晶体管第一端为一第二射 极,该第二晶体管第二端为一第二集极,该第二晶体管控制端为一第二基极。
3.根据权利要求1所述的发光控制电路,其特征在于,该第一晶体管以及该第二晶体 管为一 P型金属氧化层半导体,该第一晶体管第一端为一第一源极,该第一晶体管第二 端为一第一漏极,该第一晶体管控制端为一第一栅极,该第二晶体管第一端为一第二源 极,该第二晶体管第二端为一第二漏极,该第二晶体管控制端为一第二栅极。
4.根据权利要求1所述的发光控制电路,其特征在于,该第二电阻为一可变电阻,该 可变电阻用以调整该第三临界值。
5.—种应用发光控制电路的腕力训练球,其特征在于,包括 一外壳,固定有一磁性组件;以及一旋转体,该旋转体位于该外壳内,该旋转体包括一发光装置,该发光装置包括 一电能产生电路,包括 一感应线圈,用以接收一感应电压;以及 一整流滤波电路,用以将该感应电压转换成一输出电压;以及 一发光控制电路,用以接收该输出电压,该发光控制电路包括 一第一晶体管,具有一第一晶体管第一端、一第一晶体管第二端以及一第一晶体管 控制端;一第二晶体管,具有一第二晶体管第一端、一第二晶体管第二端以及一第二晶体管 控制端,该第二晶体管第一端接收该输出电压,该第二晶体管第二端电性连接至该第一 晶体管控制端;一第一电阻,具有一第一电阻第一端与一第一电阻第二端,该第一电阻第一端接收 该输出电压,该第一电阻第二端电性连接至该第一晶体管第一端;一第二电阻,具有一第二电阻第一端与一第二电阻第二端,该第二电阻第一端接收 该输出电压,该第二电阻第二端电性连接该第二晶体管控制端;一第三电阻,具有一第三电阻第一端与一第三电阻第二端,该第三电阻第一端电性 连接至第二晶体管第二端与该第一晶体管控制端,该第三电阻第二端接地;一第一发光二极管,具有一第一阳极以及一第一阴极,该第一阳极电性连接至该第 一晶体管第二端,该第一阴极接地;以及一第二发光二极管,具有一第二阳极以及一第二阴极,该第二阳极电性连接至该第 二晶体管第二端与该第二晶体管控制端,该第二阴极接地,其中该第二发光二极管的一 正向偏压大于该第一发光二极管的正向偏压。
6.根据权利要求5所述的应用发光控制电路的腕力训练球,其特征在于,该第一晶体 管以及该第二晶体管为一 PNP型双极接面晶体管,该第一晶体管第一端为一第一射极, 该第一晶体管第二端为一第一集极,该第一晶体管控制端为一第一基极,该第二晶体管 第一端为一第二射极,该第二晶体管第二端为一第二集极,该第二晶体管控制端为一第 二基极。
7.根据权利要求5所述的应用发光控制电路的腕力训练球,其特征在于,该第一晶体管以及该第二晶体管为一 P型金属氧化层半导体,该第一晶体管第一端为一第一源极, 该第一晶体管第二端为一第一漏极,该第一晶体管控制端为一第一栅极,该第二晶体管 第一端为一第二源极,该第二晶体管第二端为一第二漏极,该第二晶体管控制端为一第 二栅极。
8.根据权利要求5所述的应用发光控制电路的腕力训练球,其特征在于,该第二电阻 为一可变电阻,该可变电阻用以调整该第三临界值。
专利摘要一种发光控制电路及应用此一发光控制电路的腕力训练球,其中腕力训练球包括有发光装置,发光装置包含电能产生电路与发光控制电路。电能产生电路借由腕力训练球的旋转动能产生电能并输出至发光控制电路。发光控制电路包括第一发光组件与第二发光组件,并且根据电能产生电路输出电压的电压值,以令第一发光组件导通发出红光,或使第二发光组件导通发出蓝光,并因视觉暂留现象而与红光混合成紫光,或是关闭第一发光组件令电压瞬间上升而使蓝光更为明亮,借以根据腕力训练球的旋转级距而呈现出不同的发光效果。
文档编号H05B37/02GK201813589SQ201020161458
公开日2011年4月27日 申请日期2010年4月9日 优先权日2010年3月11日
发明者庄培松 申请人:宜强科技股份有限公司
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