专利名称：电子镇流器高压脉冲触发电路的制作方法
技术领域：
本 发明属于电子镇流器技术领域，具体涉及高强度气体放电灯电子镇流器中产生高压脉冲触发的电路。
背景技术：
气体放电灯是ー种具有负阻特性的电光源，必须和镇流器一起配套使用。电子镇流器因为高效节能等许多优点而得到广泛应用。气体放电灯必须由高电压来触发点亮，所以高压触发电路是电子镇流器的ー个重要组成部分。一般来说高压触发电路分成两大类脉冲高压触发电路和谐振高压触发电路。脉冲高压触发电路由于电路简单而得到广泛应用。脉冲高压一般是由ー个初、次级匝数比很大的变压器产生，一个充满电的电容器通过半导体开关对变压器的初级绕组放电，在变压器的次级产生高电压。这个半导体开关一般是场效应晶体管或可控硅。使用场效应晶体管的缺点是成本高，使用可控硅的缺点是很难可靠地使可控硅关断。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种可靠关断可控硅功率开关的电子镇流器高压脉冲触发电路。为实现上述技术目的，采用的技术方案是电子镇流器高压脉冲触发电路，由可控硅门极触发电路和可控硅主电路构成，其特征是可控硅主电路由充电电阻、可控硅、钳位ニ极管、电容、高压脉冲变压器和稳压管组成；高压脉冲变压器分别与可控硅及电容的阳极相连接，可控硅的负极与电容负极相连；充电电阻与直流电源正极相连，依次与由电容、高压脉冲变压器和可控硅构成的电容放电回路及稳压管串联后与电源地相连。所述的钳位ニ极管反向并联在可控硅的阴极与阳极之间。所述稳压管的阴极分别与可控硅及电容的阴极连接，稳压管D的阳极与电源地连接，为可控硅门极提供反向偏置电压，使可控硅可靠关断。本实用新型的有益效果是充电电阻与由电容、高压脉冲变压器和可控硅构成的电容放电回路，及稳压管构成串联电路，稳压管的阴极分别与可控硅及电容的阴极连接，给门极提供反向偏置电压，使可控硅能可靠关断。当电路对电容充电时，充电电阻、电容及稳压管串联，电流也流过稳压管，不论电流的大小，稳压管两端都能产生ー个恒定的电压，可控硅的阴极受到这个恒定电压的抬升，高于地电平，使可控硅能可靠关断；如果可控硅一直导通，则充电电阻、可控硅和稳压管组成ー个串联电路的关系，同样，在稳压管两端会产生ー个恒定的电压，使可控娃能可靠关断。以下结合附图
与具体实施方案对本实用新型作进ー步的说明图I是实施例I电路示意图图2是实施例2电路示意图
具体实施方式
实施例一如图I所示电子镇流器高压脉冲触发电路，由可控硅门极触发电路和可控硅主电路构成。可控硅主电路由充电电阻R1、可控硅Q1、钳位ニ极管D3、电容Cl、高压脉冲变压器Tl和稳压管Dl组成，充电电阻Rl —端与直流电源Udc正极相连，另一端依次与由电容Cl、高压脉冲变压器Tl和可控硅Ql构成的放电回路，及稳压管Dl串联后与电源地相连。电容Cl的阳极与充电电阻Rl相连，直流电源Udc经充电电阻Rl为电容Cl提供充电电流。电容Cl和高压脉冲变压器Tl的初级绕组Wl及可控硅Ql连接成ー个闭合放电回路，当电容Cl充电后，可控硅Ql被触发导通时就能在次级绕组W2上产生高压脉冲Uout。钳位ニ极管D3与可控硅Ql反向并联，可以保护可控硅Ql免受反向电压的损坏。高压脉冲变压器Tl分别与可控硅Ql及电容的阳极相连接；可控硅Ql的负极与电容Cl负极相连；稳压管Dl的阴极分别与可控硅Ql及电容Cl的阴极连接，稳压管D的阳极与电源地连接，提供可控硅Ql门极反向偏置电压，使可控硅Ql能可靠关断。可控硅门极触发电路由电阻R2、R3、R4和电容C2以及触发ニ极管D2组成；电阻R2、R3形成一个电阻串联分压电路，此电路对电容C2充电。当电容C2的电压达到触发ニ极管D2的击穿电压时，可控硅就会被触发导通，同时C2被放电，触发ニ极管D2恢复截止。当控制电路使晶体管Q2导通吋，电容C2被短路，触发ニ极管D2保持截止，可控硅不导通，高压触发脉冲就被关闭。电阻Rl对电容Cl的充电电流会流过稳压管D1，根据稳压管的特性，不论电流的大小，其两端的电压是恒定的，使可控硅Ql的阴极电压抬升，从而保证Ql的可靠关断。实施例ニ 如图2所不,与实施例一的不同之处在于实施例一中，可控娃主电路中由电容Cl、高压脉冲变压器Tl和可控硅Ql构成的放电回路，电容Cl的阳极直接与充电电阻Rl连接，可控硅Ql的阳极经高压脉冲变压器Tl与充电电阻Rl连接。本实施例中电容Cl的阳极经高压脉冲变压器Tl与充电电阻Rl连接，可控硅Ql的阳极与充电电阻Rl连接。充电电阻Rl经高压脉冲变压器Tl的初级绕组Wl对电容器Cl充电。由于充电电阻Rl对电容器Cl的充电电流也流过稳压ニ极管Dl，所以在稳压管Dl两端会产生ー个恒定的电压，从而使可控硅Ql的阴极电压抬高，使可控硅Ql可靠关断。
权利要求1.电子镇流器高压脉冲触发电路，由可控硅门极触发电路和可控硅主电路构成，其特征是可控硅主电路由充电电阻、可控硅、钳位ニ极管、电容、高压脉冲变压器和稳压管组成；高压脉冲变压器分别与可控硅及电容的阳极相连接，可控硅的负极与电容负极相连；充电电阻与直流电源正极相连，依次与由电容、高压脉冲变压器和可控硅构成的电容放电回路及稳压管串联后与电源地相连。
2.根据权利要求I所述的电子镇流器高压脉冲触发电路，其特征是所述的钳位ニ极管反向并联在可控硅的阴极与阳极之间。
3.根据权利要求I所述的电子镇流器高压脉冲触发电路，其特征是所述稳压管的阴极分别与可控硅及电容的阴极连接，稳压管的阳极与电源地连接。
专利摘要本实用新型公开了一种电子镇流器高压脉冲触发电路，由可控硅门极触发电路和可控硅主电路构成，其特点是可控硅主电路由充电电阻与由电容、高压脉冲变压器和可控硅构成的电容放电回路及稳压管串联构成；电容放电时在高压脉冲变压器次级产生高压脉冲；稳压管的阴极分别与可控硅及电容的阴极连接，稳压管D的阳极与电源地连接，为可控硅门极提供反向偏置电压，使可控硅可靠关断。
文档编号H05B41/282GK202455635SQ20122006362
公开日2012年9月26日 申请日期2012年2月24日 优先权日2012年2月24日
发明者杨英君, 顾晓艺 申请人:上海特优仕照明电器有限公司