专利名称：一种无级调光模式手电筒电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种无级调光模式手电筒电路。
背景技术：
现有的调光手电筒都是分几个档位来控制的，比如高亮(100% )、中亮50%、低亮30%、暴闪等几个档位级别，不能选择其它百分比的亮度模式，而且操作也比较繁琐，选择一个模式，得重复按开关好几次，比如当需要暴闪模式时，得按8次才能进入想要的暴闪模式。
发明内容针对上述技术缺陷，本实用新型提出一种无级调光模式手电筒电路。为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案如下:一种无级调光模式手电筒电路，包括控制芯片、晶体管和开关，LED灯一端连接电源，另一端连接晶体管的漏极，所述晶体管的源极通过电阻接地，所述晶体管栅极连接控制芯片PWM信号输出端，所述开关连接控制芯片中控制PWM信号输出端的拐脚。进一步的，所述晶体管为N-M0SFET。本实用新型的有益效果在于:针对以上调光模式的亮度选择局限性和操作的繁琐性，而提供一种操作简单和随意选择亮度的新型调光模式一无级调光、暴闪模式。此无级调光能选择1% 100%范围内的任意亮度；而双击暴闪，是在任意模式下，只要双击开关(如双击鼠标样)就能实现暴闪模式。使用时由于实现以上实用新型的技术，是采用智能控制芯片，利用智能芯片输出连续变化占空比的PWM来控制LED的连续亮度变化来实现；而双击暴闪，是利用智能芯片的双击开关检测识别功能来实现使LED暴闪模式。
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面将结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的说明。如图1所示，一种无级调光模式手电筒电路，其中MCU为智能控制芯片，SW为开关，LED灯为手电筒的光源，LED灯一端连接电源，另一端连接晶体管的漏极，所述晶体管的源极通过电阻接地，所述晶体管栅极连接控制芯片PWM信号输出端，所述开关连接控制芯片中控制PWM信号输出端的拐脚。使用时，单击开关SW，智能控制芯片第3脚输出高电平，使Ql (N-MOSFET)完全导通，LED为高亮即亮度为100%，按住开关SW，智能控制芯片第3脚输出占空比连续变化的PWM信号，使Ql随PWM的控制导通，LED亮度会在1% 100%范围内连续循环变化，直至松开开关，此时LED的亮度停留在松开前瞬间的亮度；在任意模式下双击开关SW，智能控制芯片第3脚输出13Hz的低频率脉冲信号，来控制LED以13Hz频率的暴闪。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型保护范围内。
权利要求1.一种无级调光模式手电筒电路，其特征在于，包括控制芯片、晶体管和开关，LED灯一端连接电源，另一端连接晶体管的漏极，所述晶体管的源极通过电阻接地，所述晶体管栅极连接控制芯片PWM信号输出端，所述开关连接控制芯片中控制PWM信号输出端的拐脚。
2.根据权利要求1所述的一种无级调光模式手电筒电路，其特征在于，所述晶体管为N-MOSFET。
专利摘要本实用新型公开了一种无级调光模式手电筒电路，包括控制芯片、晶体管和开关，LED灯一端连接电源，另一端连接晶体管的漏极，所述晶体管的源极通过电阻接地，所述晶体管栅极连接控制芯片PWM信号输出端，所述开关连接控制芯片中控制PWM信号输出端的拐脚，针对以上调光模式的亮度选择局限性和操作的繁琐性，而提供一种操作简单和随意选择亮度的新型调光模式-无级调光、暴闪模式，此无级调光能选择1％～100％范围内的任意亮度；而双击暴闪，是在任意模式下，只要双击开关就能实现暴闪模式。
文档编号H05B37/02GK202979426SQ20122075278
公开日2013年6月5日 申请日期2012年12月12日 优先权日2012年12月12日
发明者洪永强 申请人:洪永强