一种阻抗匹配方法
【专利摘要】本发明提供一种阻抗匹配方法，用于在交替循环的刻蚀和沉积中使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配，该方法包括：在前N个刻蚀步骤中和前N个沉积步骤中通过调节匹配网络实现阻抗匹配，并获取匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值；在后续的刻蚀步骤中和沉积步骤中，分别设定匹配网络的阻抗值为刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值，并通过调节射频电源的频率实现阻抗匹配。与现有技术相比，本发明有较快的匹配速度，能够稳定地实现阻抗匹配，避免了刻蚀和沉积效果不均匀的问题。同时，本发明使用扫频匹配时，无需预先确定匹配网络中各元件的参数值，减少了工艺开发的工作量。
【专利说明】
—种阻抗匹配方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种阻抗匹配方法。
【背景技术】
[0002]现有的深硅刻蚀设备通常如图1所示，其中反应腔4中设置有静电卡盘6，该静电卡盘6用于承载晶片5，电感耦合线圈3位于反应腔4上部的介质窗口 7的上方，且电感耦合线圈3与匹配器2和射频电源I相连，当射频电源I发送射频时，能够在反应腔4内产生感应电磁场以将相应的气体激发为等离子体以进行对应的工艺。目前的深硅刻蚀工艺通常为刻蚀步骤和沉积步骤的交替循环，其中，刻蚀步骤对基片进行刻蚀，沉积步骤为在刻蚀沟槽的侧壁上沉积一层聚合物保护膜以保护侧壁不被刻蚀，使得刻蚀步骤中的刻蚀只在基片垂直面进行。为了能够稳定地在反应腔中激发等离子体，需要使得反应腔和匹配网络的阻抗与射频电源的阻抗匹配。
[0003]现有的一种阻抗匹配技术为采用阻抗传感器获取匹配网络和反应腔的阻抗，并根据阻抗传感器所获取的匹配网络和反应腔的阻抗，控制电机转动以调节匹配网络中的阻抗可调元件(如调节可变电容的电容值)，使得匹配网络和反应腔的阻抗与射频电源的阻抗匹配。然而，该现有技术中，采用电机通过机械方式调节阻抗可调元件，其调节速度比较慢，难以实现稳定匹配，容易造成刻蚀和沉积的效果不均匀，并导致刻蚀得到的基片侧壁凹凸不平(Scalloping现象)，此外，该方法在刻蚀步骤和沉积步骤过程中，需要持续对阻抗可调元件进行调节，会缩短电机和阻抗可调元件的使用寿命。
[0004]现有的另一种阻抗匹配技术为采用电源扫频自动匹配的方式，即固定匹配网络中各元件的参数值，利用射频电源的扫频匹配功能使得匹配网络和反应腔的阻抗和射频电源的阻抗匹配。该现有技术的匹配速度较快，但需要预先通过实验确定匹配网络中各阻抗可调元件的参数值，且在不同的工艺条件下，所需要设定的阻抗可调元件参数值往往也不同，增加了工艺开发的工作量。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种阻抗匹配方法，以使得在深硅刻蚀工艺中，匹配网络和反应腔的阻抗与射频电源的阻抗能够快速匹配。
[0006]为实现上述目的，本发明提供一种阻抗匹配方法，用于在交替循环的刻蚀和沉积中使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配，所述阻抗匹配方法包括:
[0007]S1、在前N个刻蚀步骤中，调节所述匹配网络，使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配，并获取所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值，以及在前N个沉积步骤中，调节所述匹配网络，使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配，并获取所述匹配网络的沉积步骤阻抗值；
[0008]S2、在第N+1个以及后续的刻蚀步骤中，设定所述匹配网络的阻抗值为所述刻蚀步骤阻抗值，在第N+1个以及后续的沉积步骤中，设定所述匹配网络的阻抗值为所述沉积步骤阻抗值，并在第N+1个以及后续的刻蚀步骤和第N+1个以及后续的沉积步骤中，调节所述射频电源的频率，以使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配；
[0009]其中，N为预先设定的正整数。
[0010]优选地，所述SI中获取的所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值为:第N个刻蚀步骤中，调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值；
[0011]所述SI中获取的所述匹配网络的沉积步骤阻抗值为:第N个沉积步骤中，调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值。
[0012]优选地，N为I。
[0013]优选地，N大于I时，所述SI中获取的所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值为刻蚀步骤中每个刻蚀步骤调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值的平均值；
[0014]所述SI中获取的所述匹配网络的沉积步骤阻抗值为:前N个沉积步骤中每个沉积步骤调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值的平均值。
[0015]优选地，所述射频电源为扫频电源。
[0016]优选地，所述匹配网络包括阻抗传感器，所述阻抗传感器能够获取所述匹配网络和所述反应腔的阻抗值；
[0017]所述SI中根据所述阻抗传感器所获取的所述匹配网络和所述反应腔的阻抗值，调节所述匹配网络。
[0018]优选地，所述匹配网络包括阻抗可调元件，
[0019]所述调节所述匹配网络包括:调节所述阻抗可调元件的参数值。
[0020]优选地，所述SI中获取所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值，包括:获取所述阻抗可调元件的刻蚀步骤参数值；
[0021]所述SI中所述获取所述匹配网络的沉积步骤阻抗值，包括:获取所述阻抗可调元件的沉积步骤参数值。
[0022]优选地，所述S2中设定所述匹配网络的阻抗值为所述刻蚀步骤阻抗值包括:设定所述阻抗可调元件的参数值为所述刻蚀步骤参数值；
[0023]所述S2中设定所述匹配网络的阻抗值为所述沉积步骤阻抗值包括:设定所述阻抗可调元件的参数值为所述沉积步骤参数值。
[0024]优选地，所述阻抗可调元件为电容和/或电感。
[0025]可见，本发明在深硅刻蚀的初始阶段的刻蚀步骤和沉积步骤中通过调节匹配网络实现阻抗匹配，并获取匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值，在后续的刻蚀步骤和沉积步骤中分别设定匹配网络的阻抗值为刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值，并通过调节射频电源的频率实现阻抗匹配。与现有技术相比，本发明可以在扫频频率范围内实现阻抗匹配，有较快的匹配速度，能够稳定地实现阻抗匹配，避免了刻蚀和沉积效果不均匀的问题。同时，本发明使用扫频匹配时，无需预先确定匹配网络中各元件的参数值，减少了工艺开发的工作量。此外，本发明还能够避免现有技术中持续调节可调元件导致的电机和可调元件使用寿命较短的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0027]图1为现有的深硅刻蚀设备示例图；
[0028]图2为本发明所提供的阻抗匹配方法流程图；
[0029]图3为本发明所提供的阻抗匹配方法应用实施例示意图；
[0030]图4为本发明所提供的阻抗匹配方法另一应用实施例示意图；
[0031]图5为本发明所提供的阻抗匹配方法应用系统示例图。
[0032]附图标记说明
[0033]1-射频电源；2_匹配器；3_电感稱合线圈；4、30_反应腔；5_晶片；6_静电卡盘；7-介质窗口 ；10_扫频电源；20_匹配网络；21_阻抗传感器；22_匹配电路；23_控制器；24-电机。
【具体实施方式】
[0034]以下结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0035]本发明提供一种阻抗匹配方法，该阻抗匹配方法能够在深硅刻蚀工艺的交替循环的刻蚀和沉积步骤中使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配，如图2所示，该方法可以包括:
[0036]S1、在前N个刻蚀步骤中，调节所述匹配网络，使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配，并获取所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值，以及在前N个沉积步骤中，调节所述匹配网络，使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配，并获取所述匹配网络的沉积步骤阻抗值；
[0037]S2、在第N+1个以及后续的刻蚀步骤中，设定所述匹配网络的阻抗值为所述刻蚀步骤阻抗值，在第N+1个以及后续的沉积步骤中，设定所述匹配网络的阻抗值为所述沉积步骤阻抗值，并在第N+1个以及后续的刻蚀步骤和第N+1个以及后续的沉积步骤中，调节所述射频电源的频率，以使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配；
[0038]其中，N为预先设定的正整数。
[0039]现有的深硅刻蚀工艺通常是交替循环的刻蚀和沉积步骤，即先通过刻蚀步骤对基片进行刻蚀，再通过沉积步骤在刻蚀沟槽的侧壁沉积一层保护膜，之后再进行下一个刻蚀步骤，如此两个步骤交替循环直至完成深硅刻蚀工艺。
[0040]在前N个刻蚀步骤和沉积步骤中自动调节匹配网络的阻抗值，并设定匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值，使得在后续的刻蚀步骤中和沉积步骤中能够利用频率调节实现阻抗匹配。
[0041]具体地，在前N个刻蚀步骤和前N个沉积步骤中，可以根据匹配网络和反应腔的阻抗，调节匹配网络的阻抗值，使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配。之后，可以根据前N个刻蚀步骤和前N个沉积步骤中对匹配网络的调节，分别获得匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值，在后续的刻蚀步骤中和沉积步骤中，则分别固定设置匹配网络的阻抗值为刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值，并通过调节射频电源的频率实现阻抗匹配。
[0042]更进一步地，所述SI中设定的匹配网络的刻蚀步骤阻抗值可以为:第N个刻蚀步骤中，调节匹配网络使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配后得到的匹配网络的阻抗值；所述SI中获取的所述匹配网络的沉积步骤阻抗值为:第N个沉积步骤中，调节匹配网络使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配后得到的匹配网络的阻抗值。
[0043]更进一步地，上述方法中的N可以为1，S卩，以第一个刻蚀步骤和第一个沉积步骤中调节匹配网络后得到的匹配网络的阻抗值分别作为匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值。
[0044]更进一步地，本发明所提供的阻抗匹配方法中，N可以为大于I的正整数，且SI中获取的匹配网络的刻蚀步骤阻抗值可以为:前N个刻蚀步骤中每个刻蚀步骤调节匹配网络后得到的匹配网络的阻抗值的平均值；S1中获取的匹配网络的沉积步骤阻抗值可以为:前N个沉积步骤中每个沉积步骤调节所述匹配网络后得到的匹配网络的阻抗值的平均值。即，可以用前N个刻蚀步骤和前N个沉积步骤中每个步骤调节匹配网络后得到的匹配网络的阻抗值的平均值分别作为匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值。
[0045]更进一步地，射频电源可以为扫频电源，在S2中调节射频电源的频率使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配可以通过控制射频电源采用自动扫频匹配实现。
[0046]应当理解的是，在前N个刻蚀步骤和前N个沉积步骤中，射频电源的频率固定(例如，可以设置为13.56MHz)。通常，射频电源的频率f可在fe±5%内进行调节，其中，f。为恒定值，例如，可以为13.56MHz。
[0047]虽然在前N个刻蚀步骤和前N个沉积步骤中已经分别确定了射频电源与匹配网络和反应腔匹配时，匹配网络的阻抗可调元件的参数值，但是，随着刻蚀步骤和沉积步骤的进行，反应腔的阻抗会有较小的变化，通过在射频电源的调节范围内调节射频电源的频率即可完成射频电源与匹配网络和反应腔的阻抗匹配。由于调节射频电源的频率属于电子调节，因此，利用本发明所提供的阻抗匹配方法具有较快的匹配速度。阻抗匹配速度越快，越有利于刻蚀工艺中刻蚀步骤和沉积步骤之间的快速切换，并可以减轻沟槽侧壁的凹凸不平现象。
[0048]上述方法能够使得在深硅刻蚀工艺中，在初始的刻蚀步骤和沉积步骤通过调节匹配网络实现阻抗匹配，在后续的刻蚀步骤和沉积步骤中，仅需要在刻蚀步骤与沉积步骤进行切换时，在匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值之间进行切换，而在刻蚀步骤与沉积步骤中通过电源的自动扫频即可稳定快速地实现阻抗匹配。
[0049]更进一步地，匹配网络中可以包括阻抗传感器，该阻抗传感器能够用于获取匹配网络和反应腔的阻抗值，在SI中可以根据阻抗传感器所获取的匹配网络和反应腔的阻抗值，调节匹配网络的阻抗值，使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配。或者，也可以在匹配网络中设置幅值相位检测模块以获取匹配网络和反应腔的阻抗。
[0050]更进一步地，匹配网络中可以包括阻抗可调元件，SI中调节匹配网络具体可以包括:调节阻抗可调元件的参数值。其中，阻抗可调元件的参数值可以为电容的电容值或电感的电感值。
[0051]更进一步地，SI中获取匹配网络的刻蚀步骤阻抗值，具体可以包括:获取阻抗可调元件的刻蚀步骤参数值；获取匹配网络的沉积步骤阻抗值，具体可以包括:获取阻抗可调元件的沉积步骤参数值。
[0052]更进一步地，S2中设定匹配网络的阻抗值为刻蚀步骤阻抗值，具体可以包括:设定阻抗可调元件的参数值为刻蚀步骤参数值；设定匹配网络的阻抗值为沉积步骤阻抗值，包括:设定阻抗可调元件的参数值为沉积步骤参数值。
[0053]具体地，上述方法即为在SI中，根据前N个刻蚀步骤和前N个沉积步骤对阻抗可调元件的调节，分别获取阻抗可调元件的刻蚀步骤参数值和沉积步骤参数值，并在后续的刻蚀步骤和沉积步骤中，分别设定阻抗可调元件的参数为刻蚀步骤参数值和沉积步骤参数值。其中，可以以第N个刻蚀步骤和第N个沉积步骤中调节阻抗可调元件后的阻抗可调元件的参数值分别作为阻抗可调元件的刻蚀步骤参数值和沉积步骤参数值，或者，可以以前N个刻蚀步骤和前N个沉积步骤中每个步骤调节阻抗可调元件后的阻抗可调元件的参数值的平均值分别作为阻抗可调元件的刻蚀步骤参数值和沉积步骤参数值。
[0054]应当理解的是，上述刻蚀步骤阻抗值可以对应于匹配网络中的阻抗可调元件的一个参数值(即刻蚀步骤参数值)，而沉积步骤阻抗值可以对应于匹配网络中的阻抗可调元件的另一个参数值(即沉积步骤参数值)。
[0055]在本发明所提供的阻抗匹配方法中，仅在前N个刻蚀步骤和前N个沉积步骤的过程中需要对匹配网络中的阻抗可调元件进行调节，在后续的刻蚀步骤中和沉积步骤中，仅需在刻蚀步骤与沉积步骤进行切换时，在刻蚀步骤参数值和沉积步骤参数值之间调节阻抗可调元件即可，无需持续对阻抗元件进行调节，因此本方所提供的阻抗匹配方法还可以延长匹配网络中阻抗可调元件以及电机的使用寿命。
[0056]N越大，获取到的阻抗可调元件参数的平均值越接近于射频电源与匹配网络和反应腔阻抗匹配时的参数值，从而可以减小射频电源的频率调节量，使得在射频电源的频率调节范围内即可达到阻抗匹配。优选地，N不大于5，从而既可以确保较快的阻抗匹配速度，又可以尽可能的降低对匹配网络中阻抗可调节元件的寿命的影响。
[0057]更进一步地，阻抗可调元件可以为电容，或电感，或电容与电感的组合。
[0058]下面结合图3和图4所示示例对本发明进行进一步描述，其中，al、a2、a3和am分别表不第一个、第二个、第三个和第m个刻蚀步骤，bl、b2、b3和bm分别表不第一个、第二个、第三个和第m个沉积步骤。
[0059]在图3所示实施例中，N为1，即在al中和bl中调节匹配网络阻抗值，并获取匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值，具体地，可以假设匹配网络中包括电容，若al中调节该电容后的电容值为Ca，则该电容的刻蚀步骤参数值可以为Ca，若bl中调节该电容后的电容值为Cb，则该电容的沉积步骤参数值可以为Cb。在从第二个开始的后续的刻蚀步骤和沉积步骤中，可以分别设定该电容的电容值为Ca和Cb，并通过调节射频电源的频率来实现阻抗匹配。将N设置为I的优点在于，调节匹配网络所需的时间较短。
[0060]在图4所示实施例中，N为3，即在al、a2、a3中和bl、b2、b3中调节匹配网络阻抗值，并获取匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值，具体地，可以假设匹配网络中包括电容，若al、a2和a3中调节该电容后的电容值分别为Cal、Ca2和Ca3，该电容的刻蚀步骤参数值可以为Ca=(Cal+Ca2+Ca3)/3，gbl、b2和b3中调节该电容后的电容值分别为Cbl、Cb2和Cb3，该电容的刻蚀步骤参数值可以为Cb=(Cbl+Cb2+Cb3)/3，在从第四个开始的后续的刻蚀步骤和沉积步骤中，可以分别设定该电容的电容值为Ca和Cb，并通过调节射频电源的频率来实现阻抗匹配。
[0061]图5为本发明所提供的方法应用环境示例图，如图5所示，匹配网络20中可以包括阻抗传感器21、匹配电路22、控制器23和电机24，其中，匹配电路22可以由阻抗可调元件组成，阻抗传感器21能够获取匹配网络20和反应腔30的阻抗值，控制器23能够控制电机24的转动以调节匹配电路22中的阻抗可调元件(如调节电容的电容值或电感的电感值)，同时，控制器23能够控制扫频电源10以固定频率工作或者以扫频匹配模式工作。
[0062]可见，本发明在深硅刻蚀的初始阶段通过调节匹配网络实现阻抗匹配，并获取匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值，在后续的刻蚀步骤和沉积步骤中通过调节射频电源的频率实现阻抗匹配。与现有技术相比，本发明仅在深硅刻蚀的初始阶段调节匹配网络的阻抗值，而在后续步骤中可以采用扫频匹配方式即可在扫频频率范围内实现阻抗匹配，有较快的匹配速度，能够稳定地实现阻抗匹配，避免了刻蚀和沉积效果不均匀的问题。同时，本发明使用扫频匹配时，无需预先确定匹配网络中各元件的参数值，减少了工艺开发的工作量。此外，本发明还能够避免现有技术中持续调节可调元件导致的电机和可调元件使用寿命较短的问题。
[0063]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种阻抗匹配方法，用于在交替循环的刻蚀和沉积中使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配，其特征在于，所述阻抗匹配方法包括: 51、在前N个刻蚀步骤中，调节所述匹配网络，使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配，并获取所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值，以及在前N个沉积步骤中，调节所述匹配网络，使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配，并获取所述匹配网络的沉积步骤阻抗值； 52、在第N+1个以及后续的刻蚀步骤中，设定所述匹配网络的阻抗值为所述刻蚀步骤阻抗值，在第N+1个以及后续的沉积步骤中，设定所述匹配网络的阻抗值为所述沉积步骤阻抗值，并在第N+1个以及后续的刻蚀步骤和第N+1个以及后续的沉积步骤中，调节所述射频电源的频率，以使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配； 其中，N为预先设定的正整数。
2.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述SI中获取的所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值为:第N个刻蚀步骤中，调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值； 所述SI中获取的所述匹配网络的沉积步骤阻抗值为:第N个沉积步骤中，调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值。
3.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，N为I。
4.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，N大于I时，所述SI中获取的所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值为:前N个刻蚀步骤中每个刻蚀步骤调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值的平均值； 所述SI中获取的所述匹配网络的沉积步骤阻抗值为:前N个沉积步骤中每个沉积步骤调节所述匹配网络后得到的所述匹配网络的阻抗值的平均值。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述射频电源为扫频电源。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述匹配网络包括阻抗传感器，所述阻抗传感器能够获取所述匹配网络和所述反应腔的阻抗值； 所述Si中根据所述阻抗传感器所获取的所述匹配网络和所述反应腔的阻抗值，调节所述匹配网络。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述匹配网络包括阻抗可调元件， 所述调节所述匹配网络包括:调节所述阻抗可调元件的参数值。
8.根据权利要求7所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述SI中获取所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值，包括:获取所述阻抗可调元件的刻蚀步骤参数值； 所述SI中所述获取所述匹配网络的沉积步骤阻抗值，包括:获取所述阻抗可调元件的沉积步骤参数值。
9.根据权利要求8所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述S2中设定所述匹配网络的阻抗值为所述刻蚀步骤阻抗值包括:设定所述阻抗可调元件的参数值为所述刻蚀步骤参数值； 所述S2中设定所述匹配网络的阻抗值为所述沉积步骤阻抗值包括:设定所述阻抗可调元件的参数值为所述沉积步骤参数值。
10.根据权利要求7所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述阻抗可调元件为电容和/或电感。
【文档编号】H05H1/46GK104425208SQ201310412111
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年9月11日 优先权日:2013年9月11日
【发明者】韦刚, 李兴存, 宋铭明 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司