一种凉爽透气的仿真丝雪纺织物的制作方法

1.本实用新型属于纺织技术领域，尤其涉及一种凉爽透气的仿真丝雪纺织物。


背景技术：

2.雪纺”的学名叫“乔其纱”，乔其纱又称乔其绉，是以强捻绉经、绉纬制织的一种丝织物，乔其纱的名称来自英国，经丝与纬丝采用s捻和z捻两种不同捻向的强抢纱，按zs、2z相间排列，以平纹组织交织，织物的经纬密度很小，坯绸经精练后，由于丝线的退捻作用而收缩起绉，形成绸面布满均匀的皱纹、结构疏松的乔其纱，根据所用的原料可分为真丝乔其纱、人造丝乔其纱、涤丝乔其纱和交织乔其纱等几种，若纬丝只采用一种捻向，织得乔其纱称为顺纤乔其纱，顺纤乔其纱呈现经向凹凸褶裥状不规则皱纹，成本造价低于纱织品，雪纺织物轻薄、透明、柔软、飘逸，近几年来，由于化纤技术的飞速发展，由“化纤”替代了原来的“真丝”，其手感、风格非常接近或类似，所以我们常常把雪纺说成真丝雪纺或者化纤雪纺，雪纺面料质地柔软、轻薄透明，手感滑爽富有弹性，外观清淡爽洁，具有良好的透气性和悬垂性，穿在身上舒适感很强，非常的飘逸。
3.但由于仿真丝雪纺是涤纶织物，相比真丝雪纺，仿真丝雪纺的凉爽透气性能要差一些，从而降低了仿真丝雪纺织物的舒适度。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是为了解决现有的仿真丝雪纺是涤纶织物，相比真丝雪纺，仿真丝雪纺的凉爽透气性能要差一些，从而降低了仿真丝雪纺织物的舒适度问题，而提出的一种凉爽透气的仿真丝雪纺织物。
5.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
6.一种凉爽透气的仿真丝雪纺织物，包括仿真丝雪纺材质的面料外层、透气层、吸汗层、干燥层、抗菌层和凉爽玉纤维内层，所述面料外层的底端设有透气层，所述透气层的底端设有吸汗层，所述吸汗层的底端设有干燥层，所述干燥层的底端设有抗菌层，所述抗菌层的底端设有凉爽玉纤维内层。
7.优选地，所述面料外层的表面均匀开设有若干个透气孔。
8.优选地，所述吸汗层采用棉纤维材料制成。
9.优选地，所述抗菌层内填充有纳米银离子，所述纳米银离子采用粘合剂粘附于抗菌层内。
10.优选地，所述干燥层上设有干燥纤维。
11.有益效果：本实用新型中，通过透气层增加雪纺面料的透气性，通过吸汗层能够随时将人体产生的汗液进行吸收，保持人体皮肤汗液粘附较少的状态，通过干燥层上的干燥纤维把汗水进行干燥，让人体不会因汗水粘住雪纺布料，给人引起不适，通过纳米银离子抗菌层能够对现有的绝大部分细菌实现抗菌的效果，其本身还具有高效耐久的抗菌性，一定的杀菌性，优良的防臭效果，从而起到抗菌效果，避免长期使用表面和内部滋生大量细菌，
影响人体健康，通过凉爽玉纤维层对人体具有凉爽、透气、抗静电、防紫外线的效果，与人体接触时更加舒适。
附图说明
12.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
13.图1为一种凉爽透气的仿真丝雪纺织物的结构示意图；
14.图2为一种凉爽透气的仿真丝雪纺织物的俯视结构示意图。
15.图中：1
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面料外层，2
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透气层，3
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吸汗层，4
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干燥层，5
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抗菌层，6
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凉爽玉纤维层，7
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透气孔，8
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纳米银离子，9
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干燥纤维。
具体实施方式
16.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
17.参照图1
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2，一种凉爽透气的仿真丝雪纺织物，包括仿真丝雪纺材质的面料外层1、透气层2、吸汗层3、干燥层4、抗菌层5和凉爽玉纤维内层6，面料外层1的底端设有透气层2，透气层2的底端设有吸汗层3，吸汗层3的底端设有干燥层4，干燥层4的底端设有抗菌层5，抗菌层5的底端设有凉爽玉纤维内层6。
18.本实施例中，面料外层1的表面均匀开设有若干个透气孔7，本实施例中，吸汗层3采用棉纤维材料制成，本实施例中，抗菌层5内填充有纳米银离子8，纳米银离子8采用粘合剂粘附于抗菌层5内，本实施例中，干燥层4上设有干燥纤维9。
19.工作原理：通过透气层2增加雪纺面料的透气性，通过吸汗层3能够随时将人体产生的汗液进行吸收，保持人体皮肤汗液粘附较少的状态，通过干燥层4上的干燥纤维把汗水进行干燥，让人体不会因汗水粘住雪纺布料，给人引起不适，通过纳米银离子抗菌层5能够对现有的绝大部分细菌实现抗菌的效果，其本身还具有高效耐久的抗菌性，一定的杀菌性，优良的防臭效果，从而起到抗菌效果，避免长期使用表面和内部滋生大量细菌，影响人体健康，通过凉爽玉纤维层6对人体具有凉爽、透气、抗静电、防紫外线的效果，与人体接触时更加舒适。
20.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。