专利名称:<sup>68</sup>Ge密封放射源的制备方法
技术领域：
本发明属于医疗器械技术领域：
，具体地是涉及一种68Ge密封放射源的制备方法。
技术背景
正电子发射断层显像技术(PET)，也称分子显像或生物化学显像，是核医学发展的一项新技术，是当代最先进的无创伤性高品质影像诊断的新技术，是高水平核医学诊断的标志。其利用正电子放射性核素标记的葡萄糖、氨基酸、核酸、配体等药物为示踪剂，以解剖图像方式、从分子水平显示机体及病灶组织细胞的代谢、功能及血流、细胞增殖和受体分布等状况，为临床提供更多生理和病理方面的诊断信息。PET已经广泛地应用各种疾病的临床诊断、治疗效果和基础医学的研究等。由于探测器的不一致性、同位素的衰变、人体组织对同位素的吸收、随机误差和散射误差严重地影响PET的图像质量和诊断效果，经常出现图像失真现象。因此，为了配合PET的临床推广应用，获得高质量显像图像，提高疾病诊断的准确性，人们开始研究并解决PET的校正问题，包括探测器灵敏校正、放射性核素衰变校正、人体组织衰减校正、随机校正、散射校正和死时间校正，其中衰减校正是影响PET图象质量的重要因素。近几年，正电子发射断层显像技术(PET)在国内得到快速地发展，国内已有200多个PET中心，在我国疾病诊断和基础研究发挥着重要作用。但是用于PET衰减校正的fi8Ge密封放射源完全靠从国外进口，价格十分昂贵，严重地影响了该技术的临床应用。
用于PET衰减校正的放射源有f58Ge^3CcU 137&、和133Ba等放射源，最常用为68Ge和 137Cs密封放射源。137Cs密封放射源的穿透扫描校正仅用老型号的PET使用，采集的穿透图像是用单光子方法获得，在放射源靠近探头的一侧用屏蔽的方式阻挡多余的射线，137Cs的能量为66^ieV显著高于511keV，获得的ACF需要校正到511keV。同时可以产生更多的散射数据，从而使显像图像不清晰，有时出图像失真。优势在于137Cs的半衰期较长(30.2年)， 不用替换放射源，但是其制作工艺比较复杂，废源处理成本较高，而且不易防护。由于68Ge 生成的子体发射的正电子能量与体内的正电子能量一致，获得的衰减系数(ACF)最接近真实值，不需要校正，而且68Ge的半衰期271天，使用时间可以长达1年以上，但要定期更换。同时在符合探测时，68Ge源不透过人体一侧的射线直接射向探头，且扇面易造成探头的饱和。68Ge密封放射源的穿透扫描是经典的穿透衰减校正方式，也是PET最常使用的衰减校正方式，广泛地应用专用PET和PET-CT。
68Ge密封放射源是将吸附有放射性Ge-68的二氧化硅，装入不锈钢管内，两端焊封后组装制备而成。锗(68Ge)密封放射源的制作是有源芯制作技术和焊接技术组成，焊接技术通常采用激光焊接技术、电子束焊接技术和氩弧焊接技术，其中激光焊接技术为最好。
68Ge密封放射源的源芯制作通常采用电镀法、吸附法和胶体法。电镀法是在含有氰化物的稀碱溶液中，以68GeCu3合金电镀于镍金属箔。优点是源芯的均勻性好，缺点是工艺复杂，难以控制，生产成本高，同时还产生大量的放射性废液，锗(68Ge)的利用率低，大约 60%。胶体法是将68GeCl4溶液、gelatin或Carbow-1450在40 50°C下混合均勻，注入容器内凝固密封制备PET校正源。通过68Ge直接与凝胶体混合搅拌均勻来制备68Ge针状源。其优点凝胶体的熔点较低(一般低于50°C)，针状源使用一段时间以后，可以将凝胶体熔融补充适当活度的68Ge重复使用，缺点是在源的制作过程中必须快速的搅拌避免胶体凝固，而且胶体在使用的过程中容易沾粘在器壁上造成污染和68Ge的损失。吸附法是用阴阳离子交换树脂制备fi8Ge放射源，它是制备68Ge密封放射源的最常用的制备方法，与前两种方法比，其优点是制作工艺较简单，过程易控制，成本较低。但是，这种方法是在低浓度酸性、 中性或者碱性条件进行，因此制备过程中放射性锗-68溶液需要进行转换成低酸溶液，同时树脂比重小，填装难度比较大，也难保证填装的均勻性；离子交换树脂大多耐辐照性能较差，长时间照射会使树脂老化或破碎，导致剂量分布改变，影响显像的质量。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足，提供一种成本更低，制作更简便和使用安全的68Ge密封放射源的制备方法。
本发明的技术方案概述如下
68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成在反应容器内，放入粒径为50 400目的二氧化硅0. 2-50g为吸附剂，加入浓度为8 15mol/L的硫酸水溶液l_50mL，放射性浓度为0. 1-lOOmCi/mL的68Ge水溶液0. 1-lOmL，浓度为0. 1 50g/L载体锗的水溶液 0 15mL，在常压下，搅拌或振荡反应10 120分钟，取出上清液，将沉淀清洗晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge密封放射源。
所述二氧化硅的粒径为80 200目。
所述硫酸水溶液的浓度为9 12mol/L。
所述反应时间为30 60分钟。
所述振荡为20 100转/min的旋转振荡或10 100次/min的水平振荡。
所述不锈钢管的壁厚为0. 05 1. 0mm。
所述反应的温度为10 60°C。
本发明是在高浓度酸性条件进行吸附，不用进行体系转化，因此制备工艺更简便， 吸附后的溶液可以重复使用，降低了对环境的污染和降低了放射性废物处理的成本。S^2 具有高的抗辐射性能，吸附效果好；比重大，容易填装，易保证填装的均勻性。源的均勻性好，放射性锗-68的利用率更高，用于PET的衰减校正，提高PET显像设备在临床上获取数据的准确性以及临床应用诊断效果。
图1为本发明的方法制备的68Ge密封放射源的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步的说明。
实施例1
68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成
在15mL的方形石英反应瓶内，放入120目的二氧化硅2g为吸附剂，加入浓度为10mol/L的硫酸水溶液5mL，放射性浓度为3mCi/mL的68Ge水溶液0. 6mL，将反应瓶固定在旋转振荡器上，在常压下，以40转/min的转速旋转振荡反应60分钟，取出上清液，将沉淀用去离子水清洗3次，然后用丙酮清洗2次，晾干，装入不锈钢管1内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管2内再装配在底座3上，即制成一种68Ge密封放射源。放射性锗-68的利用率为97%。
实施例2
68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成
在15mL的方形石英反应瓶内，放入80目的二氧化硅2g为吸附剂，加入浓度为 15mol/L的硫酸水溶液5mL，放射性浓度为3mCi/mL的68Ge水溶液0. 6mL，将反应瓶固定在旋转振荡器上，在常压下，以30转/min的转速旋转振荡反应120分钟，取出上清液，将沉淀用去离子水清洗3次，然后用乙醇清洗2次，晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge密封放射源。放射性锗-68的利用率为95%。
实施例3
68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成
在15mL的方形石英反应瓶内，放入200目的二氧化硅1. 5g为吸附剂，加入浓度为 9mol/L的硫酸水溶液5mL，放射性浓度为3mCi/mL的68Ge水溶液0. 6mL，将反应瓶固定在旋转振荡器上，在常压下，以45转/min的转速旋转振荡反应30分钟，取出上清液，将沉淀用去离子水清洗3次，然后用乙醇清洗2次，晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge密封放射源。放射性锗-68的利用率为 96%。
实施例1-实施例3的不锈钢管的壁厚为0. 1mm。
实施例4
68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成
在反应容器内，放入颗粒大小为50目的二氧化硅50g为吸附剂，加入浓度为Smol/ L的硫酸水溶液50mL，放射性浓度为0. lmCi/mL的68Ge水溶液10mL，浓度为0. lg/L载体锗的水溶液15mL，在常压下，在60°C，以10次/min水平振荡反应10分钟，取出上清液，将沉淀清洗晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge密封放射源。
不锈钢管的壁厚为0. 05mm。
实施例5
68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成
在反应容器内，放入颗粒大小为80目的二氧化硅0. 8g为吸附剂，加入浓度为 9mol/L的硫酸水溶液30mL，放射性浓度为10mCi/mL的fi8Ge水溶液5mL，浓度为10g/L载体锗的水溶液10mL，在常压下，在10°C，以100次/min水平振荡反应30分钟，取出上清液，将沉淀清洗晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge密封放射源。
不锈钢管的壁厚为1. 0mm。
实施例6[0037]68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成
在反应容器内，放入颗粒大小为200目的二氧化硅0. 2g为吸附剂，加入浓度为 12mol/L的硫酸水溶液10mL，放射性浓度为50mCi/mL的68Ge水溶液lmL，浓度为30g/L载体锗的水溶液5mL，在常压下，在20°C，以20转/min的转速旋转振荡反应60分钟，取出上清液，将沉淀清洗晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge密封放射源。
不锈钢管的壁厚为0. 1mm。
实施例7
68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成
在反应容器内，放入颗粒大小为400目的二氧化硅0. 2_50g为吸附剂，加入浓度为 15mol/L的硫酸水溶液lmL，放射性浓度为100mCi/mL的68Ge水溶液0. ImL,浓度为50g/L载体锗的水溶液lmL，在常压下，在30°C，以100转/min的转速旋转振荡反应120分钟，取出上清液，将沉淀清洗晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge密封放射源。
不锈钢管的壁厚为0. 1mm。
实施例8
68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成
在反应容器内，放入颗粒大小为80目的二氧化硅0. 8g为吸附剂，加入浓度为 9mol/L的硫酸水溶液30mL，放射性浓度为10mCi/mL的fi8Ge水溶液5mL，浓度为10g/L载体锗的水溶液10mL，在常压下，在20°C，搅拌30分钟，取出上清液，将沉淀清洗晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge密封放射源。
不锈钢管的壁厚为0. 1mm。
在技术方案中反应容器为不规则玻璃容器，最好为方形石英瓶。石英反应容器与普通玻璃容器相比，石英反应容器具有耐辐射，对放射性锗-68的吸附更低，提高了放射性锗的利用率。
所有实施例中使用的化学试剂均为分析纯。
底座的材料选用具有磁性的材料，最好为钨钢；套管的材料为不锈钢。
本发明实施例1制备的产品与国外公司产品均勻性比较
权利要求
1.68Ge密封放射源的制备方法，其特征是由如下步骤组成在反应容器内，放入粒径为 50 400目的二氧化硅0. 2-50g为吸附剂，加入浓度为8 15mol/L的硫酸水溶液l_50mL， 放射性浓度为0. 1-lOOmCi/mL的68Ge水溶液0. 1-lOmL，浓度为0. 1 50g/L载体锗的水溶液0 15mL，在常压下，搅拌或振荡反应10 120分钟，取出上清液，将沉淀清洗晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge 密封放射源。
2.根据权利要求
1所述的68Ge密封放射源的制备方法，其特征是所述二氧化硅的粒径为80 200目。
3.根据权利要求
1所述的68Ge密封放射源的制备方法，其特征是所述硫酸水溶液的浓度为9 12mol/L。
4.根据权利要求
1所述的68Ge密封放射源的制备方法，其特征是所述反应时间为30 60分钟。
5.根据权利要求
1所述的68Ge密封放射源的制备方法，其特征是所述振荡为20 100 转/min的旋转振荡或10 100次/min的水平振荡。
6.根据权利要求
1所述的68Ge密封放射源的制备方法，其特征是所述不锈钢管的壁厚为 0. 05 1. 0mm。
7.根据权利要求
1所述的68Ge密封放射源的制备方法，其特征是所述反应的温度为 10 60 。
专利摘要
本发明公开了一种68Ge密封放射源的制备方法，由如下步骤组成在反应容器内，放入粒径为50～400目的二氧化硅0.2-50g为吸附剂，加入浓度为8～15mol/L的硫酸水溶液1-50mL，放射性浓度为0.1-100mCi/mL的68Ge水溶液0.1-10mL，浓度为0.1～50g/L载体锗的水溶液0～15mL，在常压下，搅拌或振荡反应10～120分钟，取出上清液，将沉淀清洗晾干，装入不锈钢管内，两端焊封，将密封的不锈钢管设置在套管内再装配在底座上，即制成一种68Ge密封放射源。本发明制备工艺简便，吸附后的溶液可以重复使用，降低了对环境的污染和降低了放射性废物处理的成本。
文档编号A61B6/02GKCN101593567 B发布类型授权 专利申请号CN 200910069323
公开日2011年10月26日 申请日期2009年6月18日
发明者阎尔坤 申请人:天津赛德生物制药有限公司导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan专利引用 (7), 非专利引用 (4),